已经完成，现在可以为客户提供样品。通过在其基于极紫外（EUV）的工艺产品中添加另一个尖端节点，三星再次证明了其在先进晶圆代工市场的领导地位。 与7nm相比，三星的5nm FinFET工艺技术将逻辑区域效率提高了25％，功耗降低了20％，性能提高了10％，从而使其能够拥有更多创
2019-04-18 15:48:47
7184 MRAM，即磁阻式随机访问存储器的简称，兼备SRAM的高速读写性能与闪存存储器的非易失性。STT-MRAM是通过自旋电流实现信息写入的一种新型MARM，属于MRAM的二代产品，解决了MRAM写入信息
2021-07-26 08:30:0010550 
在3年内展开MRAM量产，也引起了业界高度的注目。韩媒指出， STT-MRAM是可望取代传统DRAM、SRAM的新世代存储器技术。与目前的NAND Flash相比，写入速度快上10万倍，而读取速度则是快上接近10倍。
2016-08-01 11:04:321255 台积电提到对于包含60%逻辑单元、30% SRAM，以及10%模拟I/O的移动SoC而言，其5nm工艺能够缩减芯片35%-40%的尺寸——这样的值是更具参考价值的。
2021-01-30 11:47:1233817 
9月13日，晶圆代工厂联电宣布，手美商 Avalanche Technology，推出采 22 纳米制程生产的自旋转移矩磁性内存 (STT-MRAM)，将应用于航天等领域。9月12日，外媒报道，美国
2022-09-13 13:38:156508 
在7nm及以下节点上，台积电的进展是最快的，今年量产7nm不说，最快明年4月份就要试产5nm EUV工艺了，不过这个节点的投资花费也是惊人的，台积电投资250亿美元建厂，5nm芯片设计费用也要比7nm工艺提升50%。
2018-10-08 09:52:334230 研究机构IMEC已经发表了一篇论文，该研究表明，在5nm节点上，STT-MRAM与SRAM相比可以为缓存提供节能效果。这种优势比非易失性和较小的空间占用更重要。
2019-10-18 06:01:42
产品会取代独立存储器目前各厂商已经基本掌握了用于实现第一阶段应用的关键技术。在车载MCU中,通常是将设备工作时使用的sram存储器和用于存放程序的闪存集成在同一块芯片上。如果能够将自旋注入MRAM集成到
2023-04-07 16:41:05
，这使其能够在耐久性方面提高多个数量级，从而提高了性能。Everspin Technologies 是设计制造离散和嵌入式MRAM和自旋传递扭矩MRAM（STT-MRAM）的全球领导者，其市场和应用领域
2020-08-12 17:42:01
和DRAM的潜能。用MTJ存储单元构建的MRAM存储器可以用作高速缓存。 高速缓存可以用与SRAM几乎相同的方式来组建。MRAM与SRAM具有相似的电路结构(见图1)。 它们都由字线来选择目标操作单元,由位线
2020-11-06 14:17:54
STT-MRAM万能存储器芯片
2021-01-06 06:31:10
求大神详细介绍一下STT-MRAM的存储技术
2021-04-20 06:49:29
STT-MRAM技术的优点
2020-12-16 06:17:44
MRAM，即磁阻式随机访问存储器的简称，兼备SRAM的高速读写性能与闪存存储器的非易失性。STT-MRAM是通过自旋电流实现信息写入的一种新型MARM，属于MRAM的二代产品，解决了MRAM写入信息
2021-12-10 07:06:51
Eversipn STT-MRAM的MJT细胞
2021-02-24 07:28:54
Everspin Technologies总部位于亚利桑那州钱德勒，主要是设计和制造MRAM、STT-MRAM的全球领导者，Everspin所生产的MRAM产品包括40nm，28nm及更高工艺在内
2020-08-31 13:59:46
自旋转移扭矩磁阻随机存取存储器（STT-MRAM）是一种持久性存储技术，可利用各种工业标准接口提供性能，持久性和耐用性。 Everspin推出了STT-MRAM产品，该产品利用称为JE-DDR4
2021-01-15 06:08:20
开启下一波储存浪潮STT-MRAM（又称自旋转移转矩MRAM技术）具有在单一元件中，结合数种常规存储器的特性而获得市场重视。在多年来的发展中发现，STT-MRAM具备了SRAM的速度与快闪存储器的稳定性与耐久性。STT-MRAM是透过电子自旋的磁性特性，在芯片中提供非挥发性储存的功能。
2019-10-02 07:00:00
Everspin的8Mb MRAM MR3A16ACMA35可以在较慢的富士通8Mb FRAM MB85R8M2T上运行，但还允许系统设计人员利用MRAM的四倍随机存取周期时间。Everspin
2023-04-07 16:26:28
的宽度，也被称为栅长。栅长越短，则可以在相同尺寸的硅片上集成更多的晶体管。目前，业内最重要的代工企业台积电、三星和GF（格罗方德），在半导体工艺的发展上越来越迅猛，10nm制程才刚刚应用一年半，7n...
