FDD86540 N - Channel PowerTrench® MOSFET：高效开关的理想之选

在电子设计领域，MOSFET 作为关键的功率开关器件，其性能直接影响着整个电路的效率和稳定性。今天，我们就来深入了解一下 ON Semiconductor 的 FDD86540 N - Channel PowerTrench® MOSFET。

文件下载：FDD86540-D.pdf

一、背景与更名说明

Fairchild 已成为 ON Semiconductor 的一部分。由于系统要求，部分 Fairchild 可订购的零件编号需要更改，原编号中的下划线（_）将改为破折号（-）。大家可在 ON Semiconductor 网站上核实更新后的器件编号，最新的订购信息可在 www.onsemi.com 上找到。若有关于系统集成的问题，可发送邮件至 [e-mail]。

二、FDD86540 主要特性

（一）卓越的导通电阻

• 在 $V{GS}=10V$，$I{D}=21.5A$ 时，最大 $r{DS(on)} = 4.1mΩ$；在 $V{GS}=8V$，$I{D}=19.5A$ 时，最大 $r{DS(on)} = 5mΩ$。低导通电阻意味着在导通状态下，MOSFET 的功率损耗更小，能够提高电路的效率。

  （二）可靠性测试

  经过 100% UIL（Unclamped Inductive Load）测试，这表明该 MOSFET 在非钳位感性负载条件下具有良好的可靠性，能够承受一定的电压和电流冲击。

  （三）环保合规

  符合 RoHS 标准，这使得该器件在环保方面满足相关要求，可应用于对环保有严格要求的产品中。

三、应用领域

（一）隔离式 DC - DC 中的主开关

在隔离式 DC - DC 转换器中，FDD86540 可作为主开关使用。其低导通电阻和快速开关速度能够有效降低开关损耗，提高转换器的效率。

（二）同步整流

同步整流技术可以提高电源的效率，FDD86540 凭借其低导通电阻和良好的反向恢复性能，非常适合用于同步整流电路中。

（三）负载开关

在需要对负载进行快速通断控制的电路中，FDD86540 可作为负载开关，实现对负载的高效控制。

四、电气参数与特性

（一）最大额定值

符号	参数	额定值	单位
$V_{DS}$	漏源电压	60V	V
$V_{GS}$	栅源电压	±20V	V
$I_{D}$	漏极电流（连续）	不同温度下有不同值，如 $T{C}=25^{circ}C$ 时为 136A，$T{C}=100^{circ}C$ 时为 86A 等	A
$E_{AS}$	单脉冲雪崩能量	228mJ	mJ
$P_{D}$	功率耗散	不同温度下有不同值，如 $T{C}=25^{circ}C$ 时为 127W，$T{A}=25^{circ}C$ 时为 3.1W	W
$T{J}, T{STG}$	工作和存储结温范围	-55 至 +150°C	°C

（二）热特性

符号	参数	值	单位
$R_{θJC}$	结到壳热阻	0.98°C/W	°C/W
$R_{θJA}$	结到环境热阻（与电路板设计有关）	不同条件下有不同值，如在 1in² 2oz 铜焊盘上为 40°C/W，在最小焊盘上为 96°C/W	°C/W

（三）典型特性曲线

文档中给出了多个典型特性曲线，包括导通区域特性、归一化导通电阻与漏极电流和栅极电压的关系、归一化导通电阻与结温的关系、导通电阻与栅源电压的关系、传输特性、源 - 漏二极管正向电压与源电流的关系、栅极电荷特性、电容与漏源电压的关系、非钳位感性开关能力、最大连续漏极电流与壳温的关系、正向偏置安全工作区、单脉冲最大功率耗散以及结到壳瞬态热响应曲线等。这些曲线为工程师在设计电路时提供了重要的参考依据。例如，通过导通电阻与栅源电压的关系曲线，工程师可以根据实际需求选择合适的栅源电压，以获得较低的导通电阻，从而降低功率损耗。

五、封装与订购信息

FDD86540 采用 D - PAK(TO - 252) 封装，卷盘尺寸为 13 英寸，胶带宽度为 16mm，每卷数量为 2500 个。这种封装形式便于安装和焊接，适用于多种电路板设计。

六、注意事项

（一）应用限制

ON Semiconductor 产品不设计、不打算也未获授权用于生命支持系统、FDA 3 类医疗设备或具有相同或类似分类的外国医疗设备，以及任何用于人体植入的设备。如果购买者将其用于此类非预期或未授权的应用，需承担相关责任。

（二）参数验证

文档中提到的“典型”参数在不同应用中可能会有所变化，实际性能也可能随时间变化。因此，所有工作参数，包括“典型”参数，都必须由客户的技术专家针对每个客户应用进行验证。

在实际的电子设计中，工程师们需要综合考虑 FDD86540 的各项特性和参数，结合具体的应用场景，合理选择和使用该 MOSFET，以实现电路的高效、稳定运行。大家在使用过程中遇到过哪些问题呢？欢迎在评论区分享交流。