选型手册：VSP005NE8HS-G N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

威兆半导体推出的VSP005NE8HS-G是一款面向 85V 中压场景的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 PDFN5x6 封装，适配中压大功率电源管理、DC/DC 转换器等领域。

一、产品基本信息

• 器件类型：N 沟道增强型功率 MOSFET
• 核心参数：
  • 漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：85V，适配中压供电场景；
  • 导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)时 8.5mΩ，中压场景下传导损耗低；
  • 连续漏极电流（\(V_{GS}=10V\)，栅极限制）：\(T=25^\circ\text{C}\)时 78A、\(T=100^\circ\text{C}\)时 49A，承载能力极强；
  • 脉冲漏极电流（\(I_{DM}\)）：312A（\(T=25^\circ\text{C}\)），可应对瞬时超大电流冲击。

二、核心特性

• VeriMOS® II 技术：兼顾低导通电阻与快速开关特性，搭配优化的栅极设计，大幅降低开关损耗；
• 高可靠性：通过 100% 雪崩测试、100% 栅极电阻测试，单脉冲雪崩能量达 530mJ，抗冲击能力极强；
• 高功率密度：PDFN5x6 封装适配高集成度电路设计，散热性能优异；
• 环保合规：满足无卤及 RoHS 标准，适配绿色电子制造。

三、关键电气参数（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊说明）

参数	符号	数值（Rating）	单位
漏源极击穿电压	\(V_{DSS}\)	85	V
栅源极电压	\(V_{GS}\)	±20	V
二极管连续正向电流	\(I_S\)	50	A
连续漏极电流（\(V_{GS}=10V\)，栅极限制）	\(I_D\)	\(T=25^\circ\text{C}\): 78；\(T=100^\circ\text{C}\): 49	A
脉冲漏极电流	\(I_{DM}\)	312	A
单脉冲雪崩能量	\(E_{AS}\)	530	mJ
最大功耗	\(P_D\)	\(T=25^\circ\text{C}\): 68；\(T=100^\circ\text{C}\): 26	W
工作 / 存储温度范围	\(T_J、T_{STG}\)	-55~+150	℃

四、封装与应用场景

• 封装形式：PDFN5x6 表面贴装封装，包装规格为 3000pcs / 卷；
• 典型应用：
  • 85V 级中压大功率 DC/DC 转换器；
  • 储能系统、工业设备的中压超大电流负载开关；
  • 高功率电源管理系统的核心功率开关。

五、信息来源

威兆半导体官方产品手册（注：以上参数基于手册标注整理，实际以最新版手册为准。）