onsemi数字晶体管系列：MUN2113等型号深度解析

在电子设计领域，晶体管是不可或缺的基础元件。onsemi推出的MUN2113、MMUN2113L、MUN5113、DTA144EE、DTA144EM3、NSBA144EF3等数字晶体管系列，凭借其独特的设计和优异的性能，在众多应用场景中展现出强大的竞争力。下面我们就来详细了解一下这些数字晶体管。

文件下载：DTA144E-D.PDF

产品概述

这一系列数字晶体管属于带有单片偏置电阻网络的PNP晶体管，旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。其核心优势在于将单个晶体管与由两个电阻（串联基极电阻和基极 - 发射极电阻）组成的单片偏置网络集成在一起，形成了偏置电阻晶体管（BRT）。这种集成设计不仅简化了电路设计，还减少了电路板空间和元件数量，从而降低了系统成本。

产品特性

设计与空间优势

• 简化电路设计：BRT将偏置电阻集成到晶体管中，工程师无需再单独设计和布局外部电阻，大大简化了电路设计过程，提高了设计效率。
• 减少电路板空间：集成化设计减少了元件数量，从而减少了电路板上的占用空间，有助于实现更紧凑的产品设计。
• 降低元件数量：减少了外部电阻的使用，降低了元件成本和潜在的故障点，提高了系统的可靠性。

应用与环保特性

• 汽车及特殊应用适用：S和NSV前缀适用于汽车和其他有独特场地和控制变更要求的应用，并且符合AEC - Q101标准，具备PPAP能力。
• 环保合规：这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准，满足环保要求。

关键参数

最大额定值

在 (T_{A}=25^{circ} C) 的条件下，这些晶体管有以下最大额定值：	额定参数	符号	最大值	单位
集电极 - 基极电压	(V_{CBO})	50	(V_{dc})
集电极 - 发射极电压	(V_{CEO})	50	(V_{dc})
集电极连续电流	(I_{C})	100	(mA_{dc})
输入正向电压	(V_{IN(fwd)})	40	(V_{dc})
输入反向电压	(V_{IN(rev)})	10	(V_{dc})

需要注意的是，超过最大额定值可能会损坏器件，影响其功能和可靠性。

热特性

不同封装的晶体管具有不同的热特性，以下是部分封装的热特性参数：	封装类型	总器件功耗 (T_{A}=25^{circ} C)	高于 (25^{circ} C) 时的降额	热阻（结到环境）	热阻（结到引脚）	结和存储温度范围
SC - 59（MUN2113）	230 mW	1.8 mW/°C	540 °C/W	264 °C/W	-55 至 +150 °C
SOT - 23（MMUN2113L）	-	-	-	-	-
SC - 70/SOT - 323（MUN5113）	310 mW	-	332 °C/W	-	-
SC - 75（DTA144EE）	-	-	-	-	-
SOT - 723（DTA144EM3）	-	2.0 mW/°C	-	-	-
SOT - 1123（NSBA144EF3）	254 mW	2.0 mW/°C	493 °C/W	193 °C/W	-55 至 +150 °C

电气特性

在 (T_{A}=25^{circ} C) 的条件下，电气特性如下：	特性	最小值	最大值	单位
集电极 - 发射极截止电流 ((V{CE}=50V, I{B}=0))	-	-	-
基极电流 (I_{BO})	-	0.1	(mA_{dc})
集电极 - 基极击穿电压 (V_{(BR)CBO})	-	-	(V_{dc})
集电极 - 发射极击穿电压 (V_{(BR)CEO})	50	-	(V_{dc})
导通特性（如 (V{CE}=5.0 V, I{C}=100 mu A) 时）	0.8	1.2	(V_{dc})
输入电压（导通） ((V{CE}=0.3 V, I{C}=2.0 mA))	-	-	-
输入电阻 (R_{1})	32.9	-	-

典型特性

文档中还给出了这些晶体管的典型特性曲线，包括 (V{CE(sat)}) 与 (I{C}) 的关系、直流电流增益、输出电容、输出电流与输入电压的关系以及输入电压与输出电流的关系等。这些典型特性曲线对于工程师在实际应用中评估晶体管的性能和进行电路设计具有重要的参考价值。

订购信息

不同型号的晶体管有不同的封装和包装形式，以下是部分型号的订购信息：	器件型号	标记	封装	包装数量
MUN2113T1G, SMUN2113T1G*	6C	SC - 59（Pb - Free）	3000 / 卷带
MMUN2113LT1G, SMMUN2113LT1G*	A6C	SOT - 23（Pb - Free）	3000 / 卷带
MMUN2113LT3G	A6C	SOT - 23（Pb - Free）	10000 / 卷带
DTA144EET1G, NSVDTA144EET1G*	6C	SC - 75（Pb - Free）	3000 / 卷带
NSVMMUN2113LT3G	A6C	SOT - 23（Pb - Free）	10000 / 卷带
MUN5113T1G, SMUN5113T1G*	6C	SC - 70/SOT - 323（Pb - Free）	3000 / 卷带
MUN5113T3G	6C	SC - 70/SOT - 323（Pb - Free）	10000 / 卷带
DTA144EM3T5G	6C	SOT - 723（Pb - Free）	8000 / 卷带
NSBA144EF3T5G	E	SOT - 1123（Pb - Free）	8000 / 卷带

需要注意的是，部分器件已停产，具体信息可参考文档第2页的表格。

机械尺寸与封装

文档还提供了不同封装的机械尺寸和封装信息，包括SOT - 23、SC - 59、SC - 70、SC75 - 3、SOT - 1123、SOT - 723等封装的详细尺寸和引脚定义。这些信息对于电路板布局和焊接非常重要，工程师在设计时需要根据实际情况选择合适的封装。

总结

onsemi的MUN2113等数字晶体管系列凭借其集成化设计、优异的性能和环保特性，为电子工程师提供了一种高效、可靠的解决方案。在实际应用中，工程师可以根据具体需求选择合适的型号和封装，同时要注意最大额定值和热特性等参数，以确保晶体管的正常工作和系统的稳定性。你在使用这些晶体管的过程中遇到过哪些问题呢？欢迎在评论区分享你的经验和见解。