英特尔（Intel）持续全力扶植大陆供应链，不仅携手大陆相关业者抢攻全球IT市场，根据英特尔最新计划，将在年度重头戏IDF展会前夕举行中美创新高峰论坛，聚焦物联网领域，揭露英特尔与大陆供应链业者海康威视、大华科技、升腾资讯、深信服科技等最新战略。
2015-07-07 09:48:15
845 后来进入10nm级，Intel在制程工艺层面一骑绝尘，领先三星和台积电一代以上。不过，Intel 14nm FinFET大量都是用在自家生意上，毕竟作为芯片一哥，需求量惊人，另外就是为FPGA伙伴代工了。
2016-07-15 10:24:04957 制造、设计或启用NAND闪存的公司组成的行业工作组,主要是Intel和镁光。致力于简化NAND闪存集成到消费电子产品、计算平台和任何其他需要固态大容量存储的应用程序中。为NAND闪存定义标准化的组件
2023-06-21 17:36:325873 
有限公司，纳斯达克股票代码：MU）今日宣布已量产全球首款 232 层 NAND。它采用了业界领先的创新技术，从而为存储解决方案带来前所未有的性能。与前几代 NAND 相比，该产品拥有业界最高的面密度和更高的容量及能效，能为客户端及云端等数据密集型应用提供卓越支持。 美光技术与产品执行副总裁
2022-07-28 14:35:41813 
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 编辑
NAND闪存深入解析
2012-08-09 14:20:47
在半导体业，有非常多与接口标准、性能规格、功能特性和设计的真实可能性有关联的假设、术语和误解。因此，弄清事实很重要。本文将阐明关于NAND闪存的错误观念。
2021-01-15 07:51:55
Hittite推出业界领先的商业DRO产品线
2019-09-11 06:01:58
，三星电子和东芝(Toshiba)分别处于技术领先的地位，美光和英特尔(Intel)的IM Flash是在2009年正式量产34奈米制程技术后，才一举追赶过竞争对手，勇夺NAND Flash市场技术领先
2022-01-22 08:05:39
NOR Flash 和 NAND Flash是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR Flash 技术，彻底改变了原先由EPROM(Electrically
2021-07-22 08:16:03
大家好， 我正在研究 IMXRT1176，我对内存使用有一些疑问： XIP 是否通过 QSPI 支持 NAND 闪存？如果 IMXRT1170 从 NAND 闪存启动，则加载程序必须将应用程序复制到
2023-03-29 07:06:44
根据数据表，斯巴达6家族有广泛的第三方SPI（高达x4）和NOR闪存支持功能丰富的Xilinx平台闪存和JTAG但是，如果它支持NAND闪存，我不太清楚吗？我想构建和FPGA + ARM平台，我当时
2019-05-21 06:43:17
BSIMProPlus™是业界领先的半导体器件SPICE建模平台，在其产品二十多年的历史中一直为全球SPICE建模市场和技术的领导者，被全球一百多家领先的集成电路制造和设计公司作为标准SPICE
2020-07-01 09:36:55
东芝近日宣布推出多款最大容量为 32GB的嵌入式NAND闪存模块，这些嵌入式产品应用于移动数码消费产品，包括手机和数码相机，样品将于2008年9月出厂，从第四季度开始量产
2008-08-14 11:31:20
Altera和赛灵思20年来都在FPGA这个窄众市场激烈的竞争者，然而Peter Larson基于对两个公司现金流折现法的研究表明，赛灵思是目前FPGA市场的绝对领先者。
2019-09-02 06:04:21
全球领先的传感器供应商InvenSense（INVN)7日宣布收购法国运动处理技术公司Movea,旨在通过此次收购在运动传感器和联网式（GPS/WIF）数据追踪技术方面得以提升，此项收购的规模为8100万美元，其中现金部分为7500万美元。
2020-04-28 06:14:17
科技积极引进国内先进技术，拥有多项核心技术，在行业竞争中具有明显的技术领先优势。在积极利用自身优势进行科研开发工作的同时，华德利科技还与武汉多所高校建立了战略合作关系，研发实力进一步增强。 为激发研发