2021-07-29 07:19:33
年三月进入了风险试产阶段，据说试产良率可以达到40%，而在今年的第二季度，就可以实现大规模的量产。面对这一商机，全球5nm产业链上的相关厂商都绷紧了神经，要么争取分一杯羹，要么争取产能。因此，关注
2020-03-09 10:13:54
本文主要介绍描述了图1所示的具有28nm CMOS的1Gb 1.2V DDR4 STT-MRAM的产品化和优异的性能，是产品其能够在-35C至110C的工业温度范围内使用。
2020-12-28 06:16:06
台积电宣布5nm基本完工开始试产：面积缩小45%、性能提升15%.pdf(105.52 KB)
2019-04-24 06:00:42
SRAM存储单元的写裕度(WM)。同时,可以优化SRAM存储单元的抗PVT波动能力,并且可以降低SRAM存储单元的最小操作电压。 基于SMIC 28nm工艺节点仿真结果显示,新型10T单元结构在电源电压为
2020-04-01 14:32:04
使嵌入式 STT MRAM 磁隧道结阵列的加工成为可能
2021-02-01 06:55:12
作者 MahendraPakala半导体产业正在迎来下一代存储器技术的新纪元，几大主要变化趋势正在成形。这其中包括磁性随机存储器(MRAM) 的出现。我将在几篇相关文章中介绍推动MRAM 得以采用的背景，重点说明初始阶段面临的一些挑战，并探讨实现 STT MRAM 商业可行性的进展。
2019-07-16 08:46:10
萌新求助，求一个基于嵌入式STT-MRAM的架构方案
2021-10-25 07:33:36
MRAM具有成为通用存储器的潜力-能够将存储存储器的密度与SRAM的速度结合在一起，同时始终保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高辐射，可以在极端温度条件下运行，并且可以防篡改。MRAM技术仍远未
2020-04-15 14:26:57
耐久性。该算法如图6所示。 图6.智能写操作算法，显示动态组写和带写验证的多脉冲写。 MRAM数据可靠性 在基于自旋的STT-MRAM的许多应用中，磁场干扰是一个潜在的问题。该解决方案是在封装上沉积
2020-07-02 16:33:58
在此演示中，Everspin演示了基于STT-MRAM的NVMe存储加速器提供了卓越的延迟确定性，可为Apache Log4J等应用程序启用低延迟写入缓冲区。
2018-11-23 05:55:003872 IMEC进行了设计技术协同优化（DTCO），以确定5nm节点上STT-MRAM单元的要求和规格，并得出了一个结论，高性能STT-MRAM位单元的MRAM间距是45nm接触栅极间距的两倍，是5nm最后
2018-12-18 15:33:544807 
Everspin 近日宣布，其已开始试生产最新的 1Gb STT-MRAM（自旋转移力矩磁阻）非易失性随机存取器。
2019-06-27 08:59:4310623 眼下，台积电和三星都在全力冲刺5nm工艺，这将是7nm之后的又一个重要节点，全面应用EUV极紫外光刻技术，提升效果会非常明显，所以都受到了高度重视。
2019-07-10 16:32:082651 与过去相比，研究人员现在已经将EUVL作为存储器关键结构的图形化工艺的一个选项，例如DRAM的柱体结构及STT-MRAM的MTJ。在本文的第二部分，IMEC的研发工程师Murat Pak提出了几种STT-MRAM关键结构的图形化方案。
2019-09-05 11:45:009114 GlobalFoundries、Everspin联合宣布，双方已经达成新的合作，将利用GF 12LP(12nm FinFET)工艺来制造新一代STT-MRAM(自旋转移矩磁阻内存)，包括独立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。
