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电子发烧友网>电源/新能源>功率器件>飞兆推出空间节省型封装和可优化电能应用的中压MOSFET

飞兆推出空间节省型封装和可优化电能应用的中压MOSFET

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半导体推出的VS320N10AU是一款面向100V超大电流场景的N沟道增强功率MOSFET,采用TO-247封装,适配大电流DC/DC转换器、电源管理等领域。一、产品基本信息器件类型
2025-12-12 15:26:26172

选型手册:VSE090N10MS N 沟道增强功率 MOSFET 晶体管

半导体推出的VSE090N10MS是一款面向100V压场景的N沟道增强功率MOSFET,采用PDFN3x3封装,适配小型电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型:N沟道增强
2025-12-23 11:22:46175

选型手册:VS6038AD N 沟道增强功率 MOSFET 晶体管

半导体推出的VS6038AD是一款面向60V压场景的N沟道增强功率MOSFET,采用TO-252/TO-251封装,适配功率电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型:N沟道
2025-12-23 11:43:46164

选型手册:VSD090N10MS N 沟道增强功率 MOSFET 晶体管

半导体推出的VSD090N10MS是一款面向100V压场景的N沟道增强功率MOSFET,采用TO-252封装,适配功率电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型:N沟道增强
2025-12-25 16:14:53109

选型手册:VSD011N10MS-G N 沟道增强功率 MOSFET 晶体管

半导体推出的VSD011N10MS-G是一款面向100V压场景的N沟道增强功率MOSFET,采用TO-252封装,适配功率电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型:N沟道
2025-12-25 16:18:26111

选型手册:VS5810AS N 沟道增强功率 MOSFET 晶体管

半导体推出的VS5810AS是一款面向58V压场景的N沟道增强功率MOSFET,采用SOP8封装,适配小型电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型:N沟道增强功率MOSFET
2025-12-25 16:27:25121

选型手册:VS8068AD N 沟道增强功率 MOSFET 晶体管

半导体推出的VS8068AD是一款面向80V压场景的N沟道增强功率MOSFET,采用TO-262封装,适配功率电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型:N沟道增强功率
2025-12-26 11:50:1393

选型手册:VSP004N10MS-G N 沟道增强功率 MOSFET 晶体管

半导体推出的VSP004N10MS-G是一款面向100V压场景的N沟道增强功率MOSFET,采用PDFN5060X封装,适配大功率电源管理、DC/DC转换器等领域。一、产品基本信息器件
2025-12-26 11:57:06115

选型手册:VS6880AT N 沟道增强功率 MOSFET 晶体管

半导体推出的VS6880AT是一款面向68V压场景的N沟道增强功率MOSFET,采用TO-220AB封装,适配大功率电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型:N沟道增强功率
2025-12-26 11:58:4295

选型手册:VSF013N10MS3-G N 沟道增强功率 MOSFET 晶体管

半导体推出的VSF013N10MS3-G是一款面向100V压场景的N沟道增强功率MOSFET,采用TO-220SF封装,适配功率电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型:N
2025-12-29 09:53:44110

选型手册:VST018N10MS N 沟道增强功率 MOSFET 晶体管

半导体推出的VST018N10MS是一款面向100V大功率场景的N沟道增强功率MOSFET,采用TO-220AB封装,适配大功率电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型:N
2025-12-29 11:30:14170

选型手册:VSO013N10MS N 沟道增强功率 MOSFET 晶体管

半导体推出的VSO013N10MS是一款面向100V压场景的N沟道增强功率MOSFET,采用SOP8封装,适配小型电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型:N沟道增强功率
2025-12-29 11:52:1680

选型手册:VSI008N10MS N 沟道增强功率 MOSFET 晶体管

半导体推出的VSI008N10MS是一款面向100V压场景的N沟道增强功率MOSFET,采用TO-251封装,适配功率电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型:N沟道增强
2025-12-30 10:55:5268

选型手册:VSP005NE8HS-G N 沟道增强功率 MOSFET 晶体管

半导体推出的VSP005NE8HS-G是一款面向85V压场景的N沟道增强功率MOSFET,采用PDFN5x6封装,适配大功率电源管理、DC/DC转换器等领域。一、产品基本信息器件类型:N
2025-12-30 11:59:2797

选型手册:VSE011N10MS-G N 沟道增强功率 MOSFET 晶体管

半导体推出的VSE011N10MS-G是一款面向100V压场景的N沟道增强功率MOSFET,采用PDFN3333封装,适配小型高功率密度电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型
2025-12-30 14:58:12102

选型手册:VSP003N10HS-K N 沟道增强功率 MOSFET 晶体管

半导体推出的VSP003N10HS-K是一款面向100V压场景的N沟道增强功率MOSFET,采用PDFN5060X封装,适配超大功率电源管理、DC/DC转换器等领域。一、产品基本信息器件
2025-12-30 15:04:3894

选型手册:VSP007N07MS N 沟道增强功率 MOSFET 晶体管

半导体推出的VSP007N07MS是一款面向80V压场景的N沟道增强功率MOSFET,采用PDFN5x6封装,适配大功率电源管理、DC/DC转换器等领域。一、产品基本信息器件类型:N沟道
2026-01-04 16:26:1070

选型手册:VS1605ATM N 沟道增强功率 MOSFET 晶体管

半导体推出的VS1605ATM是一款面向100V压场景的N沟道增强功率MOSFET,采用TO-220AB封装,适配大功率电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型:N沟道增强
2026-01-04 16:31:5648

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