探索 onsemi FDMA1024NZ：双 N 沟道 MOSFET 的卓越性能与应用潜力

在电子设备不断向小型化、高性能发展的今天，MOSFET（金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）作为关键的电子元件，对于提升设备性能起着至关重要的作用。今天，我们就来深入了解 onsemi 推出的 FDMA1024NZ 双 N 沟道 MOSFET，探究它的特点、性能以及应用场景。

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产品概述

FDMA1024NZ 专为满足蜂窝手机和其他超便携式应用中的双开关需求而设计，采用单封装解决方案。它集成了两个独立的 N 沟道 MOSFET，具有低导通电阻的特性，能够有效降低传导损耗。其 MicroFET 2x2 封装在物理尺寸上提供了出色的热性能，非常适合线性模式应用。

关键特性

低导通电阻

FDMA1024NZ 在不同的栅源电压（$V{GS}$）和漏极电流（$I{D}$）条件下，展现出了低导通电阻的优势。例如，在 $V{GS}=4.5V$，$I{D}=5.0A$ 时，最大导通电阻 $r{DS(on)}$ 为 54 mΩ；在 $V{GS}=2.5V$，$I_{D}=4.2A$ 时，最大导通电阻为 66 mΩ。这种低导通电阻特性有助于减少功率损耗，提高设备的效率。

低外形设计

新的 MicroFET 2x2 封装最大高度仅为 0.8mm，满足了超便携式设备对空间的严格要求。

环保特性

该器件不含卤化化合物和氧化锑，并且符合 RoHS 标准，是一款环保型产品。

性能参数

最大额定值

符号	参数	额定值	单位
$V_{DS}$	漏源电压	20	V
$V_{GS}$	栅源电压	± 8	V
$I_{D}$	连续漏极电流（注 1a）	5.0	A
	脉冲漏极电流	6.0	A
$P_{D}$	功率耗散（注 1a）	1.4	W
	功率耗散（注 1b）	0.7	W
$T{J}, T{STG}$	工作和存储结温范围	-55 至 +150	°C

热特性

热阻是衡量 MOSFET 散热性能的重要指标。FDMA1024NZ 在不同的安装条件下，具有不同的结到环境热阻（$R_{theta JA}$）：

• 单操作，安装在 1 in² 的 2 oz 铜焊盘上时，$R_{theta JA}=86°C/W$；
• 单操作，安装在最小的 2 oz 铜焊盘上时，$R_{theta JA}=173°C/W$；
• 双操作，安装在 1 in² 的 2 oz 铜焊盘上时，$R_{theta JA}=69°C/W$；
• 双操作，安装在最小的 2 oz 铜焊盘上时，$R_{theta JA}=151°C/W$。

电气特性

FDMA1024NZ 的电气特性涵盖了关断特性、导通特性、动态特性和开关特性等多个方面。例如，在关断特性方面，漏源击穿电压（$BVDSS$）在 $I{D}=250mu A$，$V{GS}=0V$ 时为 20V；在导通特性方面，栅源阈值电压（$V{GS(th)}$）在 $V{GS}=V{DS}$，$I{D}=250mu A$ 时，最小值为 0.4V，典型值为 0.7V，最大值为 1.0V。

典型特性曲线

文档中给出了多个典型特性曲线，直观地展示了 FDMA1024NZ 在不同条件下的性能表现。例如，图 1 展示了导通区域特性，反映了不同栅源电压下漏极电流与漏源电压的关系；图 2 展示了归一化导通电阻与漏极电流和栅源电压的关系，有助于工程师在不同工作条件下选择合适的参数。

应用场景

FDMA1024NZ 适用于多种应用场景，包括基带开关、负载开关和 DC - DC 降压转换器等。在这些应用中，其低导通电阻和出色的热性能能够有效提高设备的效率和稳定性。

总结

onsemi 的 FDMA1024NZ 双 N 沟道 MOSFET 以其低导通电阻、低外形设计和环保特性，为蜂窝手机和超便携式应用提供了一个优秀的解决方案。其丰富的性能参数和典型特性曲线，为工程师在设计过程中提供了详细的参考。在实际应用中，工程师需要根据具体的设计要求，合理选择参数，以充分发挥该器件的性能优势。你在使用类似 MOSFET 时，遇到过哪些挑战呢？欢迎在评论区分享你的经验。