onsemi FFSM0865B碳化硅肖特基二极管：新一代功率半导体的卓越之选

在功率半导体领域，碳化硅（SiC）技术正凭借其卓越的性能逐渐崭露头角。今天，我们就来深入了解一下安森美（onsemi）推出的FFSM0865B碳化硅肖特基二极管，看看它究竟有哪些独特的魅力。

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碳化硅技术优势

碳化硅肖特基二极管采用了全新的技术，与传统的硅基二极管相比，具有显著的优势。它没有反向恢复电流，开关特性不受温度影响，并且具备出色的热性能，这些特点使得碳化硅成为下一代功率半导体的理想选择。从系统层面来看，使用碳化硅肖特基二极管可以实现更高的效率、更快的工作频率、更高的功率密度、更低的电磁干扰（EMI），同时还能减小系统的尺寸和成本。

FFSM0865B的特性亮点

温度与雪崩特性

• 高结温：FFSM0865B的最大结温可达175°C，这使得它能够在较为恶劣的环境下稳定工作。
• 雪崩额定能量：具有33 mJ的雪崩额定能量，能够承受一定的能量冲击，提高了器件的可靠性。

电流与温度特性

• 高浪涌电流能力：具备高浪涌电流容量，能够应对瞬间的大电流冲击。
• 正温度系数：正温度系数使得该二极管在并联使用时更加容易，并且能够自动平衡电流，提高了系统的稳定性。

开关特性

• 无反向恢复和正向恢复：这一特性使得二极管在开关过程中能够减少能量损耗，提高效率。

环保特性

该器件是无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR）的，并且符合RoHS标准，体现了环保理念。

应用领域广泛

FFSM0865B适用于多种应用场景，包括通用目的、开关电源（SMPS）、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）以及功率开关电路等。在这些应用中，它能够充分发挥其高性能的优势，为系统提供可靠的支持。

关键参数解析

最大额定值

参数	符号	值	单位
重复峰值反向电压	VRRM	650	V
单脉冲雪崩能量	EAS	33	mJ
连续整流正向电流（TC < 153°C）	IF	8.0	A
连续整流正向电流（TC < 135°C）	IF	11.6	A
非重复峰值正向浪涌电流（tP = 10 s，TC = 25°C）	IFM	490	A
非重复正向浪涌电流（半正弦脉冲，tP = 8.3 ms，TC = 25°C）	IFSM	42	A
功率耗散（TC = 25°C）	Ptot	91	W
功率耗散（TC = 150°C）	Ptot	15	W
工作结温和存储温度范围	TJ, Tstg	-55 to +175	°C

需要注意的是，超过最大额定值可能会损坏器件，影响其功能和可靠性。

电气特性

符号	参数	测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
VF	正向电压	IF = 8.0 A, TJ = 25°C	1.39	-	1.55	V
VF	正向电压	IF = 8.0 A, TJ = 125°C	-	1.7	-	V
VF	正向电压	IF = 8.0 A, TJ = 150°C	-	1.67	-	V
IR	反向电流	VR = 650 V, TJ = 25°C	0.5	-	-	μA
IR	反向电流	VR = 650 V, TJ = 125°C	1.0	-	40	μA
IR	反向电流	VR = 650 V, TJ = 175°C	2.0	-	80	μA
Q	总电容电荷	VC = 400 V	-	22	-	nC
Ctot	总电容	VR = 1 V, f = 100 kHz	-	336	-	pF
Ctot	总电容	VR = 200 V, f = 100 kHz	-	39	-	pF
Ctot	总电容	VR = 400 V, f = 100 kHz	-	30	-	pF

这些电气特性是在特定测试条件下得出的，实际应用中，如果工作条件不同，产品性能可能会有所差异。

封装与订购信息

FFSM0865B采用PQFN4 8X8, 2P (Power88)封装，并且是无卤素的。包装方式为卷带包装，每卷包含3000个器件。如果你需要了解卷带规格的详细信息，可以参考安森美的卷带包装规格手册BRD8011/D。

总结

安森美FFSM0865B碳化硅肖特基二极管凭借其先进的碳化硅技术、出色的特性和广泛的应用领域，为电子工程师在功率半导体设计中提供了一个优秀的选择。在实际应用中，我们需要根据具体的需求和工作条件，合理选择和使用该器件，以充分发挥其性能优势。你在使用碳化硅肖特基二极管时遇到过哪些问题呢？欢迎在评论区分享你的经验和见解。