2020-03-15 23:52:532742 GlobalFoundries、Everspin联合宣布，双方已经达成新的合作，将利用GF 12LP（12nm FinFET）工艺来制造新一代STT-MRAM（自旋转移矩磁阻内存），包括独立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。
2020-03-16 08:42:26818 GlobalFoundries、Everspin联合宣布，双方已经达成新的合作，将利用GF 12LP（12nm FinFET）工艺来制造新一代STT-MRAM（自旋转移矩磁阻内存），包括独立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。
2020-03-20 16:59:563103 ST-MRAM有潜力成为领先的存储技术，因为它是一种高性能存储器（可以挑战DRAM和SRAM），可扩展至10nm以下，并挑战了闪存的低成本。STT代表旋转传递扭矩。在ST-MRAM器件中，电子的自旋
2020-04-03 16:35:181821 Everspin是专业研发生产MRAM、STT-MRAM等半导体领先供应商，在包括40nm，28nm及更高的技术节点在内的先进技术节点上进行了全包交钥匙的300mm大批量平面内和垂直MTJ
2020-04-07 17:16:071157 Everspin在磁存储器设计，MRAM,STT-MRAM的制造和交付到相关应用中的知识和经验在半导体行业中是独一无二的。拥有超过600多项有效专利和申请的知识产权产品组合，在平面内和垂直磁隧道结
2020-04-15 17:27:051485 随着制程迈向5nm甚至3nm，半导体工艺复杂性剧增导致高密度SRAM在先进技术节点处的缩小变得更为有限。为减少面积和能耗，STT-MRAM存储器已成为替代基于SRAM的最后一级高速缓存存储器的有希望
2020-05-26 11:13:341738 
MRAM内存的Everspin开始向STT-MRAM发运最高1Gb的芯片容量，这种内存密度使这些设备在许多应用中更受关注。Everspin代理商英尚微电子提供产品技术支持及解决方案。 主要的嵌入式半导体制造商为工业和消费应用中使用的嵌入式产品提供MRAM非易失性存储器选项。这些铸造厂包括全球
2020-06-23 15:31:031349 （STT-MRAM）。这些技术提供了密集的位单元（“1T1R”），并通过改变单元的静态电阻来操作，这种电阻是通过材料的“Write1”和“Write0”脉冲电流和大小引起。当单元被访问时，读操作感知电阻大小，大大降低单元电流。理想情况下，两个电阻之间的比率非常高，以加速读取操作。
2020-06-30 11:01:335569 存储器芯片。Everspin总代理宇芯电子可提供技术支持和产品解决方案。 MRAM可能是当今最有前途的下一代非易失性存储技术。Toggle MRAM和STT-MRAM已经进入市场，在许多应用中获得了
2020-07-13 11:25:581500 随着有希望的非易失性存储器架构的可用性不断增加，以增加并潜在地替代传统的易失性存储器，新的SoC级存储器测试和修复挑战正在出现。通过将自旋转移扭矩MRAM（STT-MRAM）作为嵌入式MRAM技术
2020-08-04 17:24:264376 ）STT-MRAM位单元的开发方面均处于市场领先地位。本篇文章everspin代理宇芯电子要介绍的是如何最大限度提高STT-MRAM IP的制造产量。 铸造厂需要传统的CMOS制造中不使用的新设备，例如离子束蚀刻，同时提高MTJ位单元的可靠性，以支持某些应用所需的大（1Mbit〜256Mbit）存储器阵列密度
2020-08-05 14:50:52832 但以目前的容量而言，STT－MRAM容量仍小，离取代一般存储器还有一段路要走，另一种比较可行的应用，是把STT－MRAM嵌入其他系统芯片，目前已有SRAM嵌入逻辑芯片的技术，而STT－MRAM记忆密度比SRAM更高，有助于提高逻辑芯片内的记忆容量。