2013-09-16 14:38:40
全球新车市场需求的近35%。今天，人们对于车载连接集成的关注度也正在急速升温。互联汽车的核心理念在于利用半导体芯片实现连通性。随着技术的不断革新，分析师预测到2020年每辆车上的芯片数量将接近1，000个。下面让我们来更加深入地了解促进车联网发展的各种领先技术。
2019-07-10 07:14:30
大家好我使用 stm32h743 和与 fmc 连接的 nand 闪存。我搜索以查看如何为 nand 创建自己的外部加载器（我找不到任何用于 nand 闪存的外部加载器）。我想我只需要使 Loader_Src.c 文件适应 nand 闪存 hal 函数和一个链接器来构建 .stldr？我走对路了吗？
2022-12-20 07:17:39
黄金时代正式到来。与此同时，无可辩驳的，中国半导体产业的一大遗憾是我们几乎没有自己的核心芯片，无论MCU、DSP或是FPGA等，主流技术仍被国际厂商所垄断。
2019-11-01 08:12:17
NAND闪存技术已经远离ML403板支持的CFI兼容性，您无法再找到与Xilinx为ML403板提供的闪存核心兼容的闪存芯片。我目前的项目仅限于Virtex 4平台，由于速度需求，不能使用带有MMC
2020-06-17 09:54:32
至 2015 年之间， NAND的市场复合年增长率将达到 7%。技术方面，内存密度因采用 25nm 及以下制程技术，让制造商能进一步扩大优势。领先的 NAND 闪存制造商开始用 20-30nm 范围
2014-04-22 16:29:09
日前，美容科技发达，祛斑的方法各色各样，王者风范在祛斑界的效果已经是遥遥领先了，那么，南宁OPT王者风范祛斑的原理是什么？下面我们就有请南宁整形医院专家给我们介绍。王者风范祛斑的原理是利用光能被皮肤
2012-10-10 10:26:08
系统工程师是如何借助SDR平台领先一大步的？
2021-05-21 06:32:20
`在2015年北京中关村智能硬件创业节上，蓝宙电子与全球领先的开源软硬件平台Arduino达成战略合作协议， 蓝宙电子正式成为Arduino官方授权的中国区域代理商，标志着蓝宙电子正式成为国内
2016-04-08 13:32:25
第七章 克服关键组织障碍第八章 寓执行于战略第九章 结论：蓝海战略的可持续性与更新附录A 蓝海战略案例纵览附录B 价值创新：战略的结构再造观点附录C 价值创新的市场动态分析
2008-07-03 14:48:07
题为《OpenHarmony技术领先筑生态，万物智联赢未来》的主题演讲。他围绕万物智联趋势，分享OpenHarmony四大技术架构特征的关键技术成果与未来演进方向，并发布了多项技术指导委员会近期孵化
2023-11-06 14:35:46
采用Magma Finesim的NAND闪存仿真战略
摘要: NAND闪存是一种非易失性存储器，主要用于存储卡、MP3播放器、手机、固态驱动器(SSD)等产品中。除了存储单元阵列以外，它还有大量
2010-06-10 16:25:03
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NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年
2010-08-30 15:48:01183 NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988
2010-11-03 16:40:29112 NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了
2006-04-17 20:48:523067 nand nor flash区别
NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR
2008-06-30 16:29:231163 Micron美光公司因其DRAM和NAND快闪存储器技术创新获得半导体Insight奖
美光科技股份有限公司近日宣布，Semiconductor Insights选择美光公司两项业内领先的D
