麦瑞半导体公司（Micrel Inc.）（纳斯达克股票代码：MCRL）今天推出了一款带集成电荷泵的小型高边MOSFET驱动器MIC5019，该器件是为在高边开关应用中开关N沟道增强型MOSFET设计的。
2012-12-13 10:21:14
1496 MOSFET N-CH 25V 40A POWER33
2023-03-28 22:34:35
，可控制电子电路中电子元件的器件。MOSFET是一种以极其低的特性电阻通过控制门电压，来调节传输通道在正反两端的电压，从而传输电子电路的基本晶体管，是由于采用了金属-氧化物-半导体工艺而开发出来的晶体管
2023-03-08 14:13:33
业界领先的半导体器件供应商兆易创新GigaDevice今日宣布，正式推出全国产化24nm工艺节点的4GbSPINANDFlash产品——GD5F4GM5系列。该系列产品实现了从设计研发、生产制造到
2020-11-26 06:29:11
半导体器件与工艺
2012-08-20 08:39:08
半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。
2011-10-23 22:05:11
半导体器件热谱分析方法
2016-04-18 16:38:19
半导体器件物理（胡正明）
2020-09-22 19:57:16
半导体器件相关超级群94046358，欢迎加入！涉及半导体器件及其制造工艺及原料，有兴趣的兄弟姐妹们加入了，500人的大家庭等着你...
2011-05-01 07:57:09
请问半导体分立器件怎么分类？
2011-10-26 10:29:14
摘要 : 导读：ASEMI半导体这个品牌自打建立以来，就一直不间断在研发半导体各类元器件，在半导体的制程和原理上可谓已经是精益求精，今天ASEMI半导体要和大家一起分享的，就是这个半导体的制程导读
2018-11-08 11:10:34
近年来，全球半导体功率器件的制造环节以较快速度向我国转移。目前,我国已经成为全球最重要的半导体功率器件封测基地。如IDM类（吉林华微电子、华润微电子、杭州士兰微电子、比亚迪股份、株洲中车时代半导体
2021-07-12 07:49:57
本人小白，最近公司想上半导体器件的塑封生产线，主要是小型贴片器件封装，例如sot系列。设备也不需要面面俱到，能进行小规模正常生产就行。哪位大神能告知所需设备的信息，以及这些设备的国内外生产厂家，在此先行感谢！
2022-01-22 12:26:47
半导体存储元器件工作原理
2017-02-05 13:25:23
半导体材料半导体的功能分类集成电路的四大类
2021-02-24 07:52:52
请教下以前的[半导体技术天地]哪里去了
2020-08-04 17:03:41
半导体气敏器件相关资料分享
2021-04-01 06:01:54
:DZDN.0.2010-02-044【正文快照】：飞兆半导体(Fairchild Semiconductor)针对现今许多视频产品平台逐步淘汰S-video,以及四通道正在成为标准输出配置之市场趋势,推出支持机顶盒和DVD
2010-04-23 11:26:55
摘要： 本文介绍了飞兆半导体 mWSaver 技术中的一项功能，即 AX-CAP 放电功能，它实现了无负载和轻负载条件下业内最佳的最低功耗，并符合 2013 能源之星和 ErP 规范。 这项创新
2012-11-24 15:24:47
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor)公布截至2011年6月26日为止的 2011 年第二季业绩报告。飞兆半导体报告第二季的销售额为 4.332亿美元，比上季增长5%，较
2011-07-31 08:51:14
飞兆半导体推业界领先的高压栅极驱动器IC
2016-06-22 18:22:01
，飞兆半导体公司开发了下一代TinyBuck调节器系列产品，由集成式POL调节器组成，包含恒定导通时间的PWM控制器，以及带有高端和低端MOSFET的驱动器。 FAN23xx系列可极大地提升终端用户
2018-09-27 10:49:52
为了应对这些挑战，全球领先的高性能功率和便携产品供应商飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 为大、中、小功率范围LED照明应用提供广泛的LED照明解决方案。 飞兆半导体
2011-07-13 08:52:45
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:55 编辑
飞兆半导体公司 （Fairchild Semiconductor） 为光伏逆变器、电机驱动和感应加热应用的设计人员带来同级最佳
2012-12-06 16:16:33
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出两款高集成度模块产品FDMS9600S和FDMS9620S，能够显著减少电路板空间，同时可在同步降压设计中达到较高的转换效率
2018-11-22 15:48:58
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出两款高集成度模块产品FDMS9600S和FDMS9620S，能够显著减少电路板空间，同时可在同步降压设计中达到较高的转换效率