2020-08-21 14:18:00996 第一代现场交换MRAM的主要缺点。 STT-RAM作为通用的可扩展存储器具有巨大的潜在市场。它可以取代嵌入式SRAM和45nm的闪存，32nm的DRAM，并最终取代NAND。STT-RAM是一项很有
2020-08-10 15:30:201233 Everspin是设计制造MRAM、STT-MRAM的翘楚，其市场和应用涉及数据持久性和完整性，低延迟和安全性至关重要。 在磁存储器设计，制造和交付给相关应用方面的知识和经验以及在平面内和垂直磁隧道
2020-08-28 14:19:13849 MRAM是一种非易失性存储技术，可以在不需要电源的情况下将其内容保留至少10年。它适用于在系统崩溃期间需要保存数据的商业应用。基于MRAM的设备可以为黑匣子应用提供解决方案，因为它以SRAM的速度
2020-09-18 14:25:181535 
中部署了超过1.2亿个MRAM和STT-MRAM产品。Everspin一级代理英尚微电子提供产品相关技术支持。 MRAM涉及汽车应用。对于碰撞记录器，MRAM可以在事故发生时收集和存储更多数据，并帮助确定车辆事故或故障的原因。 使用传感器的汽车应用可以受益于MRAM。由于传感器连续地写入数据
2020-09-18 14:13:161085 Everspin MRAM存储芯片如何用MRAM这类非易失性存储和NVMe SSD构建未来的云存储的解决方案。 首先STT-MRAM作为异常掉电数据缓存的介质有以下几大优势： 1. 非易失性存储器
2020-09-19 11:38:323601 根据官方数据，相较于7nm（第一代DUV），5nm芯片能够提供1.8倍的逻辑密度、速度提升15%，或功耗降低30%。而且5nm节点据称也有较好的良率，基于这些优点，尽管台积电5nm芯片造价不斐，市场需求仍旺盛。
2020-09-25 15:41:022270 芯片是三星与vivo联手定制，有望被vivo X60系列首发。 和三星去年同期推出的Exynos 980（8nm）相比，Exynos 1080在最新5nm工艺的加持下可以让性能提升14%，功耗降低30
2020-11-14 09:58:0514680 苹果对iPad Air 4、iPhone 12和Mac上5nm芯片的订单非常强劲，台积电相关产能已经满载，并将持续到年底。
2020-09-27 13:43:472665 
，各家手机芯片厂商就开始了激烈的5nm芯片角逐，苹果、华为、高通、三星相继推出旗舰级5nm移动处理器，并宣称无论是在性能上还是在功耗上都有着优秀的表现。 不过从这几款5nm芯片的实际表现来看，一些用户并不买账，认为5nm手机芯片表现并没有达到
2021-01-25 13:59:468452 。 MRAM替代SRAM做L2高速缓存 首先比较具有同样面积的MRAM和SRAM。直接用相同面积的MRAM替换SRAM作L2高速缓存能降低错误率。但是写入延时较长。当写入操作强度高时，错误率降低的优势会被长延时所抵消导致性能下降。虽然这种直接替代能大大降低漏功耗，但当写
2020-11-09 16:46:481077 MRAM因具有许多优点，有取代SRAM和DRAM的潜能。用MTJ存储单元构建的MRAM存储器可以用作高速缓存。然而MRAM写入操作的长延时和较高的功耗成为其瓶颈，阻碍了其性能的进一步提高。读取优先
2020-11-17 16:31:48805 
本文由everspin代理宇芯电子介绍关于新型的芯片架构，将嵌入式磁存储芯片STT-MRAM应用于芯片架构设计中，与传统芯片架构相比较，能够降低芯片漏电流，减少芯片静态功耗，延长手持设备的在线工作
2020-11-20 15:20:241099 
来极化电流的技术。通过使用自旋极化电流来改变磁取向来执行数据写入MTJelement中信息存储层的位置。MTJ元件的合成电阻差用于信息读取。 STT-MRAM是一种适用于未来使用超精细工艺生产的MRAM的技术，可以有效地嵌入到随后的诸如FPGA和微处理器，微控制器和片上
