全球领先的高性能功率和便携产品供应商飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)和英飞凌科技(Infineon Technologies)宣布,两家公司进一步扩展封装兼容合作伙伴关系,扩展协议将包括5x
2012-02-10 09:07:56
760 便携设备的设计人员面临着在终端应用中节省空间、提高效率和应对散热问题的挑战。为了顺应这一趋势,飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)开发了FDZ661PZ和FDZ663PP沟道、1.5V规格
2012-05-16 09:27:16
1392 飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 经扩大了其 P 通道 PowerTrench® MOSFET 产品线 。
2012-08-10 09:58:12
1956 飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 日前推出了全新系列的 低功率、面向应用、极性反向保护开关,其中有些保护开关还具有过压瞬变保护功能。
2012-08-21 17:21:36
1106 飞兆半导体 LED 背光升压开关可减少功率损耗,并最大限度地减少高功率应用中的次谐波振荡
2012-10-10 09:55:54
1196 安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN)扩充公司宽广的接口及电源管理产品阵容,推出一对优化的超小超薄小信号MOSFET,用于空间受限的便携消费电子产品
2012-10-18 09:29:01
876 飞兆半导体公司新推出了40V 的N沟道PowerTrench MOSFET FDB9403,该产品可帮助设计人员在汽车动力转向系统的设计工程师需要能够提供更高效率和更佳功率控制的解决方案。
2012-12-04 14:56:04
1314 飞兆半导体已扩展和改进了其采用Dual Cool封装的产品组合,解决了DC-DC转换应用中面临提升功率密度的同时节省电路板空间和降低热阻的挑战。
2013-01-08 17:04:44
1436 飞兆半导体的四路MOSFET解决方案提高了效率,解决了有源整流桥应用中的散热问题。单个封装中的四个60V MOSFET可提高系统效率,替代二极管整流桥,实现紧凑的设计并节省电路板空间
2013-05-02 15:18:55
1702 
飞兆半导体公司(纽约证券交易所代号: FCS)是高性能功率半导体和移动半导体解决方案的全球领先供应商,通过引入 100 V BoostPak 设备系列优化 MOSFET 和二极管选择过程,将
2013-06-05 11:49:39
1355 Vishay Intertechnology宣布,推出新系列小型栅极驱动变压器---MGDT,可在高功率的国防和航天、工业及医疗应用中显著节省空间。
2018-03-07 13:57:09
9669 MOSFET和三极管哪个是压控压型,哪个是流控流型?
2019-05-11 09:22:28
11126 
,仍然存在差距,无法完全而快速地了解供应商提供的仿真模型是否在给定的应用空间中准确地代表了设备。 与竞争模型不同,飞兆半导体的超结MOSFET和IGBT SPICE模型基于适用于整个技术平台的一个物理可扩展模型,而不是针对每种器件尺
2021-04-02 12:58:20
5981 
东芝推出采用薄型SO6L封装的两款光耦---“TLP5705H”和“TLP5702H”,可在小型IGBT/MOSFET中用作绝缘栅极驱动IC。
2021-11-30 15:24:19
1919 
节省空间型器件所需 PCB 空间比 PowerPAIR 6x5F 封装减少 63% ,有助于减少元器件数量并简化设计 美国 宾夕法尼亚 MALVER N 、中国 上海 — 2023 年 1 月
2023-01-30 10:09:49
986 
` 谁来阐述一下mosfet是什么型器件?`
2019-10-25 16:06:28
谁来阐述一下mosfet是电压型器件吗
2019-10-25 15:58:03
/MICROWIRE兼容的接口。 该产品尺寸为3×3mm,与同类产品相比,可节省85%的电路板空间,功耗为67mW,比同类产品低40%,DC精度为±1LSB INL,适用于工业过程控制及电池供电的无线
2018-08-24 16:56:31
封装在开关速度、效率和驱动能力等方面的有效性。最后,第四节分析了实验波形和效率测量,以验证最新推出的TO247 4引脚封装的性能。 II.分析升压转换器中采用传统的TO247封装的MOSFET A.开关
2018-10-08 15:19:33
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出两款高集成度模块产品FDMS9600S和FDMS9620S,能够显著减少电路板空间,同时可在同步降压设计中达到较高的转换效率
2018-11-22 15:48:58
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出两款高集成度模块产品FDMS9600S和FDMS9620S,能够显著减少电路板空间,同时可在同步降压设计中达到较高的转换效率
