安森美NTS4409N和NVS4409N MOSFET：小信号应用的理想之选

在电子设计领域，MOSFET作为关键的半导体器件，广泛应用于各种电路中。安森美的NTS4409N和NVS4409N MOSFET，凭借其出色的性能和特性，成为小信号应用的理想选择。本文将详细介绍这两款MOSFET的特点、参数及应用，帮助电子工程师更好地了解和使用它们。

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产品概述

NTS4409N和NVS4409N是单通道N沟道小信号MOSFET，采用SC - 70/SOT - 323封装，具备ESD保护功能。它们的额定电压为25V，电流为0.75A，适用于多种小信号应用场景。

产品特性

先进的平面技术

采用先进的平面技术，实现了快速开关和低导通电阻（$R_{DS(on)}$）。这一特性不仅提高了电路的效率，还能有效延长电池寿命，对于电池供电的设备来说尤为重要。

汽车级认证

NVS4409N通过了AEC - Q101认证，并且具备生产件批准程序（PPAP）能力，适用于汽车电子等对可靠性要求较高的应用场景。

环保合规

这两款器件均为无铅产品，符合RoHS标准，满足环保要求。

应用领域

升降压转换器

在升降压转换器电路中，NTS4409N和NVS4409N的快速开关特性和低导通电阻能够有效提高转换效率，减少能量损耗。

负载开关

作为负载开关使用时，它们可以快速地接通和断开负载，实现对电路的有效控制。

电池保护

在电池保护电路中，这两款MOSFET可以起到过流、过压保护的作用，确保电池的安全使用。

主要参数

最大额定值

参数	符号	值	单位
漏源电压	$V_{DSS}$	25	V
栅源电压	$V_{GS}$	±8.0	V
漏极电流（t < 5s，$T_A = 25^{circ}C$）	$I_D$	0.75	A
连续漏极电流（稳态，$T_A = 25^{circ}C$）	$I_D$	0.7	A
连续漏极电流（$T_A = 75^{circ}C$）	$I_D$	0.6	A
功率耗散（稳态）	$P_D$	0.28	W
功率耗散（t ≤ 5s）	$P_D$	0.33	W
脉冲漏极电流（$t_p = 10mu s$）	$I_{DM}$	3.0	A
工作结温和存储温度	$TJ$，$T{STG}$	-55 to +150	°C
源极电流（体二极管）	$I_S$	0.3	A
焊接温度（距外壳1/8"，10s）	$T_L$	260	°C
ESD额定值 - 机器模型		25	V

电气特性

关断特性

• 漏源击穿电压（$V_{GS} = 0V$，$ID = 250mu A$）：$V{(BR)DSS}$为25V。
• 漏源击穿电压温度系数：$V_{(BR)DSS}/T_J$为30mV/°C。
• 零栅压漏极电流：在不同温度下有不同的值，$T_J = 25^{circ}C$时为0.5aA，$T_J = 70^{circ}C$时为2.0aA，$T_J = 125^{circ}C$时为5.0aA。
• 栅源泄漏电流（$V{DS} = 0V$，$V{GS} = 8.0V$）：$I_{GSS}$最大为100nA。

导通特性

• 栅极阈值电压（$V{GS} = V{DS}$，$ID = 250mu A$）：$V{GS(TH)}$范围为0.65 - 1.5V。
• 负阈值温度系数：$V_{GS(TH)}/T_J$为 - 2.0mV/°C。
• 漏源导通电阻：在不同的$V_{GS}$和$ID$条件下有不同的值，例如$V{GS} = 4.5V$，$I_D = 0.6A$时，典型值为249mΩ，最大值为350mΩ。
• 正向跨导（$V_{DS} = 5.0V$，$ID = 0.5A$）：$g{FS}$典型值为0.5S。

电荷和电容特性

• 输入电容（$V{GS} = 0V$，$f = 1.0MHz$，$V{DS} = 10V$）：$C_{ISS}$典型值为49pF，最大值为60pF。
• 输出电容：$C_{OSS}$典型值为22.4pF，最大值为30pF。
• 反向传输电容：$C_{RSS}$典型值为8.0pF，最大值为12pF。
• 总栅极电荷（$V{GS} = 4.5V$，$V{DS} = 15V$，$ID = 0.8A$）：$Q{G(TOT)}$典型值为1.2nC，最大值为1.5nC。

开关特性

• 开启延迟时间（$V{GS} = 4.5V$，$V{DS} = 15V$，$I_D = 0.7A$，$RG = 51Omega$）：$t{d(ON)}$为5.0 - 12ns。
• 上升时间：$t_r$为8.2 - 8.0ns。
• 关断延迟时间：$t_{d(OFF)}$为23 - 35ns。
• 下降时间：$t_f$为41 - 60ns。

漏源二极管特性

正向二极管电压（$V_{GS} = 0V$，$IS = 0.6A$）：$V{SD}$为0.82 - 1.20V。

封装信息

这两款MOSFET采用SC - 70（SOT - 323）封装，引脚分配为：引脚1为栅极（GATE），引脚2为源极（SOURCE），引脚3为漏极（DRAIN）。

订购信息

器件型号	封装	包装方式
NTS4409NT1G	SC - 70（SOT - 323）（无铅）	3000 / 卷带包装
NVS4409NT1G	SC - 70（SOT - 323）（无铅）	3000 / 卷带包装

总结

安森美的NTS4409N和NVS4409N MOSFET以其先进的技术、出色的性能和广泛的应用领域，为电子工程师提供了一个可靠的选择。在实际设计中，工程师可以根据具体的应用需求，合理选择和使用这两款MOSFET，以实现电路的优化和性能的提升。大家在使用过程中有没有遇到过什么问题呢？欢迎在评论区分享交流。