探索 onsemi FFSM1065A:SiC 肖特基二极管的卓越性能
在电子工程领域,功率半导体器件的性能直接影响着电子系统的效率、可靠性和成本。今天,我们将深入探讨 onsemi 的 FFSM1065A 碳化硅(SiC)肖特基二极管,了解其特点、性能参数以及应用场景。
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1. 产品概述
FFSM1065A 是 onsemi 推出的一款 10A、650V 的碳化硅肖特基二极管,采用了全新的技术,与传统的硅二极管相比,具有卓越的开关性能和更高的可靠性。碳化硅肖特基二极管的出现,为下一代功率半导体技术奠定了基础,能够为系统带来更高的效率、更快的工作频率、更高的功率密度、更低的电磁干扰(EMI)以及更小的系统尺寸和成本。
2. 产品特点
2.1 高温性能
该二极管的最大结温可达 175°C,能够在高温环境下稳定工作,适用于各种恶劣的工业和汽车应用场景。
2.2 雪崩额定能量
具有 47mJ 的雪崩额定能量,能够承受高能量的冲击,提高了系统的可靠性。
2.3 高浪涌电流能力
具备高浪涌电流容量,能够应对瞬间的大电流冲击,保护系统免受损坏。
2.4 正温度系数
正温度系数使得二极管在并联使用时更加稳定,易于实现多个二极管的并联连接,提高系统的功率处理能力。
2.5 无反向恢复和正向恢复
无反向恢复电流和正向恢复现象,减少了开关损耗,提高了系统的效率。
2.6 环保特性
该器件符合 RoHS 标准,无铅、无卤、无溴化阻燃剂(BFR),符合环保要求。
3. 应用场景
FFSM1065A 适用于多种应用场景,包括:
- 通用电源:如开关模式电源(SMPS),能够提高电源的效率和功率密度。
- 太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,能够提高逆变器的效率和可靠性。
- 不间断电源(UPS):为 UPS 系统提供高效的功率转换。
- 功率开关电路:在各种功率开关电路中,能够实现快速的开关动作,减少开关损耗。
4. 性能参数
4.1 绝对最大额定值
| 符号 | 参数 | 值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| VRRM | 重复峰值反向电压 | 650 | V |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 47 | mJ |
| IF | 连续整流正向电流($T_{C}<140^{circ}C$) | 10 | A |
| IF | 连续整流正向电流($T_{C}<135^{circ}C$) | 11 | A |
| IF,Max | 非重复峰值正向浪涌电流($T_{C}=25^{circ}C,10mu s$) | 600 | A |
| IF,Max | 非重复峰值正向浪涌电流($T_{C}=150^{circ}C,10mu s$) | 580 | A |
| IF,SM | 非重复正向浪涌电流(半正弦脉冲,$t_{p}=8.3 ms$) | 56 | A |
| IF,RM | 重复正向浪涌电流(半正弦脉冲,$t_{p}=8.3 ms$) | 28 | A |
| PD | 功率耗散($T_{C}=25^{circ}C$) | 71 | W |
| PD | 功率耗散($T_{C}=150^{circ}C$) | 12 | W |
| TJ, TSTG | 工作和储存温度范围 | -55 至 +175 | °C |
4.2 热特性
| 符号 | 参数 | 值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| RθJC | 结到壳的热阻(最大) | 2.1 | °C/W |
4.3 电气特性
| 符号 | 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| VF | 正向电压($I{F}=10 A, T{C}=25^{circ}C$) | 1.50 | 1.75 | V | ||
| VF | 正向电压($I{F}=10 A, T{C}=125^{circ}C$) | 1.6 | 2.0 | V | ||
| VF | 正向电压($I{F}=10 A, T{C}=175^{circ}C$) | 1.72 | 2.4 | V | ||
| IR | 反向电流($V{R}=650 V, T{C}=25^{circ}C$) | 200 | μA | |||
| IR | 反向电流($V{R}=650 V, T{C}=125^{circ}C$) | 400 | μA | |||
| IR | 反向电流($V{R}=650 V, T{C}=175^{circ}C$) | 600 | μA | |||
| Qc | 总电容电荷($V = 400 V$) | 34 | nC | |||
| C | 总电容($V_{R}=1 V, f = 100 kHz$) | 575 | pF | |||
| C | 总电容($V_{R}=200 V, f = 100 kHz$) | 62 | pF | |||
| C | 总电容($V_{R}=400 V, f = 100 kHz$) | 47 | pF |
5. 封装和订购信息
FFSM1065A 采用 PQFN 8x8, 2P(Power88)封装,无卤设计,每盘 3000 个。对于胶带和卷轴规格的详细信息,可参考 Tape and Reel Packaging Specifications Brochure, BRD8011/D。
6. 总结
FFSM1065A 碳化硅肖特基二极管凭借其卓越的性能和特点,为电子工程师提供了一种高效、可靠的功率半导体解决方案。在设计电源、逆变器和功率开关电路时,考虑使用这款二极管能够显著提高系统的性能和可靠性。各位工程师在实际应用中,不妨尝试使用这款产品,体验其带来的优势。同时,在使用过程中,也需要根据具体的应用场景和要求,对器件的性能进行充分的评估和验证。你在实际项目中是否使用过类似的碳化硅肖特基二极管呢?遇到过哪些问题和挑战?欢迎在评论区分享你的经验和见解。
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