2018-11-26 16:06:31
员所需要的。飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor简称FAI)推出的FDMC8010 30V Power 33 MOSFET(尺寸3.3mm x 3.3mm 外形PQFN)此款
2012-04-28 10:21:32
技术,是该公司首批采用5x6mm PQFN封装、优化铜片和焊接片芯的器件。IRFH6200TRPbF20V器件可实现业界领先的RDS(on),在4.5V Vgs下,最高仅为<br/&
2010-05-06 08:55:20
电压能力相结合。IGBT将用于控制输入的隔离栅极FET和作为单个器件中开关的双极型功率晶体管组合在一起。安森美半导体推出TO247-4L IGBT系列,具有强大且经济实惠的Field StopII
2020-07-07 08:40:25
帮助工程师在空间受限的高压应用中,可靠地驱动MOSFET或IGBT,简化设计并提升系统功率密度。核心特性:
高压与小封装集成:支持最高200V的母线电压,采用超紧凑的DFN3x3-8封装,显著节省PCB空间
2025-12-27 09:27:00
扁平SOT23F封装,与正在使用的7.3 mm x 6.7mm SOT223封装的元件相比节省了85%的占板空间。</p><p>虽然SOT23F
2009-01-07 16:01:44
`目前,电源工程师面临的一个主要难题是,随着功能的日益增多,商用电子产品的尺寸不断缩小,留给电源电路的空间越来越少。解决这个难题的办法之一是充分利用在MOSFET技术和封装上的进步。通过在更小尺寸
2013-12-23 11:55:35
怎样选择低温运行、大功率、可扩展的POL稳压器并节省电路板空间如何减少PCB上DC/DC转换器封装的热量?
2021-03-10 06:45:29
陶瓷板,可适配标准CAV应用型封装,可有效降低新能源商用车主驱电控、燃料电池能源管理系统应用中的功率器件温升和损耗。 Pcore2系列产品具有低开关损耗、可高速开关、低温度依赖性、高可靠性等特点
2023-02-27 11:55:35
的镇流器IC,FAN7710是在CFL设计中实现空间节省的理想系统级封装解决方案。通过同时推出面向LFL 和 CFL应用的FAN7711,飞兆半导体的产品组合使得设计人员能够根据应用的具体要求,灵活地优化
2018-08-28 15:28:41
: 电路板尺寸和可用空间 精度和可靠性 设计和生产总成本 电路板尺寸和可用空间 选择一个组合式传感器来代替两个独立传感器的最明显优势也许就是“在单个传感器尺寸的封装中可以提供更多的功能”.在
2018-11-13 16:10:20
单通道STGAP2SiCSN栅极驱动器旨在优化SiC MOSFET的控制,采用节省空间的窄体SO-8封装,通过精确的PWM控制提供强大稳定的性能。随着SiC技术广泛应用于提高功率转换效率,STGAP2SiCSN简化了设计、节省了空间,并增强了节能型动力系统、驱动器和控制的稳健性和可靠性。
2023-09-05 07:32:19
MOSFET将封装面积减半-Zetex新款无铅型Zetex 新款无铅型 MOSFET 将占位面积减半模拟信号处理及功率管理方案供应商Zetex Semiconductors (捷特科)公司推出其
2008-03-22 14:46:02
688 飞兆半导体300mA低压降LDO适合高效率和空间受限数字应用飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 为对能量敏感的系统设计人员提供300mA低压降 (LDO) 稳压器解决方案,在效率、瞬态
2008-12-08 11:55:58
684 飞兆半导体实现效率高达94%的电源参考设计
在消费应用中降低噪声并保护敏感电路飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出 200W DC-DC
2009-05-08 10:51:25
734 FDZ197PZ 飞兆半导体推出单一P沟道MOSFET器件
飞兆半导体公司 (Farichild Semiconductor)为智能电话、手机、上网本、医疗和其它便携式应用的设计人员带来
2009-08-04 08:15:47
930 飞兆升压开关为高频步进DC-DC实现高效率
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 全新的升压开关产品FDFME3N311ZT,有助提高手机、医疗、便携和消费应用设计的升压转
2009-11-13 10:27:41
743 飞兆半导体MicroFET™采用薄型封装
飞兆半导体公司(Farichild Semiconductor)宣布其MicroFET现推出行业领先的薄型封装版本,帮助设计人员提升其设计性能。飞兆半导体与设计工
2009-11-21 08:58:55
675 薄型封装版本MicroFET MOSFET
日前,飞兆半导体公司(Farichild Semiconductor)宣布其MicroFET现推出行业领先的薄型封装版本,帮助设计人员提升其设计性能。飞兆半导体与设计工