2009-05-08 10:39:06909 From M-system公司Arie TAL NAND和NOR的比较
NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年
2009-09-13 14:07:371002 集线器网络移动通信交换解决方案领先供应商 MACH 今天公布新战略
卢森堡2009年10月15日电 -- 旨在简化并加快移动通信供应链创建和运行的解决方案领先供
2009-10-15 16:48:21852 Intel-镁光反击,2xnm制程NAND芯片将试制
在本月22日召开的一次电话会议上，镁光公司声称他们很快便会试制出2x nm制程NAND闪存芯片产品，并对其进行取样测试。尽管
2009-12-26 09:56:491134 Intel、美光宣布投产25nm NAND闪存
由Intel、美光合资组建的IM Flash Technologies, LLC(IMFT)公司今天宣布，已经开始使用25nm工艺晶体管试产MLC NAND闪存芯片，并相信足以
2010-02-01 11:15:12771 IMFT宣布25nm NAND闪存二季度开售
Intel、美光合资公司Intel-Micron Flash Technologies(IMFT)宣布，25nm新工艺 NAND闪存芯片将从第二季度起开始销售，预计今年晚
2010-03-23 11:58:41600 NOR闪存/NAND闪存是什么意思
NAND闪存芯片和NOR闪存芯片的不同主要表现在：
1) 闪存芯片读写的基本单位不同
2010-03-24 16:34:358226 NAND闪存的自适应闪存映射层设计
闪存存储器主要分为NAND和XOR两种类型，其中NAND型是专为数据存储设计。本文的闪存映射方法主要是针对NAND类型的
2010-05-20 09:26:23770 
美光科技公司(MicronTechnology)与英特尔公司近日宣布试制成功了基于行业领先的50纳米(nil])制程技术的NAND闪存，这兑现了它们对快速提升技术领先曲线的承诺。样品通
2010-05-30 11:08:09632 东芝在半导体业务中提出了新战略（图1）。东芝计划将把瞄准全球份额首位的NAND闪存业务实力，应用于其他半导体业务。具体做法是在分离式半导体业务、从原系统LSI业务中剥离出来的
2011-09-23 09:27:581526 
意法半导体（ST）将于2012年12月10日公布新战略计划 横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体（STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM）将于2012年12月10日
2012-12-06 09:26:33711 全球行业领先的嵌入式市场闪存解决方案创新厂商Spansion 公司（纽约证交所代码：CODE）今天宣布推出一个新的串行外设接口（SPI）闪存产品家族。
2013-12-31 10:57:20657 11月17日,国家射频识别(RFID)产业技术创新战略联盟标准在上海召开发布会,会上发布了国家射频识别产业技术创新战略联盟标准,内容覆盖协议符合性、性能性、可靠性、环境适应性、电磁兼容性及安全性六大方面,将进一步推动射频识别技术的民用化进程。
2016-11-21 11:27:111148 三星NAND闪存规格书 K9F4G08U0D
2017-10-17 09:42:2635 据悉，东芝的第 6 座工厂（Fab 6）还没有完工，东芝就宣布将在日本兴建第7座NAND Flash工厂，韦德就是能在2018年与三星，Intel、及 SK 海力士进行实力竞争。94 层 V-NAND 闪存生产将会是东芝的下一个计划。
2017-12-27 14:06:091773 富路集团董事长陆付军先生对富路品牌作新战略、新启航的报告；陆董回顾不平凡的2017年，在行业竞争加剧、环保高压、市场低迷的大环境下，富路逆势而上，加大产品生产研发投入，运用汽车冲压、焊装、涂装、总装检测四大工艺标准生产制造电动车，依托三大核心技术奠定了富路在行业中的领先地位。
