安森美NTB082N65S3F MOSFET：高效电源系统的理想之选

在电源系统设计中，MOSFET作为关键元件，其性能直接影响着整个系统的效率、可靠性和稳定性。今天，我们就来深入了解一下安森美（onsemi）推出的NTB082N65S3F N沟道SUPERFET III FRFET MOSFET。

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技术亮点

先进的SUPERFET III技术

SUPERFET III MOSFET是安森美全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用了电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这种先进技术能够有效降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率，非常适合各种追求小型化和高效率的电源系统。

优化的体二极管反向恢复性能

SUPERFET III FRFET MOSFET的体二极管反向恢复性能经过优化，可以去除额外的元件，提高系统的可靠性。

优异的电气特性

• 耐压能力：在TJ = 150°C时，耐压可达700V。
• 低导通电阻：典型的RDS(on)为70mΩ，在10V时最大为82mΩ，有助于降低功耗。
• 超低栅极电荷：典型Qg = 81nC，可实现快速开关。
• 低有效输出电容：典型Coss(eff.) = 722pF，减少开关损耗。
• 100%雪崩测试：确保了器件的可靠性和稳定性。
• 环保合规：这些器件无铅且符合RoHS标准。

关键参数

绝对最大额定值

参数	数值	单位
漏源电压（V DSS）	650 ± 30	V
栅源电压（V GSS）	± 30	V
连续漏极电流（T C = 25 °C）	40	A
连续漏极电流（T C = 100 °C）	25.5	A
脉冲漏极电流	100	A
单脉冲雪崩能量	510	mJ
雪崩电流	4.8	A
重复雪崩能量	3.13	mJ
MOSFET dv/dt	100	V/ns
峰值二极管恢复dv/dt	50	V/ns
功率耗散（T C = 25 °C）	313	W
25 °C以上降额	2.5	W/°C
工作和储存温度范围	-55 to +150	°C
最大焊接引线温度（距外壳1/8英寸，5秒）	300	°C

电气特性

• 关断特性：击穿电压BVDSS在TJ = 25°C时为650V，TJ = 150°C时为700V；零栅压漏极电流loss在VDS = 650V、VGS = 0V时最大为10uA。
• 导通特性：栅极阈值电压VGS(th)为3.0 - 5.0V；静态漏源导通电阻RDS(on)在VGS = 10V、ID = 20A时典型值为70mΩ，最大值为82mΩ。
• 动态特性：输入电容Ciss为3410pF，有效输出电容Coss(eff.)为722pF，总栅极电荷Qg(tot)在10V时为81nC。
• 开关特性：开启延迟时间td(on)为27ns，开启上升时间tr为27ns，关断延迟时间td(off)为79ns，关断下降时间tf为5ns。
• 源漏二极管特性：最大连续源漏二极管正向电流Is为40A，最大脉冲源漏二极管正向电流ISM为100A，源漏二极管正向电压VSD为1.3V，反向恢复时间tr为108ns，反向恢复电荷Qrr为410nC。

典型应用

NTB082N65S3F MOSFET适用于多种电源系统，包括：

• 电信/服务器电源：满足高效、稳定的电源需求。
• 工业电源：为工业设备提供可靠的电力支持。
• 电动汽车充电器：适应快速充电的要求。
• UPS/太阳能：提高能源转换效率。

封装与订购信息

该器件采用D2PAK封装，包装方式为卷带包装，卷盘尺寸为330mm，胶带宽度为24mm，每卷数量为800个。

性能曲线分析

文档中提供了一系列典型性能曲线，包括导通区域特性、传输特性、导通电阻随漏极电流和栅极电压的变化、体二极管正向电压随源电流和温度的变化、电容特性、栅极电荷特性、击穿电压随温度的变化、导通电阻随温度的变化、最大安全工作区、最大漏极电流随外壳温度的变化、Eoss与漏源电压的关系以及瞬态热响应曲线等。这些曲线有助于工程师更深入地了解器件的性能，为设计提供参考。

总结

安森美NTB082N65S3F MOSFET凭借其先进的技术、优异的性能和广泛的应用范围，为电源系统设计提供了一个可靠的解决方案。在实际设计中，工程师可以根据具体的应用需求，结合器件的参数和性能曲线，充分发挥其优势，实现高效、稳定的电源系统。你在使用类似MOSFET时遇到过哪些问题呢？欢迎在评论区分享。