2018-11-26 16:06:31
飞思卡尔半导体飞思卡尔半导体公司正在扩展其 8 位微控制器 (MCU) 系列，新推出的器件是要求低功率操作和高级显示功能的个人诊断和便携式医疗产品的理想之选。作为其液晶显示器 (LCD) S
2019-07-26 06:56:09
为了满足家电及其他电器产品对于低功耗微控制器不断增长的需求，飞思卡尔半导体公司又进一步扩大其广受欢迎的低端8位HCS08微控制器(MCU)系列，推出高性能的MC9S08SV16/8
2019-07-18 08:18:56
为了帮助解决引发温室效应及全球变暖的汽车排放问题，飞思卡尔半导体现已在32位汽车微控制器（MCU）系列中引入集成的排放控制技术。与飞思卡尔其它动力总成微控制器类似，这些MCU帮助减少二氧化碳废气，为新兴市场提供经济高效且精密的引擎控制设计。
2019-06-26 06:01:27
飞思卡尔半导体三款新MCU服务电表和流量计量飞思卡尔半导体日前推出针对电表和流量计量的三个高级微控制器 (MCU) 解决方案，同时还推出了综合智能表参考设计解决方案。飞思卡尔微控制器让智能表的设计具有篡改检测机制和实时使用情况监控功能，为客户提供安全性更高的智能表产品。
2019-07-18 07:03:35
DCT1401半导体分立器件静态参数测试系统西安天光测控DCT1401半导体分立器件静态参数测试系统能测试很多电子元器件的静态直流参数（如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs
2022-02-17 07:44:04
员所需要的。飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor简称FAI)推出的FDMC8010 30V Power 33 MOSFET（尺寸3.3mm x 3.3mm 外形PQFN）此款
2012-04-28 10:21:32
材料。与目前绝大多数的半导体材料相比，GaN 具有独特的优势：禁带更宽、饱和漂移速度更大、临界击穿电场和热导率更高，使其成为最令人瞩目的新型半导体材料之一。目前，GaN 基发光器件的研究已取得了很大
2019-06-25 07:41:00
RD-400，参考设计支持将FAN3111C器件纳入用于工业照明应用的离线100W CCCV LED电源的设计中。 RD-400参考设计利用多种先进的飞兆半导体技术，提供完整的LED驱动器解决方案
2019-09-27 08:47:28
RD-400，参考设计支持将FAN7346器件纳入用于工业照明应用的离线100W CCCV LED电源的设计中。 RD-400参考设计利用多种先进的飞兆半导体技术，提供完整的LED驱动器解决方案
2019-09-29 10:05:34
RD-400，参考设计支持将FAN7382器件纳入用于工业照明应用的离线100W CCCV LED电源的设计中。 RD-400参考设计利用多种先进的飞兆半导体技术，提供完整的LED驱动器解决方案
2019-09-29 06:34:48
RD-400，参考设计支持将FSL138MRT器件纳入用于工业照明应用的离线100W CCCV LED电源的设计中。 RD-400参考设计利用多种先进的飞兆半导体技术，提供完整的LED驱动器解决方案
2019-09-27 08:41:49
，该公司还将其大功率GaAs PHEMT器件的工作频率扩展到6GHz，可用于WiMAX放大器。最近，飞思卡尔半导体宣布推出第一款具有100W输出功率的两级射频集成电路(RF IC)。当由该公司高性价比
2019-07-09 08:17:05
经历了：全盛于六七十年代的传统晶闸管、近二十年发展起来的功率MOSFET及其相关器件，以及由前两类器件发展起来的特大功率半导体器件，它们分别代表了不同时期功率半导体器件的技术发展进程。概括来说，功率
2019-02-26 17:04:37
和模型 产品应用 先进半导体工艺开发 PDK/SPICE模型库开发 SPICE模型验证和定制 技术指标 支持器件类型：MOSFET， SOI， FinFET， BJT/HBT， TFT
2020-07-01 09:36:55
、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。 第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关
2021-05-25 08:01:53
1，半导体基础2，PN节二极管3，BJT和其他结型器件4，场效应器件
2020-11-27 10:09:56
元件来适应略微增加的开关频率，但由于无功能量循环而增加传导损耗［2］。因此，开关模式电源一直是向更高效率和高功率密度设计演进的关键驱动力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半导体器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
所在各类半导体功率器件中，未来增长强劲的产品将是 MOSFET 与 IGBT 模块。目前，全球功率半导体市场仍由欧美日企业主导，其中英飞凌以 19%的市占率占据绝对领先地位。全球功率半导体前十名供应商
