探索 onsemi NTUD3170NZ 双 N 沟道小信号 MOSFET 的卓越性能

在电子设计领域，对于高性能、小尺寸的 MOSFET 需求日益增长。今天，我们就来深入了解 onsemi 推出的 NTUD3170NZ 双 N 沟道小信号 MOSFET，看看它在实际应用中能带来怎样的惊喜。

文件下载：NTUD3170NZ-D.PDF

产品概述

NTUD3170NZ 是一款双 N 沟道 MOSFET，采用超小型 1.0 x 1.0 mm SOT - 963 封装，具备 20 V、220 mA 的规格。它不仅提供了低导通电阻（RDS(ON)）的解决方案，还拥有 1.5 V 的栅极电压额定值，超薄外形（<0.5 mm）使其能轻松适配如便携式电子设备等超薄环境，并且符合无铅标准。

产品特性亮点

低导通电阻

该 MOSFET 提供了低 RDS(ON) 解决方案，不同栅极电压下的导通电阻表现如下：

• 在 (V{GS}=4.5 V)，(I{D}=100 mA) 时，RDS(ON) 典型值为 0.75 Ω，最大值为 1.5 Ω。
• (V{GS}=2.5 V)，(I{D}=50 mA) 时，典型值为 1.0 Ω，最大值为 2.0 Ω。
• (V{GS}=1.8 V)，(I{D}=20 mA) 时，典型值为 1.4 Ω，最大值为 3.0 Ω。
• (V{GS}=1.5 V)，(I{D}=10 mA) 时，典型值为 1.8 Ω，最大值为 4.5 Ω。 低导通电阻意味着在导通状态下功耗更低，能有效提高电路效率，减少发热，这对于对功耗敏感的便携式设备尤为重要。

超薄外形

其超薄外形（<0.5 mm）设计，使得它可以轻松集成到超薄的电子设备中，满足了现代便携式电子产品对轻薄化的需求。大家可以思考一下，在设计诸如智能手表、无线耳机等超薄设备时，这种超薄 MOSFET 是不是能为产品的小型化带来很大的便利呢？

低电压驱动

具有 1.5 V 栅极电压额定值，可在较低电压下工作，这对于采用电池供电的便携式设备来说，能够有效降低功耗，延长电池续航时间。

主要应用场景

通用接口开关

适用于各种通用接口的开关应用，能够实现信号的快速切换和控制，确保电子设备之间的稳定通信。

超便携式设备电源管理

针对超便携式设备的电源管理进行了优化，可有效控制电源的导通和断开，提高电源利用效率，延长设备的使用时间。

模拟开关

在模拟电路中可作为模拟开关使用，实现模拟信号的切换和处理，保证信号的质量和稳定性。

产品参数解读

最大额定值

参数	符号	值	单位
漏源电压	(V_{DSS})	20	V
栅源电压	(V_{GS})	±8	V
连续漏极电流（(T_{A}=25^{circ} C) 稳态）	(I_{D})	220	mA
连续漏极电流（(T_{A}=85^{circ} C) 稳态）	(I_{D})	160	mA
脉冲漏极电流（(t_{p}=10 s)）	(I_{DM})	800	mA
功率耗散（(T_{A}=25^{circ} C) 稳态）	(P_{D})	125	mW
功率耗散（(t = 5 s)）	(P_{D})	200	mW
工作结温和储存温度	(T{J})，(T{STG})	-55 至 150	°C
源极电流（体二极管）	(I_{S})	200	mA
焊接用引脚温度（距外壳 1/8” 处 10 s）	(T_{L})	260	°C

这些最大额定值限定了 MOSFET 的使用范围，在设计电路时，我们必须确保各个参数不超过这些额定值，否则可能会损坏器件，影响其性能和可靠性。

热阻额定值

参数	符号	最大值	单位
结到环境热阻（稳态）		1000	°C/W
结到环境热阻（(t = 5 s)）	(R_{θJA})	600	°C/W

热阻是衡量器件散热能力的重要指标，较低的热阻意味着器件能够更有效地将热量散发出去，从而保证其在正常温度范围内工作。在实际应用中，我们可以通过合理的散热设计来进一步降低热阻，提高器件的性能和可靠性。

电气特性

• 关断特性：包括漏源击穿电压（(V{(BR)DSS})）、零栅压漏极电流（(I{DSS})）、栅源泄漏电流（(I{GS})）等参数，这些参数反映了 MOSFET 在关断状态下的性能。例如，(V{GS}=0 V)，(I{D}=250 mu A) 时，(V{(BR)DSS}) 最小值为 20 V，这保证了在一定条件下器件能够可靠地关断。
• 导通特性：如栅极阈值电压（(V{GS(TH)})）、漏源导通电阻（(R{DS(ON)})）、正向跨导（(g{fs})）、源 - 漏二极管电压（(V{SD})）等。这些特性决定了 MOSFET 在导通状态下的性能，例如低的 (R_{DS(ON)}) 可以降低导通损耗。
• 电容特性：输入电容（(C{ISS})）、输出电容（(C{OSS})）、反向传输电容（(C_{RSS})）等，这些电容会影响 MOSFET 的开关速度和动态性能。
• 开关特性：包括导通延迟时间（(t{d(ON)})）、上升时间（(t{r})）、关断延迟时间（(t{d(OFF)})）、下降时间（(t{f})）等。开关特性对于需要快速开关的应用非常重要，例如在开关电源和高频电路中。

封装与引脚信息

NTUD3170NZ 采用 SOT - 963 封装，引脚排列有多种样式可供选择，如 STYLE 9 中，引脚 1 为源极 1，引脚 2 为栅极 1，引脚 3 为漏极 2 等。同时，文档还提供了详细的封装尺寸信息，包括各个尺寸的最小值、标称值和最大值，这对于 PCB 设计和布局非常重要。在进行 PCB 设计时，我们需要根据这些尺寸信息合理安排 MOSFET 的位置和布线，以确保其正常工作。

总结

onsemi 的 NTUD3170NZ 双 N 沟道小信号 MOSFET 凭借其低导通电阻、超薄外形、低电压驱动等特性，在通用接口开关、超便携式设备电源管理和模拟开关等应用场景中具有很大的优势。通过对其各项参数的深入了解，我们可以更好地将其应用到实际设计中，提高电路的性能和可靠性。在实际使用过程中，大家可以根据具体的应用需求，结合这些特性和参数，充分发挥该 MOSFET 的优势。同时，也要注意遵循其最大额定值和使用规范，确保器件的正常运行。

希望这篇文章能帮助大家更好地了解 NTUD3170NZ MOSFET，如果你在使用过程中有任何问题或经验，欢迎在评论区分享交流。