2018-01-23 09:25:524460 据韩国媒体报道，为了满足PC、智能手机市场对NAND闪存的持续高需求，Intel正在与中国紫光集团谈判，授权其生产64层3D NAND闪存。这种闪存技术来自Intel、美光合资的IMFlash，不过到明年初，双方将结束合作。
2018-03-15 11:45:485454 DVEVM可以启动或（默认），与非门，或通用异步接收机/发射机（UART）。NOR 闪存提供了一个字节随机的优点访问和执行就地技术。NAND闪存不是那么容易用它需要闪存转换层（FTL）软件让它访问；然而，由于它的价格低，速度快，寿命长，许多客户想设计NAND闪存代替或NOR闪存。
2018-04-18 15:06:579 存储产业技术创新战略联盟连续五年被科技部评为“高活跃度联盟”
2018-07-05 15:31:363517 美光、三星释放信号仅是个开端，SK海力士、Intel、东芝、西数/闪迪等都表态在几年内将持续扩充闪存产能，为跨入96层、甚至更高层数而加大投入力度。可见，3D NAND闪存已经成为国际存储器厂商间的“主战场”。
2018-07-17 10:34:084865 
从NAND闪存中启动U-BOOT的设计 随着嵌入式系统的日趋复杂,它对大容量数据存储的需求越来越紧迫。而嵌入式设备低功耗、小体积以及低成本的要求,使硬盘无法得到广泛的应用。NAND闪存 设备就是
2018-09-21 20:06:01485 英特尔(Intel Corp.)距离推出10纳米服务器芯片、将有长达2年的空窗期，Raymond James证券认为，台积电的技术将遥遥领先。
2018-09-28 10:35:402682 至少2年时间，Intel、美光去年才推出3D NAND闪存，Intel本月初才发布了首款3D NAND闪存的SSD，不过主要是面向企业级市场的。这四大豪门的3D NAND闪存所用的技术不同，堆栈的层数
2018-10-08 15:52:39395 任正非日前在上研所5G业务汇报会上发表讲话，他指出，华为要坚持多路径、多梯次、多场景化的研发路线，攻上“上甘岭”，实现5G战略领先。
2018-11-08 09:56:443287 NAND闪存芯片被三星、东芝、SK Hynix、美光、Intel等少数公司垄断，中国公司在此领域毫无话语权，甚至连收购、合作外资公司都没可能，想获得突破还得靠国产公司自立。紫光公司主导的长江存储
2018-11-23 08:45:2812115 由于闪存的成本取决于其裸片面积，如果可以在同样的面积上存储更多数据，闪存将更具成本效益。NAND闪存有三种主要类型：单层单元（SLC）、多层单元（MLC）和三层单元（TLC）。顾名思义，在相同
2018-12-17 15:50:241684 由于闪存的成本取决于其裸片面积，如果可以在同样的面积上存储更多数据，闪存将更具成本效益。NAND闪存有三种主要类型：单层单元(SLC)、多层单元(MLC)和三层单元(TLC)。顾名思义，在相同
2019-04-17 16:32:345462 
12月27日上午，以新定位、新战略、新零售为主题的爱玛全球领先2019战略年会在集团总部天津盛大启幕，爱玛集团副董事长段华、集团掌舵人王伟，央视广告经营管理中心副主任李怡，德国博世电动两轮车事业部
2018-12-28 16:08:56656 根据江苏省科技厅《关于公布2017年度江苏省产业技术创新战略联盟绩效评价结果的通知》（苏科高发【2018】378号），江苏省集成电路产业技术创新战略联盟被评定为A类联盟。
2018-12-29 15:33:335671 工业和信息化部通信科技委常务副主任韦乐平发表了题为《网络领先是实现国家5G战略的基石》的主题演讲。
2019-07-18 16:33:412697 全球碳化硅（SiC）半导体领先企业科锐与德国采埃孚（ZF Friedrichshafen AG）宣布达成战略合作，开发业界领先的高效率电传动设备。
2019-11-06 15:01:54745 四级单元（QLC）NAND正在进入企业领域，它可帮助降低价格，低于目前领先的三级单元（TLC）NAND。四级单元应该会让NAND闪存在未来几年保持主流地位，尽管有人预测，存储级内存（SCM）和持久内存技术最终将取代NAND。SCM和持久内存可弥合NAND与更快更昂贵的DRAM之间的价格和性能差距。
