10.1.7 自旋转移力矩磁随机存储器（STT-MRAM）∈《集成电路产业全书》
Spin-transfer Torque Magnetoresistive Random Access Memory（STT-MRAM）
审稿人：北京大学 蔡一茂 陈青钰
https://www.pku.edu.cn
审稿人：北京大学 张兴
10.1 非传统新结构器件
第10章 集成电路基础研究与前沿技术发展
《集成电路产业全书》下册
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
存储器
+关注
关注
38文章
7151浏览量
162003
发布评论请先 登录
相关推荐
FPGA零基础学习系列精选：半导体存储器和可编程逻辑器件简介
的集成电路芯片了。
基于SRAM（静态随机存储器）的可重配置PLD（可编程逻辑器件）的出现，为系统设计者动态改变运行电路中PLD的逻辑功能创造了条件。PLD使用SRAM单元来保存配置数据。这些配置数据
发表于 03-28 17:41
MCU制程工艺迈进28nm时代，汽车行业的创新之路
瑞萨日前宣布，公司已基于STT-MRAM的电路技术开发出具有快速读写能力的测试芯片。该MCU 测试芯片采用 22 纳米工艺制造，包括一个 10.8Mbit嵌入式 MRAM 存储单元阵列
发表于 03-05 10:05
•370次阅读
台积电引领新兴存储技术潮流，功耗仅为同类技术的1%
MRAM的基本结构是磁性隧道结，研发难度高，目前主要分为两大类：传统MRAM和STT-MRAM，前者以磁场驱动，后者则采用自旋极化电流驱动。
发表于 01-22 10:50
•146次阅读
MRAM（磁性只读存储器）和FRAM（铁电RAM）有何区别
MRAM或磁性随机存取存储器使用具有铁磁性材料的磁性“状态”的1晶体管–1磁性隧道结（1T-1MTJ）体系结构作为数据存储元素。
发表于 01-09 14:24
•303次阅读
集成电路是什么材料制成的
集成电路（Integrated Circuit，简称IC）是现代电子设备中的核心部件，它们可以实现复杂的功能，如处理器、存储器、传感器等。集成电路的制造材料对其性能和可靠性具有重要影响。本文将对
集成电路芯片有哪些
集成电路芯片是现代电子设备中的核心部件，它们可以实现复杂的功能，如处理器、存储器、传感器等。随着电子技术的不断发展，集成电路芯片的种类和性能也在不断提高。本文将对集成电路芯片的分类和应
临港：中国集成电路产业的新引擎
临港集成电路的发展思路，要成为上海集成电路产业双核驱动的新引擎，通过与张江区形成双区联动。要成为集成电路产业自主创新的桥头堡，围绕先进工艺、
RAM和NAND再遇强敌， MRAM被大厂看好的未来之星
目前三星仍然是全球专利第一，2002年三星宣布研发MRAM，2005年三星率先研究STT-MRAM，但是此后的十年间，三星对MRAM的研发一直不温不火，成本和工艺的限制，让三星的MRAM
发表于 11-22 14:43
•268次阅读
简单认识静态随机存取存储器
，VM）两大类。例如，人们熟知的闪速存储器 ( Flash Memory，简称 Flash）就属于 NVM，静态随机存取存储器 (Static Random Access Memory， SRAM）和动态随机存取存储器 (Dyn
混合NVM/DRAM平台上的内存带宽调节策略
随着相变存储器 (PCM)、STT-MRAM、忆阻器和英特尔的 3D-XPoint 等技术的快速发展，高速的、可字节寻址的新兴 NVM 的产品逐渐涌现于市场中
韩国集成电路产业发展，ICIndustry Development in South Korea
韩国是全球集成电路产业大国，其半导体产业规模占全国 CDP 的 5%，目前拥有两万至家企业支撑着其半导体产业。韩国集成电路
芯片制造商Netsol推出STT-MRAM
Netsol的MRAM具有非易失特性和几乎无限的耐用性。对于需要使用最少数量的引脚来快速存储、检索数据和程序的应用程序而言，是最为理想的存储器。适用于工业设备中的代码存储、数据记录、备
Netsol并口STT-MRAM非易失存储S3R8016
其数据始终是非易失性的，可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM，并有助于简化系统设计。由于STT-MRAM的非易失性和几乎无限的续航特性，它适用于工业设计中的代码存储、数据记录、备份存储器和工作
工商网监
评论