2020-11-20 15:23:461300 最初的MRAM都是用微电磁线圈产生电磁场，使自由层的磁矩方向反转来进行0、1数据的读写。这种复杂的结构大大地制约了MRAM存贮单元的微型化进程，因此当时MRAM的存贮密度远远不及DRAM和SRAM
2020-12-07 14:24:001176 越来越多的代工厂提供5nm，Sondrel宣布将通过5nm设计工作来支持它们。以此为基础，它是为数众多的7nm设计进行录音的少数设计公司之一。 Sondrel的首席执行官兼创始人Graham
2021-02-04 17:39:4464560 在ISSCC 2020上台积电呈现了其基于ULL 22nm CMOS工艺的32Mb嵌入式STT－MRAM。该MRAM具有10ns的读取速度，1M个循环的写入耐久性，在150度下10年以上的数据保持能力和高抗磁场干扰能力。
2020-12-24 15:51:141739 从 2020 年下半年开始，各家手机芯片厂商就开始了激烈的 5nm 芯片角逐，苹果、华为、高通、三星相继推出旗舰级 5nm 移动处理器，并宣称无论是在性能上还是在功耗上都有着优秀的表现。 不过
2021-01-20 14:57:5442510 
艺的价格，其中7nm晶圆代工价格不过9346美元，5nm价格就陡然提升到了16988美元，算下来差不多11万人民币了。 价格提升这么多，苹果为啥还会抢先用5nm工艺呢？对于这个问题，ARM的高管Winnie Shao在其个人微博上公布了一个模拟结果，基于不同节点的工艺密度，计算了
2021-01-28 09:44:061990 ，产品有望最快在2023年底量产上市;特斯拉也在备战“芯片升级”，与三星电子合作为全自动驾驶开发5nm芯片。 刚刚，IT行业5nm芯片被曝集体翻车余音未了，车规5nm芯片又甚嚣尘上了。汽车芯片真的进入了5nm时代？我们来分析一下，这炙手可热的车规5nm芯片究竟货色如何？
2021-02-03 10:35:457872 功耗是芯片制造工艺演进时备受关注的指标之一。比起7nm工艺节点，5nm工艺可以使产品性能提高15%，晶体管密度最多提高1.8倍。三星猎户座1080、华为麒麟9000、骁龙888和苹果的A14芯片都
2021-02-04 08:40:575208 功耗是芯片制造工艺演进时备受关注的指标之一。比起7nm工艺节点，5nm工艺可以使产品性能提高15%，晶体管密度最多提高1.8倍。三星猎户座1080、华为麒麟9000、骁龙888和苹果的A14芯片都
2021-02-04 14:33:108218 随着三星在先进制造节点上继续与台积电竞争，这家韩国巨头的努力将使其排名达到第四位。据报道，三星从5nm到3nm的芯片开发实现了跳跃式发展，但仍被排除在全球前三的半导体制造商之外。
2021-02-04 14:55:192654 它无法满足高速RAM应用必须兼具高速写入、无限耐久性，以及可接受的数据保存能力之需求。 STT-MRAM（也称为STT-RAM或有时称为ST-MRAM和ST-RAM）是一种高级类型的MRAM设备。与常规设备相比，STT-MRAM可实现更高的密度、低功耗和更低的成本。 STT-MRAM 相对于
2021-12-11 14:47:441648 Everspin Technologies，Inc是设计制造MRAM和STT-MRAM的全球领导者其市场和应用领域涉及数据持久性和完整性，低延迟和安全性至关重要。E...
2022-01-25 19:29:14
3 本文由everspin代理宇芯电子介绍关于新型的芯片架构,将嵌入式磁存储芯片STT-MRAM应用于芯片架构设计中,与传统芯片架构相比较,能够降低芯...
2022-01-25 20:15:003 Everspin是设计制造MRAM、STT-MRAM的翘楚，其市场和应用涉及数据持久性和完整性，低延迟和安全性至关重要。在磁存储器设计，制造和交付...
2022-01-26 18:14:019 STT-MRAM是通过自旋电流实现信息写入的一种新型非易失性磁随机存储器，是磁性存储器MRAM的二代产品。STT-MRAM存储的结构简单，它省略了...