2009-11-23 09:12:22
631 Diodes针对VoIP应用优化的全新MOSFET,可极大降低成本
Diodes公司推出两款N沟道MOSFET,为网络电话 (VoIP) 通信设备的设计人员带来一种更坚固的解决方案,极大地降低了电路
2009-12-04 08:33:09
933 飞兆半导体推出具有1080p高清能力的视频滤波器
飞兆半导体 (Fairchild Semiconductor) 为高清 (HD) 液晶电视、蓝光DVD播放器和 HD 机顶盒设计人员提供业界首款具有1080p高清能
2009-12-12 08:51:39
621 飞兆半导体推出四通道集成式视频滤波器,可支持机顶盒和DVD
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)针对现今许多视频产品平台逐步淘汰S-video,以及四通道正在成为标准
2010-01-18 08:34:33
1014 飞兆半导体高效率紧凑电源解决方案MOSFET器件
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出具高效率和出色热性能,并有助实现更薄、更轻和更紧凑的电源解决方
2010-03-03 10:50:39
933 飞兆半导体推出MOSFET器件FDMC7570S
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出具高效率和出色热性能,并有助实现更薄、更轻和更紧凑的电源解决方案的MOSFET产品系列,可应
2010-03-05 10:32:53
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飞兆推出带USB/充电器检测功能的便携应用OVP器件FAN3988
飞兆半导体公司(Farichild Semiconductor) 为手机和手持移动产品设计人员提供一款带有高集成度过电压保护(OVP)和USB/充
2010-03-10 10:05:49
1175 飞兆半导体推出N沟道MOSFET器件可延长电池寿命
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)因应手机、便携医疗设备和媒体播放器等便携应用设备的设计和元件工
2010-03-20 08:51:55
1377 飞兆半导体TinyLogic 系列担当节能新角色
产品特性: 静态功耗减少多达99% 采用超紧凑型6脚MicroPak™封装 外形尺寸仅为1
2010-03-24 09:52:00
626 飞兆推出紧凑、灵活的背光照明解决方案FAN5341
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出紧凑、灵活的背光照明解决方案FAN5341,满足现今电池供电型
2010-04-02 11:51:40
1259 飞兆推出耗电量为200μA的运算放大器FAN4931飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出耗电量仅为200μA的FAN4931运算放大器,该器件采用小型5脚SC-70封装,具
2010-04-09 12:04:53
1411 飞兆和英飞凌签署功率MOSFET兼容协议
全球领先的高性能功率和移动产品供应商飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)和英飞凌科技(Infineon Technologies)宣布,两家公司就采用MLP 3x
2010-04-26 08:50:51
813 超紧凑薄型封装的MicroFET MOSFET产品系列
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 为满足便携产品设计人员不断寻求效率更高、外形更小更薄的解决方案的
2010-05-11 17:55:27
952 飞兆半导体推出了导通电阻RDS(ON)小于1mΩ的30V MOSFET,这款全新飞兆半导体器件FDMS7650是最大RDS(ON)值为0.99mΩ (VGS = 10 V, ID = 36A)的N沟道器件,它是业界采用5×6mm POWER56封装且RDS(ON)
2010-12-29 09:09:39
1887 飞兆UniFET II MOSFET优化消费产品功率转换器
2011-02-09 10:53:02
1378 Diodes公司推出一系列采用超小型DFN1006-3封装的高性能MOSFET产品线。该封装仅占用0.6平方毫米的PCB面积,较同类SOT723封装器件节省一半以上的占板空间
2011-05-31 09:31:18
3977 全球领先的高性能功率和便携产品供应商飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 为100V和150V PowerTrench® MOSFET系列器件增添了工业类型封装选择
2011-06-03 09:30:30
904 为了帮助设计人员应对这些挑战,飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)开发出FDMS36xxS系列功率级非对称双MOSFET模块.
