芯塔电子SiC MOSFET通过车规级认证， 成功进入新能源汽车供应链！

近日，芯塔电子自主研发的1200V/80mΩTO-263-7封装 SiC MOSFET器件成功获得第三方权威检测机构（广电计量）全套AEC-Q101车规级可靠性认证。包括之前通过测试认证的650V/20A TO-252-3封装 SiC SBD产品在内，芯塔电子已有两款核心产品通过此项认证。本次认证成功通过，为芯塔电子拓展新能源车用市场奠定了坚实基础。目前，芯塔电子1200V/80mΩ SiC MOSFET在头部OBC企业通过测试，已进入批量导入阶段。

 

芯塔电子1200V/80mΩ SiC MOSFET车规级认证证书

 
AEC-Q作为国际通用的车规级电子元器件测试规范，目前已成为车用元器件质量与可靠性的标志，更是打开车载供应链的敲门砖和试金石。试验项目包含如高温反偏、温度循环、高压蒸煮、高加速应力、高温高湿反偏等18项测试，每项都是针对车用分立器件可能遭遇的环境来设计，用于验证电子元器件能否满足各种严苛的应用条件、能否经受住长期的高能量冲击和高频率开关。

芯塔电子1200V/80mΩTO-263-7封装器件及晶圆
 

随着新能源汽车800V高压平台的大规模上车，SiC器件凭借其自身性能优势进入了黄金赛道。芯塔电子针对新能源汽车车用场景推出了系列SiC应用方案，助力新能源车企实现超级快充、降低系统成本、增加续航里程以及实现轻量化等。
 

 
 图一 基于Si MOSFET的6.6kw OBC拓扑

 
图1为基于Si MOSFET器件的6.6KW传统电路拓扑，前一级DC/DC为两个BOOST PFC 交错并联，后面一级DC/DC为 LLC。图2为基于SiC MOSFET方案的电路拓扑。前一级DC/DC为单个单相Totem Pole PFC，后一级DC/DC为LLC。
 

图二 基于SiC MOSFET的6.6kw OBC拓扑
 

对应前一级的PFC电路，如果使用Si器件，开关损耗高、功率器件温度高，因此单个单向PFC电路功率有限，需要两路PFC 交错并联来扩展功率。在后一级LLC电路中，如果使用低压Si MOSFET作为同步整流，无法支持高电池电压（1000V）充电，而使用1200V SiC MOSFET则可以支持高压电池充电。另外，SiC MOSFET体二极管反向恢复损耗远低于Si MOSFET, 非常适合用于V2G功能的OBC。不仅如此，SiC MOSFET使用还有助于提高OBC效率和功率密度。
 
本次认证充分体现了芯塔电子碳化硅系列产品在可靠性方面的优异表现，使得芯塔电子成为国内极少数多款碳化硅功率器件产品取得车规级认证的厂商之一，为下游车企及T1客户选择提供了权威参考，同时也标志着芯塔电子已迈入国内领先的碳化硅器件及应用方案品牌供应商行列。未来,芯塔电子将持续聚焦可再生能源、工业应用和新能源汽车领域，以高性能、高可靠性的产品和创新应用方案，持续为客户创造价值。