2022-02-07 12:36:256 虽然栅极间距(GP)和鳍片间距(FP)的微缩持续为FinFET平台带来更高的性能和更低的功耗，但在5nm及更先进节点上，兼顾寄生电容电阻的控制和实现更高的晶体管性能变得更具挑战。
2022-05-05 16:00:292446 
虽然栅极间距(GP)和鳍片间距(FP)的微缩持续为FinFET平台带来更高的性能和更低的功耗，但在5nm及更先进节点上，兼顾寄生电容电阻的控制和实现更高的晶体管性能变得更具挑战。
2022-05-27 17:24:136 7nm芯片和5nm芯片的区别在哪？7nm芯片和5nm芯片哪个好？在其他变量恒定的情况下，5nm芯片肯定要强于7nm芯片，5纳米芯片意味着更小的芯片，5纳米芯片要优于7纳米芯片，但是最终还是要看机器是否能够发挥芯片的最大功效。
2022-07-05 09:26:1825002 MRAM可能是非易失性存储技术的下一个大事件。该技术利用了磁性材料的相对极性和电阻之间的关系。本质上，当两个磁铁靠近时，它们的电阻会发生变化，这取决于它们的磁极相对于另一个磁极的位置。
2022-07-25 16:04:331460 everspin在磁存储器设计，制造和交付给相关应用方面的知识和经验在半导体行业中是独一无二的。Everspin拥有超过600项有效专利和申请的知识产权组合，在平面内和垂直磁隧道结（MTJ）STT-MRAM位单元的开发方面处于市场领先地位。
2022-11-17 14:23:283317 
在平面内和垂直磁隧道结（MTJ）STT-MRAM位单元的开发方面处于市场领先地位。包括40nm，28nm及更高工艺在内的先进技术节点上进行了全包交钥匙的300mm大批量平面内和垂直MTJ ST-MRAM生产。
2022-11-17 14:32:391050 
STT-MRAM非易失性随机存取存储器是一款像SRAM一样 高速、高耐久性、单字节访问的工作，也可以像ROM/Flash一样非挥发性，保留时间长的存储。MRAM供应商英尚微支持提供相关技术支持。
2022-11-29 15:57:582187 Everspin的xSPI STT-MRAM产品系列提供高性能、多I/O、SPI兼容性，并具有高速、低引脚数SPI兼容总线接口，时钟频率高达200MHz。这些持久存储器MRAM设备在单个1.8V电源
2022-12-08 16:07:201143 Netsol的SPI STT-MRAM具有非易失特性和几乎无限耐用性。医疗器械理想的存储器用于快速存储、检索数据和程序的应用程序，至少应用于数量引脚。它具有优异的性能和非易失特性。详情请洽英尚微。
2023-02-23 14:49:59449 安全地获得备份。能够充分执行该作用的存储器，在工业设备中至关重要。Netsol的Parallel STT-MRAM 具有非易失特性和几乎无限的耐用性。对于需要快速存储和搜索数据和程序的应用程序来说，这是合适的内存。适用于工业设备中的PC、PLC、HM
2023-02-27 15:48:17478 STT-MRAM它具有SPl总线接口、XIP（就地执行）功能和基于硬件/软件的数据保护机制。SPl（串行外围接口）是一个带有命令、地址和数据信号的同步串行通信接口。
2023-04-07 17:02:071582 其数据始终是非易失性的，可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM，并有助于简化系统设计。由于STT-MRAM的非易失性和几乎无限的续航特性，它适用于工业设计中的代码存储、数据记录、备份存储器和工作存储器。
2023-05-12 16:31:39882 Spin-transferTorqueMagnetoresistiveRandomAccessMemory（STT-MRAM）审稿人：北京大学蔡一茂陈青钰https://www.pku.edu.cn
2022-03-25 10:48:47789 
目前，苹果、高通、联发科等世界知名厂商已与台积电能达成紧密合作，预示台积电将继续增加 5nm产能至该节点以满足客户需求，这标志着其在3nm制程领域已经超越竞争对手三星及英特尔。
2024-03-19 14:09:031306 英尚微电子所代理的Everspin xSPI串行接口MRAM存储芯片，基于最新的JEDEC xSPI标准与独有的STT-MRAM技术构建，这款串行接口MRAM存储芯片可全面替代传统SRAM
2025-11-05 15:31:48285 在存储技术快速演进的今天，一种名为STT-MRAM（自旋转移矩磁阻随机存取存储器）的新型非易失存储器，正逐步走入产业视野。它不仅继承了MRAM的高速读写能力与非易失特性，更通过“自旋电流”技术实现了信息写入方式的突破，被视为第二代MRAM技术的代表。
2025-11-20 14:04:35248
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