2011-06-15 09:01:07
2745 飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 开发出PowerTrench® MOSFET器件FDMB2307NZ。该器件具有能够大幅减小设计的外形尺寸,并提供了所需的高效率。
2011-12-14 09:19:40
2842 飞兆半导体公司和英飞凌科技宣布进一步扩展封装兼容合作伙伴关系,扩展协议将包括5x6mm非对称结构功率级双MOSFET封装。
2012-02-09 09:18:22
1087 飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 现为手机和其它超便携应用的设计人员提供一款P沟道PowerTrench MOSFET器件,满足其对具有出色散热性能的小尺寸电池或负载开关解决方案的需求。
2012-03-01 09:05:38
813 飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)提供第二代XS™ DrMOS系列FDMF6708N,这是经全面优化的紧凑型集成MOSFET解决方案加驱动器功率级解决方案
2012-03-21 08:59:52
3222 便携设备的设计人员面临着在终端应用中节省空间、提高效率和应对散热问题的挑战。为了顺应这一趋势,飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)开发了FDZ661PZ和FDZ663P P沟道、1.5V规格的
2012-05-18 14:20:03
1429 
飞兆半导体已扩展和改进了其采用Dual Cool封装的产品组合,这种封装属于业界标准引脚排列封装,带有顶侧冷却,适用的产品中包括40-100V中压产品系列。硅技术的进步结合Dual Cool技术,
2013-01-08 14:04:44
1467 全球领先的高性能功率半导体解决方案供应商Fairchild (NASDAQ: FCS) 推出了其行业领先的中压MOSFET产品,采用了8x8 Dual Cool封装。这款新型Dual Cool 88
2015-09-01 09:02:50
1989 Vishay推出新系列厚膜电阻---CDMV系列,其在高压工业和新能源设备应用中可帮助分压设计节约宝贵空间,简化生产设计,提高设计灵活性。
2016-06-14 10:14:19
1030 
转换器中节省空间和电能。Vishay Siliconix SQJ202EP和SQJ200EP N沟道TrenchFET®器件把高边和低边MOSFET组合进小尺寸5mm x 6mm PowerPAK® SO-8L双片不对称封装里,低边MOSFET的最大导通电阻低至3.3mΩ。
2016-07-11 14:33:17
1295 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出通过AEC-Q200认证的新系列中压厚膜片式电阻。Vishay Techno CRMA系列电阻是针对
2018-01-17 11:30:37
9205 您的功耗相关设计可以节省双MOSFET的空间,因为您经常成对使用这些功能。飞兆半导体(图片)的P沟道FDZ2552P和类似的N沟道FDZ2551N MOSFET用于低阈值电池保护应用(V GS
2019-08-12 15:08:40
3625 2.7V 至 38V/500mA 低噪声降压-升压型 充电泵可节省空间并降低 EMI
2021-03-19 08:17:34
8 LTC2912 - 单电源欠压和过压监视器提供了精准和节省空间的解决方案
2021-03-20 20:47:05
6 DN363 - 用 MOSFET 来替代“或”二极管以减少发热和节省空间
2021-03-21 13:46:51
0 节省空间,降低EMI
2021-05-20 11:42:15
6 Vishay TrenchFET Gen V MOSFET 节省空间型器件所需 PCB 空间比 PowerPAIR 6x5F 封装减少 63% 有助于减少元器件数量并简化设计 Vishay 推出
2023-02-04 06:10:04
1602 
随着新一代5G网络、IoT物联网技术和AI人工智能技术的迅猛发展,小型化已成为笔电服务器、智能穿戴、智能家居等各种电子产品最重要的发展趋势之一。中微爱芯可提供采用XSON、QFN、SOT等小封装的逻辑芯片,可最大程度地减少外部元器件尺寸,节省PCB的宝贵空间。
2023-05-31 09:34:23
1801 
KUU推出超小型SOT-723封装MOSFET,特别为空间受限的便携式应用优化的新一代MOSFET,这些新低阈值电压MOSFET采用KUU先进的沟槽工艺技术来取得能够和SOT-523等大上许多封装
2023-04-04 16:10:39
2732 
每个FDMS96xx模块在单一MLP封装中集成了三个单独的分立元件,从而节省超过50%的电路板空间。传统的同步降压转换器则通常包含两个SO8封装MOSFET和一个肖特基二极管。
2023-10-18 15:10:37
722 中科微电推出的N沟道MOSFET ZK150G05T,以150V耐压、51A连续电流、TO-252-2L薄型封装为核心标签,精准匹配3-8kW级中压场景的功率控制需求,其参数设计与应用表现,为理解中压小功率器件的适配性发展逻辑提供了典型样本。
2025-11-04 16:27:15
482 
威兆半导体推出的VS8402ATH是一款面向80V中压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-220AB封装,凭借超低导通电阻与160A大电流承载能力,适用于中压DC/DC转换器、电源
2025-11-28 12:10:55
175 
选型手册:VS1401ATHN沟道增强型功率MOSFET晶体管威兆半导体推出的VS1401ATH是一款面向100V中压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-220AB直插封装,凭借
2025-11-28 12:14:04
238 
威兆半导体推出的VS1602GMH是一款面向100V中压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-263封装,凭借1.9mΩ极致低导通电阻与170A大电流承载能力,适用于中压大电流DC
2025-12-03 09:23:07
266 
威兆半导体推出的VS1891GMH是一款面向100V中压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-263封装,适配中压大电流DC/DC转换器、电源管理、高功率负载开关等领域。一、产品
2025-12-09 10:12:07
262 
威兆半导体推出的VS1602GFH是一款面向100V中压场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-220F封装,适配中压DC/DC转换器、电源管理、中功率负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型
2025-12-09 10:29:22
276 
威兆半导体推出的VS1602GTH是一款面向100V中压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-220AB封装,适配中压大电流DC/DC转换器、电源管理等领域。一、产品基本信息器件类型
2025-12-09 10:43:32
215 
威兆半导体推出的VS320N10AU是一款面向100V中压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-247封装,适配中压大电流DC/DC转换器、电源管理等领域。一、产品基本信息器件类型