2022-11-11 11:50:23
功率半导体器件应用手册功率半导体器件应用手册——弯脚及焊接应注意的问题本文将向您介绍大家最关心的有关TSE功率半导体器件封装的两个问题：一、 怎样弯脚才能不影响器件的可靠性？二、 怎样确保焊接
2008-08-12 08:46:34
功率半导体器件以功率金属氧化物半导体场效应晶体管(功率MOSFET，常简写为功率MOS)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)以及功率集成电路(power IC，常简写为PIC)为主。
2020-04-07 09:00:54
根据不同的诱因，常见的对半导体器件的静态损坏可分为人体，机器设备和半导体器件这三种。
当静电与设备导线的主体接触时，设备由于放电而发生充电，设备接地，放电电流将立即流过电路，导致静电击穿。外部物体
2023-12-12 17:18:54
快速增长的电动汽车市场，安森美半导体推出了许多IGBT、低中高压MOSFET、高压整流器、汽车模块和数字隔离栅极驱动器以及一个用于48V系统的80 V 和100V MOSFET。最新增加到汽车电源
2018-10-25 08:53:48
1.常用半导体器件型号命名的国家标准常用半导体器件的型号命名由五个部分组成，第一部分用数字表示电极的数目；第二部分用汉语拼音字母表示器件的材料和极性；第三部分表示器件的类别；第四部分表示器件的序号
2017-11-06 14:03:02
半导体元器件是用半导体材料制成的电子元器件，随着电子技术的飞速发展，各种新型半导体元器件层出不穷。半导体元器件是组成各种电子电路的核心元件，学习电子技术必须首先了解半导体元器件的基本结构和工作原理
2008-05-24 10:29:38
常用的功率半导体器件有哪些？
2021-11-02 07:13:30
电路板空间、降低功耗，以及实现出色的温度特性和提高终端系统的可靠性。 除了 FAN7710外，飞兆半导体还针对线性荧光灯 (LFL) 设计和CFL应用推出FAN7711 器件。除了两个高功率MOSFET外
2018-08-28 15:28:41
“通过创新，电子系统将使汽车可以自动操作，使其更加安全、舒适和高效”。飞思卡尔半导体汽车及标准产品部亚太地区市场总监Allen Kwang高度评价汽车电子的创新意义。而汽车电子创新显然与动力、底盘、安全、车身、信息娱乐系统发展趋势息息相关。
2019-07-24 07:26:11
的应用提供了坚实的基础。目前，随着ALD(原子层淀积)技术的逐渐成熟，化合物半导体HMET结构以及MOSFET结构的器件质量以及可靠性得到了极大的提升，进一步提高了化合物半导体材料在高频高压应用领域
2019-06-13 04:20:24
Fairchild超快二极管回收Fairchild可控硅回收FairchildMOSFET回收FairchildMOS管回收Fairchild功率MOSFET回收飞兆电力半导体收购飞兆功率晶体管收购飞兆功率
2020-11-02 16:58:26
电力半导体器件的分类
2019-09-19 09:01:01
电子器件两个名词几乎是同义词，功率MOSFET的出现逐步改变了对功率半导体的传统理解。原有的电力电子器件，基本上是一种服务于电力、大电机传动和工业应用的器件。用电力来称谓功率以后，使从事电力电子技术的人
2009-12-11 15:47:08
由于碳化硅具有不可比拟的优良性能，碳化硅是宽禁带半导体材料的一种，主要特点是高热导率、高饱和以及电子漂移速率和高击场强等，因此被应用于各种半导体材料当中，碳化硅器件主要包括功率二极管和功率开关管
2020-06-28 17:30:27
的一种最具有优势的半导体材料.并且具有远大于Si材料的功率器件品质因子。SiC功率器件的研发始于20世纪90年代.目前已成为新型功率半导体器件研究开发的主流。2004年SiC功率MOSFET不仅在高
2017-06-16 10:37:22
Fairchild功率MOSFET、回收飞兆电力半导体收购飞兆功率晶体管 收购飞兆功率模块 、收购飞兆IGBT模块、飞收购兆IGBT单管收购飞兆二极管 收购飞兆快恢复二极管 收购 飞兆超快二极管、收购
2020-10-16 16:18:12
服务范围MOSFET、IGBT、DIODE、BJT，第三代半导体器件等分立器件，以及上述元件构成的功率模块。检测标准l AEC-Q101分立器件认证l MIL-STD-750
2024-01-29 22:00:42
功率半导体器件鸟瞰
当代功率半导体器件大致可以分成三类：一是传统的各类晶闸管；二是近二十年来发展起来的功率MOSFET
2009-07-09 11:37:211672 
FDZ197PZ 飞兆半导体推出单一P沟道MOSFET器件
飞兆半导体公司 (Farichild Semiconductor)为智能电话、手机、上网本、医疗和其它便携式应用的设计人员带来
2009-08-04 08:15:47604 安森美半导体推出12款新N沟道功率MOSFET系列
经过100%雪崩测试的MOSFET提供业界领先的雪崩额定值，能承受电源和电机控制应用中的大电压尖峰
2010年2月2日 – 应用
2010-02-03 10:13:151095 安森美半导体推出高压MOSFET系列