2020-03-06 15:50:003352 在过去50年的历史中，AMD绝大多数时候都会在CPU工艺上落后Intel一两代，不是AMD不努力，而是Intel实在是太强了，这二十多年来一直都拥有地球上最先进的制程工艺，官方之前还表态他们的制造工艺领先对手三年半，当然说这话的时候是22nm之前的节点了。
2019-12-14 09:30:433982 成本领先战略和产品差异化战略均能够通过提升顾客价值而提升企业的竞争力。成本领先战略将成本降到低于其他竞争对手的水平来赢得竞争优势，而凭借产品差异化战略，企业能够提升客户对本企业产品或服务价值的认知
2019-12-18 14:54:5014 任何了解SD卡，USB闪存驱动器和其他基于NAND闪存的解决方案基础知识的人都知道，控制这些最小化故障率的关键组件是NAND闪存控制器。
2020-01-22 09:46:00634 
根据国科微官方的消息，国科微搭载长江存储3D NAND闪存的固态硬盘产品已完成批量测试。
2020-01-17 15:17:495053 凭借领先一代的PCM相变存储技术3D XPoint，Intel的傲腾系列内存/SSD在企业级市场上占了上风，延迟超低，寿命也远超闪存。
2020-03-05 14:34:41872 在NAND闪存市场，三星、东芝、西数、SK海力士、美光、Intel等公司掌握了全球90%以上的产能，留给其他厂商的空间并不多。国内公司中，兆易创新表示能做38nm的SLC闪存，还在推进24nm闪存研发。
2020-04-02 08:54:342726 据媒体报道指国产存储芯片企业长江存储已开发出128层的NAND flash存储芯片，这是当前国际存储芯片企业正在投产的NAND flash技术，意味着中国的存储芯片技术已达到国际领先水平。
2020-04-14 08:55:4512821 据悉，美国国防部近日公布了一项新战略，以推动对安全和具有弹性的5G网络的采用，并保持领先于潜在对手。
2020-05-27 15:52:031119 无论消费者还是企业机构，大多数人在谈到闪存时，首先想到的就是NAND闪存。从一定的现实意义上来讲，NAND闪存可以说已经成为固态硬盘的代名词。基于块寻址结构和高密度，使其成为磁盘的完美替代品。
2020-07-30 11:09:0314751 
最近关于QLC闪存的消息不断，最劲爆的莫过于武汉长江存储成功研发全球首款128层QLC 3D NAND闪存，多项技术世界领先，最快年底量产。
2020-07-30 11:40:1017363 通常情况下，固态硬盘（SSD）的底层NAND架构会因模型而异。NAND 闪存的每种类型——SLC、MLC、eMLC和TLC——都有不同的特性，并因此对您的数据存储产生不同的影响，在这篇文章中，我们会讨论这些差异。
2020-08-28 11:15:46716 
我们都知道，构成SSD的主要IC有主控芯片和NAND闪存，目前闪存制造厂主要分为三星与东芝联合的ToggleDDR阵营和英特尔与美光为首的ONFI阵营，今天小编就来你了解闪存产品的核心—NAND闪存芯片的分类。
2020-09-18 14:34:527052 作价 90 亿美元，Intel 又卖出了旗下的一个重要业务。这个业务，就是 NAND 闪存。这是继 NVIDIA 宣布以 400 亿美元收购 ARM 之后，全球半导体领域的又一笔重大交易。
2020-10-21 09:37:571755 前不久，Intel突然宣布以90亿美元（约601亿）的价格将旗下的NAND闪存业务出售给了SK海力士，业内哗然。
2020-11-05 09:37:321345 前不久，Intel突然宣布以90亿美元（约601亿）的价格将旗下的NAND闪存业务出售给了SK海力士，业内哗然。
2020-11-05 09:43:421123 据报道，第三季度财报优于市场预期的SK海力士计划在五年内将其NAND销售额增加两倍以上。SK海力士并再次强调，决心通过从英特尔手中收购NAND业务，在NAND市场占据领先地位。
2020-11-05 12:17:421538 美光刚刚宣布了其第五代3D NAND闪存技术，达到了创纪录的176层堆叠。这也是美光、Intel在闪存合作上分道扬镳之后，自己独立研发的第二代3D NAND闪存。
