onsemi FDMS86182 N沟道MOSFET：高性能与可靠性的完美结合

在电子工程师的日常设计工作中，MOSFET是不可或缺的关键元件之一。今天，我们就来深入探讨一下onsemi公司推出的FDMS86182 N沟道MOSFET，看看它有哪些独特的性能和优势。

文件下载：FDMS86182-D.pdf

产品概述

FDMS86182是一款采用onsemi先进POWERTRENCH工艺并结合屏蔽栅技术的N沟道MOSFET。这种工艺经过优化，在最小化导通电阻的同时，还能保持卓越的开关性能，并拥有一流的软体二极管。该MOSFET的额定电压为100V，最大连续电流可达78A，导通电阻低至7.2mΩ（在VGS = 10V，ID = 28A时），为各种应用提供了强大的功率处理能力。

产品特性

屏蔽栅MOSFET技术

• 低导通电阻：在不同的栅源电压下，FDMS86182都能保持较低的导通电阻。例如，在VGS = 10V，ID = 28A时，最大RDS(on)为7.2mΩ；在VGS = 6V，ID = 14A时，最大RDS(on)为19.5mΩ。低导通电阻可以有效降低功率损耗，提高系统效率。
• 低Qrr：与其他MOSFET供应商相比，FDMS86182的Qrr降低了50%。这有助于降低开关噪声和电磁干扰（EMI），提高系统的稳定性和可靠性。

稳健的封装设计

该产品采用MSL1稳健封装设计，能够更好地适应不同的工作环境，提高产品的抗干扰能力和可靠性。

全面测试

FDMS86182经过100% UIL测试，确保了产品的质量和可靠性。同时，它还符合RoHS标准，环保又安全。

应用领域

FDMS86182的高性能使其适用于多种应用场景，包括：

• 初级DC - DC MOSFET：在DC - DC电源转换中，FDMS86182可以提供高效的功率转换，降低功耗。
• DC - DC和AC - DC同步整流：其低导通电阻和快速开关特性使其非常适合用于同步整流电路，提高电源效率。
• 电机驱动：能够为电机提供稳定的驱动电流，实现精确的电机控制。
• 太阳能应用：在太阳能发电系统中，FDMS86182可以用于功率转换和管理，提高太阳能电池板的发电效率。

电气特性

最大额定值

符号	参数	值	单位
VDS	漏源电压	100	V
VGS	栅源电压	±20	V
ID	漏极电流（连续）	78（TC = 25°C） 49（TC = 100°C） 13（TA = 25°C）	A
ID（脉冲）		364	A
EAS	单脉冲雪崩能量	216	mJ
PD	功率耗散	83（TC = 25°C） 2.5（TA = 25°C）	W
TJ, TSTG	工作和存储结温范围	-55 至 +150	°C

电气特性细节

在不同的测试条件下，FDMS86182展现出了良好的电气性能。例如，在TJ = 25°C时，其漏源击穿电压为100V，零栅压漏极电流为1μA等。具体的电气特性参数可以参考数据手册中的详细表格。

典型特性曲线

数据手册中提供了一系列典型特性曲线，直观地展示了FDMS86182在不同条件下的性能表现。例如：

• 导通区域特性曲线：展示了不同栅源电压下，漏极电流与漏源电压的关系。
• 归一化导通电阻与结温的关系曲线：可以帮助工程师了解导通电阻随温度的变化情况，从而更好地进行热设计。
• 转移特性曲线：反映了栅源电压与漏极电流之间的关系，对于设计驱动电路非常有帮助。

封装信息

FDMS86182采用PQFN8 5X6, 1.27P封装，数据手册中提供了详细的封装尺寸和引脚定义。同时，还给出了封装的机械尺寸和公差要求，方便工程师进行PCB设计。

订购信息

FDMS86182的器件标记为FDMS86182，卷带尺寸为12mm。关于卷带和卷轴的规格，可参考Tape and Reel Packaging Specifications Brochure, BRD8011/D。

总结

onsemi的FDMS86182 N沟道MOSFET以其先进的技术、卓越的性能和广泛的应用领域，为电子工程师提供了一个优秀的选择。在实际设计中，工程师可以根据具体的应用需求，充分发挥FDMS86182的优势，提高系统的性能和可靠性。你在使用MOSFET时，有没有遇到过类似高性能器件带来的设计便利呢？欢迎在评论区分享你的经验。