应用于绿色电子产品的首要高性能、高能
2010-02-23 10:06:56831 半导体器件,半导体器件的种类
半导体器件从肯有2个管脚的二极管到最新的系统LSI、超大功率器件均有广泛的研究，且被广泛地运用于手机、数码家电产品
2010-03-01 17:25:025985 飞兆半导体高效率紧凑电源解决方案MOSFET器件
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出具高效率和出色热性能，并有助实现更薄、更轻和更紧凑的电源解决方
2010-03-03 10:50:39633 飞兆半导体推出N沟道MOSFET器件可延长电池寿命
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)因应手机、便携医疗设备和媒体播放器等便携应用设备的设计和元件工
2010-03-20 08:51:551143 茂钿半导体新一代MOSFET介绍
茂钿半导体新一代MOSFET应用于直接式和边缘式 LED背光驱动模块,已被多家大型LED TV背光模块企业采用，推出这些瞄准 LED 背光电视市场的新产
2010-04-09 09:18:411263 飞兆半导体推出了导通电阻RDS(ON)小于1mΩ的30V MOSFET，这款全新飞兆半导体器件FDMS7650是最大RDS(ON)值为0.99mΩ (VGS = 10 V, ID = 36A)的N沟道器件，它是业界采用5×6mm POWER56封装且RDS(ON)
2010-12-29 09:09:391534 飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)开发出N沟道PowerTrench MOSFET器件FDMS86500L，该器件经专门设计以最大限度地减小传导损耗和开关节点振铃，并提升DC-DC转换器的整体效率
2011-05-18 09:09:07704 深圳市拓锋半导体科技有限公司专业研发、生产、销售半导体分立器件，产品包括BJT、MOSFET、LDO、二极管、三端稳压器等。拓锋半导体没有自己的生产设备，依靠自己的技术和产业
2012-04-13 11:26:05882 推动高能效创新的安森美半导体（ON Semiconductor）推出新系列的6款N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），它们经过设计及优化，提供领先业界能效，优于市场现有器件。
2014-05-21 11:36:44909 除了IGBT外，功率半导体元器件（晶体管领域）的代表产品还有MOSFET、BIPOLAR等，它们主要被用作半导体开关。
2021-05-24 06:07:0013964 
著名的电源半导体技术公司深圳市锐骏半导体有限公司最新推出一款MOS封装新工艺。这款TO220-S封装广泛的适用于MOSFET、高压整流器及肖特基等功率器件。
2022-03-12 17:57:131195 基础半导体元器件领域的高产能生产专家Nexperia(安世半导体)今日宣布MOSFET器件推出全新增强型电热模型。半导体制造商通常会为MOSFET提供仿真模型，但一般仅限于在典型工作温度下建模的少量器件参数。Nexperia的全新先进模型可捕获-55℃至175℃的整个工作温度范围的一系列完整器件参数。
2022-09-21 00:08:34704 显然特斯拉用的是意法半导体2018年的第二代SiC MOSFET产品，第四代产品目前还没有推出。沟槽型是发展方向，但意法半导体要到2025年才开始推出。
2023-03-14 11:22:391450 功率半导体包括功率半导体分立器件（含模块）以及功率 IC 等。其中，功率半导体分立器件，按照器件结构划分，可分为二极管、晶闸管和晶体管等。
2023-07-26 09:31:035068 
SiC器件是一种新型的硅基MOSFET，特别是SiC功率器件具有更高的开关速度和更宽的输出频率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN结组成。
在众多的半导体器件中，碳化硅材料具有低热导率、高击穿
2023-09-26 16:42:29342 
基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia（安世半导体）近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并发布两款采用 3 引脚 TO-247 封装的 1200 V 分立器件，RDS(on) 分别为 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:50413 ，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半导体SiC MOSFET产品组合中首批发布的产品，随后安世半导体将持续扩大产品阵容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封装和表面贴装封装供选择。
2023-12-05 10:33:32177
电子发烧友App
工商网监
评论