FDMS7692 N - Channel PowerTrench® MOSFET：高效开关的理想之选

在电子设计领域，MOSFET 作为关键的功率器件，其性能的优劣直接影响到整个电路的效率和稳定性。今天，我们就来深入了解一下 ON Semiconductor 的 FDMS7692 N - Channel PowerTrench® MOSFET。

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产品背景与变更说明

随着 Fairchild Semiconductor 与 ON Semiconductor 的整合，部分 Fairchild 可订购的零件编号需要更改，以满足 ON Semiconductor 的系统要求。由于 ON Semiconductor 产品管理系统无法处理带有下划线（）的零件命名法，Fairchild 零件编号中的下划线（）将更改为破折号（-）。大家在使用时，需通过 ON Semiconductor 网站核实更新后的设备编号。

产品特性亮点

低导通电阻与高效率

FDMS7692 具有出色的低导通电阻特性。在 (V{GS}=10 V)，(I{D}=13 A) 时，最大 (r{DS(on)} = 7.5 mΩ)；在 (V{GS}=4.5 V)，(I{D}=10 A) 时，最大 (r{DS(on)} = 13 mΩ)。这种低导通电阻能够有效降低功率损耗，提高电路效率。它采用了先进的封装和硅技术组合，进一步优化了低 (r_{DS(on)}) 特性，为高效电路设计提供了有力支持。

先进的体二极管技术

该 MOSFET 采用了下一代增强型体二极管技术，经过精心设计，实现了软恢复特性。软恢复的体二极管可以减少开关过程中的电压尖峰和电磁干扰（EMI），提高系统的可靠性和稳定性。

稳健的封装设计

MSL1 稳健封装设计使得 FDMS7692 具有良好的抗潮湿和机械应力能力，适用于各种恶劣的工作环境。同时，该产品经过 100% UIL 测试，确保了其在实际应用中的可靠性。此外，它还符合 RoHS 标准，满足环保要求。

产品应用领域

笔记本电脑 IMVP Vcore 开关

在笔记本电脑的电源管理系统中，FDMS7692 能够有效提高 DC/DC 转换器的效率，减少开关节点的振铃现象，为笔记本电脑提供稳定的电源供应。

桌面和服务器 VRM Vcore 开关

对于桌面和服务器的电源模块，FDMS7692 的低导通电阻和快速开关速度可以降低功耗，提高电源转换效率，保证系统的稳定运行。

OringFET / 负载开关

在电源切换和负载控制应用中，FDMS7692 可以快速、可靠地实现开关功能，确保电源的无缝切换和负载的稳定供电。

DC - DC 转换

在各种 DC - DC 转换电路中，FDMS7692 的高性能特性能够优化转换效率，减少能量损耗，提高系统的整体性能。

产品参数详解

最大额定值

FDMS7692 的最大额定值涵盖了多个方面，包括电压、电流、功率和温度等。例如，其漏源电压 (V{DS}) 最大为 30 V，瞬态漏源电压 (V{DSt})（瞬态时间 < 100 ns）最大为 33 V；栅源电压 (V{GS}) 最大为 ±20 V；连续漏极电流在不同条件下有不同的额定值，如 (T{C}=25 °C) 时，封装限制为 28 A，硅片限制为 47 A，(T_{A}=25 °C) 时为 14 A，脉冲电流最大为 50 A。这些参数为工程师在设计电路时提供了重要的参考依据。

热特性

热特性对于功率器件的性能和可靠性至关重要。FDMS7692 的结到外壳热阻 (R{θJC}) 为 4.6 °C/W，结到环境热阻 (R{θJA}) 在特定条件下为 50 °C/W。了解这些热特性参数，工程师可以合理设计散热方案，确保 MOSFET 在正常工作温度范围内运行。

电气特性

• 关断特性：包括漏源击穿电压 (BV{DSS})、击穿电压温度系数 (Delta BV{DSS}/Delta T{J})、零栅压漏极电流 (I{DSS}) 和栅源泄漏电流 (I_{GSS}) 等。这些参数反映了 MOSFET 在关断状态下的性能。
• 导通特性：如栅源阈值电压 (V{GS(th)})、栅源阈值电压温度系数 (Delta V{GS(th)}/Delta T{J})、静态漏源导通电阻 (r{DS(on)}) 和正向跨导 (g{FS}) 等。其中，(r{DS(on)}) 在不同的栅源电压和漏极电流条件下有不同的值，这对于评估 MOSFET 在导通状态下的功率损耗非常重要。
• 动态特性：包含输入电容 (C{iss})、输出电容 (C{oss})、反向传输电容 (C{rss}) 和栅极电阻 (R{g}) 等。这些参数影响着 MOSFET 的开关速度和动态性能。
• 开关特性：如导通延迟时间 (t{d(on)})、上升时间 (t{r})、关断延迟时间 (t{d(off)}) 和下降时间 (t{f}) 等，以及总栅极电荷 (Q{g})、栅源电荷 (Q{gs}) 和栅漏“米勒”电荷 (Q_{gd})。这些参数对于设计高速开关电路至关重要。
• 漏源二极管特性：包括源漏二极管正向电压 (V{SD})、反向恢复时间 (t{rr}) 和反向恢复电荷 (Q_{rr}) 等。这些参数反映了体二极管的性能，对于处理反向电流和开关过程中的能量回收非常关键。

典型特性曲线

文档中提供了一系列典型特性曲线，如导通区域特性、归一化导通电阻与漏极电流和栅极电压的关系、归一化导通电阻与结温的关系、导通电阻与栅源电压的关系、传输特性、源漏二极管正向电压与源电流的关系、栅极电荷特性、电容与漏源电压的关系、无钳位电感开关能力、最大连续漏极电流与外壳温度的关系、正向偏置安全工作区、单脉冲最大功率耗散、结到环境瞬态热响应曲线和体二极管反向恢复特性等。这些曲线直观地展示了 FDMS7692 在不同工作条件下的性能变化，工程师可以根据这些曲线进行电路设计和性能评估。

总结

FDMS7692 N - Channel PowerTrench® MOSFET 凭借其低导通电阻、先进的体二极管技术、稳健的封装设计和广泛的应用领域，成为电子工程师在功率电路设计中的理想选择。在实际应用中，工程师需要根据具体的电路需求，结合产品的各项参数和特性曲线，合理设计电路，以充分发挥 FDMS7692 的性能优势。大家在使用过程中，有没有遇到过类似 MOSFET 的应用难题呢？欢迎在评论区分享你的经验和见解。