2020-11-11 11:50:212081 存储器厂商美光宣布，其第五代3D NAND闪存技术达到创纪录的176层堆叠。预计通过美光全新推出的176层3D NAND闪存技术以及架构，可以大幅度提升数据中心、智能边缘计算以及智能手机存储
2020-11-12 16:02:552599 ，即使隔着屏幕也能感受到Intel扑面而来的“杀气”。 此次Intel仍然发布了3D NAND产品，3款产品中有2款都拿到一个“业界第一”，即便是其闪存业务出售给SK海力士，其闪存产品性能依然风骚“不减”。 在傲腾业务方面，Intel公司执行副总裁兼数据平台事业部总经理Navin She
2020-12-17 14:09:371728 近日，Intel全球首发了144层堆叠的QLC NAND闪存颗粒，并用于D7-P5510、D5-P5316、670p、H20等不同SSD产品，不过对于主控芯片，Intel一直守口如瓶。
2020-12-28 09:36:392060 近日，Intel全球首发了144层堆叠的QLC NAND闪存颗粒，并用于D7-P5510、D5-P5316、670p、H20等不同SSD产品，不过对于主控芯片，Intel一直守口如瓶。
2020-12-28 09:48:342354 今天下午，在Lipro智能家居品牌分享会上，魅族科技正式公布了2021年全新战略——一体两翼。其中，魅族式旗舰手机仍为核心业务，新增双项战略引擎，智能穿戴与智能家居业务。
2020-12-30 15:41:323834 众所周知，三星电子在NAND闪存芯片市场上一直保持领先地位，占有30％以上的份额。但是，由于竞争对手开始表现出更好的工艺，它们似乎在挑战三星的技术能力。
2021-02-26 15:49:372217 在3D NAND技术赛跑中，三星长期处于领先地位，截至目前，其3D NAND闪存已经陆续演进至128层。
2022-06-14 15:21:152100 
在NAND闪存的应用中，程序/擦除周期存在一个限制，称为“P/E周期”。在NAND闪存中，当每个块的P/E周期达到最大值时，这些块将变得不可工作，需要一个备用块来替换它。当这些备用块用完时，此NAND闪存将无法再使用。
2022-10-24 14:30:111230 
围绕基于NAND闪存的存储系统的对话已经变得混乱。通常，当人们讨论存储时，他们只谈论NAND闪存，而忽略了单独的，但同样重要的组件，即控制器。但是为什么需要控制器呢？简单地说，没有它，一切都不起作用。
2022-10-25 09:29:32863 
在NAND闪存的应用中，编程/擦除周期存在限制，称为“P/E周期”。在NAND闪存中，当每个块的P/E周期达到最大值时，这些块变得不可工作，需要一个备用块来替换它。当这些备用块用完时，此NAND闪存将无法再使用。
2022-11-30 15:00:431518 
我们之前见过的闪存多属于Planar NAND平面闪存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 闪存，顾名思义，就是它是立体堆叠的，Intel之前用盖楼为例介绍了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高楼大厦，建筑面积一下子就多起来了，理论上可以无线堆叠。
2023-03-30 14:02:392147 内存和NOR型闪存的基本存储单元是bit，用户可以随机访问任何一个bit的信息。而NAND型闪存的基本存储单元是页（Page）（可以看到，NAND型闪存的页就类似硬盘的扇区，硬盘的一个扇区也为512
2023-06-10 17:21:001983 三星24年生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25年量产三层堆栈架构321层NAND闪存 存储领域的竞争愈加激烈，三星电子计划在2023年正式生产第9代V-NAND闪存，三星第9代V-NAND闪存
2023-08-21 18:30:53281 据最新报道，全球领先的NAND闪存制造商铠侠已决定重新审视其先前的减产策略，并计划在本月内将开工率提升至90%。这一策略调整反映出市场需求的变化和公司对于行业发展的积极预期。
2024-03-07 10:48:35263
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