2025-12-12 15:26:26
172 
威兆半导体推出的VSE090N10MS是一款面向100V中压场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用PDFN3x3封装,适配中压小型电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型:N沟道增强型
2025-12-23 11:22:46
175 
威兆半导体推出的VS6038AD是一款面向60V中压场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-252/TO-251封装,适配中压中功率电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型:N沟道
2025-12-23 11:43:46
164 
威兆半导体推出的VSD090N10MS是一款面向100V中压场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-252封装,适配中压中功率电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型:N沟道增强型
2025-12-25 16:14:53
109 
威兆半导体推出的VSD011N10MS-G是一款面向100V中压场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-252封装,适配中压中功率电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型:N沟道
2025-12-25 16:18:26
111 
威兆半导体推出的VS5810AS是一款面向58V中压场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用SOP8封装,适配中压小型电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型:N沟道增强型功率MOSFET
2025-12-25 16:27:25
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威兆半导体推出的VS8068AD是一款面向80V中压场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-262封装,适配中压中功率电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型:N沟道增强型功率
2025-12-26 11:50:13
93 
威兆半导体推出的VSP004N10MS-G是一款面向100V中压场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用PDFN5060X封装,适配中压大功率电源管理、DC/DC转换器等领域。一、产品基本信息器件
2025-12-26 11:57:06
115 
威兆半导体推出的VS6880AT是一款面向68V中压场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-220AB封装,适配中压大功率电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型:N沟道增强型功率
2025-12-26 11:58:42
95 
威兆半导体推出的VSF013N10MS3-G是一款面向100V中压场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-220SF封装,适配中压中功率电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型:N
2025-12-29 09:53:44
110 
威兆半导体推出的VST018N10MS是一款面向100V中压大功率场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-220AB封装,适配中压大功率电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型:N
2025-12-29 11:30:14
170 
威兆半导体推出的VSO013N10MS是一款面向100V中压场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用SOP8封装,适配中压小型电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型:N沟道增强型功率
2025-12-29 11:52:16
80 
威兆半导体推出的VSI008N10MS是一款面向100V中压场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-251封装,适配中压中功率电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型:N沟道增强型
2025-12-30 10:55:52
68 
威兆半导体推出的VSP005NE8HS-G是一款面向85V中压场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用PDFN5x6封装,适配中压大功率电源管理、DC/DC转换器等领域。一、产品基本信息器件类型:N
2025-12-30 11:59:27
97 
威兆半导体推出的VSE011N10MS-G是一款面向100V中压场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用PDFN3333封装,适配中压小型高功率密度电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型
2025-12-30 14:58:12
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威兆半导体推出的VSP003N10HS-K是一款面向100V中压场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用PDFN5060X封装,适配中压超大功率电源管理、DC/DC转换器等领域。一、产品基本信息器件
2025-12-30 15:04:38
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威兆半导体推出的VSP007N07MS是一款面向80V中压场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用PDFN5x6封装,适配中压大功率电源管理、DC/DC转换器等领域。一、产品基本信息器件类型:N沟道
2026-01-04 16:26:10
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威兆半导体推出的VS1605ATM是一款面向100V中压场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-220AB封装,适配中压大功率电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型:N沟道增强型
2026-01-04 16:31:56
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