FDMS86152 N - Channel PowerTrench® MOSFET：性能与应用解析

一、前言

在电子工程领域，MOSFET作为重要的功率器件，广泛应用于各类电路中。今天我们要深入探讨的是FDMS86152 N - Channel PowerTrench® MOSFET，它由Fairchild Semiconductor生产，如今Fairchild已成为ON Semiconductor的一部分。这款MOSFET具有诸多优异特性，下面我们将详细了解其各项参数与应用。

文件下载：FDMS86152-D.pdf

二、产品背景与编号变更

Fairchild Semiconductor已整合进ON Semiconductor。由于ON Semiconductor产品管理系统无法处理带有下划线（_）的部件命名，Fairchild部分可订购部件编号中的下划线将改为破折号（ - ）。大家可通过ON Semiconductor网站（www.onsemi.com）核实更新后的器件编号。

三、FDMS86152 MOSFET特性

（一）基本参数

FDMS86152是一款100 V、45 A、6 mΩ的N - Channel MOSFET。在(V{GS}=6 V)，(I{D}=11.5 A)时，最大(r_{DS(on)} = 11 mΩ)。

（二）特性亮点

1. 先进的封装与硅片组合：实现了低(r_{DS(on)})和高效率，有助于降低功耗，提高电路效率。
2. MSL1稳健封装设计：具有良好的可靠性，能适应不同的工作环境。
3. 100% UIL测试：确保了器件在各种工况下的稳定性和可靠性。
4. RoHS合规：符合环保要求，满足现代电子产品的绿色设计需求。

四、产品应用领域

（一）初级DC - DC MOSFET

在DC - DC转换电路中，FDMS86152可作为初级MOSFET，利用其低导通电阻和良好的开关性能，提高转换效率，减少能量损耗。

（二）次级同步整流器

作为次级同步整流器，它能有效降低整流损耗，提高电源的整体效率。

（三）负载开关

可用于控制负载的通断，实现对电路的灵活控制。

五、电气特性分析

（一）最大额定值

Symbol	Parameter	Ratings	Units
(V_{DS})	漏源电压	100	V
(V_{GS})	栅源电压	±20	V
(I_{D})	连续漏极电流（(T_{C} = 25 °C)）	45	A
(I_{D})	连续漏极电流（(T_{A} = 25 °C)）	14	A
(I_{D})	脉冲漏极电流	260	A
(E_{AS})	单脉冲雪崩能量	541	mJ
(P_{D})	功率耗散（(T_{C} = 25 °C)）	125	W
(P_{D})	功率耗散（(T_{A} = 25 °C)）	2.7	W
(T{J}, T{STG})	工作和存储结温范围	- 55 to +150	°C

（二）电气特性详细参数

1. 关断特性：如(BV{DSS})（漏源击穿电压）为100 V，(I{DSS})（零栅压漏极电流）在(V{DS}=80 V)，(V{GS}=0 V)时为1 μA等。
2. 导通特性：(V{GS(th)})（栅源阈值电压）在(V{GS}=V{DS})，(I{D}=250 μA)时为2 - 4 V，(r{DS(on)})（静态漏源导通电阻）在不同(V{GS})和(I_{D})条件下有不同取值。
3. 动态特性：包括输入电容(C{iss})、输出电容(C{oss})、反向传输电容(C_{rss})等。
4. 开关特性：如开通延迟时间(t{d(on)})、上升时间(t{r})、关断延迟时间(t{d(off)})、下降时间(t{f})和总栅极电荷(Q_{g})等。
5. 漏源二极管特性：如源漏二极管正向电压(V{SD})、反向恢复时间(t{rr})和反向恢复电荷(Q_{rr})等。

六、典型特性曲线

文档中给出了多个典型特性曲线，如导通区域特性曲线、归一化导通电阻与漏极电流和栅极电压关系曲线、归一化导通电阻与结温关系曲线等。这些曲线有助于工程师在不同工况下预测器件的性能，为电路设计提供参考。

七、封装与订购信息

Device Marking	Device	Package	Reel Size	Tape Width	Quantity
FDMS86152	FDMS86152	Power 56	13 ’’	12 mm	3000 units

八、注意事项

1. 所有“典型”参数在不同应用中可能会有所变化，实际性能可能随时间改变，因此客户技术专家需针对每个应用验证所有工作参数。
2. ON Semiconductor产品不设计、不打算也未获授权用于生命支持系统、FDA Class 3医疗设备或类似分类的医疗设备以及人体植入设备。若买方将产品用于此类非预期或未授权应用，需承担相关责任。

在实际设计中，电子工程师需要综合考虑FDMS86152的各项特性和参数，结合具体应用场景，充分发挥其性能优势，同时注意避免潜在风险。大家在使用这款MOSFET时，有没有遇到过什么特别的问题呢？欢迎在评论区交流分享。