onsemi FDMS86101 N沟道MOSFET：高效开关的理想之选

在电子设计领域，功率MOSFET是至关重要的元件，广泛应用于各类电源转换和开关电路中。今天，我们将深入探讨onsemi的FDMS86101 N沟道MOSFET，这款产品采用先进的POWERTRENCH®工艺，具备出色的性能和可靠性。

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产品概述

FDMS86101是一款N沟道MOSFET，通过onsemi先进的POWERTRENCH®工艺制造。该工艺专门针对降低导通电阻进行了优化，同时保持卓越的开关性能。其主要特点包括：

• 低导通电阻：在VGS = 10 V、ID = 13 A的条件下，最大RDS(on)仅为8 mΩ，有助于降低功耗，提高效率。
• 先进的封装与硅片组合：实现低RDS(on)和高效率，采用MSL1稳健封装设计。
• 严格测试：经过100% UIL测试和100% Rg测试，确保产品质量和可靠性。
• 环保合规：无铅且符合RoHS标准，满足环保要求。

应用领域

FDMS86101适用于DC - DC转换等应用场景，为电源管理提供高效、可靠的解决方案。

关键参数

最大额定值

Symbol	Parameter	Value	Unit
VDS	Drain to Source Voltage	100	V
VGS	Gate to Source Voltage	± 20	V
ID	Drain Current: Continuous, TC = 25 °C Continuous, TA = 25 °C (Note 1a) Pulsed	60 12.4 200	A
EAS	Single Pulse Avalanche Energy (Note 3)	173	mJ
PD	Power Dissipation: TC = 25 °C TA = 25 °C (Note 1a)	104 2.5	W
TJ, TSTG	Operating and Storage Junction Temperature Range	−55 to +150	°C

电气特性

• 关断特性：
  • BVDSS：漏源击穿电压，ID = 250 μA、VGS = 0 V时为100 V，温度系数为66 mV/°C。
  • IDSS：零栅压漏电流，VDS = 80 V、VGS = 0 V时为800 nA。
  • IGSS：栅源泄漏电流，VGS = ±20 V、VDS = 0 V时为 - 100 nA。
• 导通特性：
  • VGS(th)：栅源阈值电压，VGS = VDS、ID = 250 μA时，典型值为2.9 V，温度系数为 - 9 mV/°C。
  • RDS(on)：静态漏源导通电阻，VGS = 10 V、ID = 13 A时，典型值为6.3 mΩ；VGS = 6 V、ID = 9.5 A时，典型值为8.4 mΩ。
  • gFS：正向跨导，VDS = 10 V、ID = 13 A时，典型值为45 S。
• 动态特性：
  • Ciss：输入电容，VDS = 50 V、VGS = 0 V、f = 1 MHz时，典型值为2255 pF。
  • Coss：输出电容，典型值为460 pF。
  • Crss：反向传输电容，典型值为30 pF。
  • Rg：栅极电阻，典型值为1.0 Ω。
• 开关特性：
  • td(on)：开启延迟时间，典型值为15 ns。
  • tr：上升时间，典型值为11 ns。
  • td(off)：关断延迟时间，典型值为27 ns。
  • tf：下降时间，典型值为7 ns。
  • Qg：总栅极电荷，VGS = 0 V to 10 V、VDD = 50 V、ID = 13 A时，典型值为39 nC。
• 漏源二极管特性：
  • VSD：源漏二极管正向电压，VGS = 0 V、IS = 2.1 A时，典型值为0.7 V；IS = 13 A时，典型值为0.8 V。
  • trr：反向恢复时间，IF = 13 A、di/dt = 100 A/μs时，典型值为56 ns。
  • Qrr：反向恢复电荷，典型值为61 nC。

典型特性曲线

文档中提供了多个典型特性曲线，直观展示了FDMS86101在不同条件下的性能表现。例如：

• 导通区域特性曲线：展示了不同栅源电压下，漏极电流与漏源电压的关系。
• 归一化导通电阻与漏极电流和栅极电压的关系曲线：帮助工程师了解导通电阻随电流和电压的变化情况。
• 归一化导通电阻与结温的关系曲线：体现了导通电阻随温度的变化趋势。

这些曲线为工程师在实际设计中提供了重要的参考依据，有助于优化电路性能。

封装与订购信息

FDMS86101采用Power 56 (PQFN8)封装，标记为“$Y&Z&3&K FDMS 86101”，每盘3000个。详细的订购和运输信息可参考数据手册第5页。

总结

onsemi的FDMS86101 N沟道MOSFET凭借其低导通电阻、出色的开关性能和严格的测试标准，成为DC - DC转换等应用的理想选择。工程师在设计电源电路时，可以充分利用其特性，提高电路的效率和可靠性。同时，通过参考文档中的典型特性曲线和参数，能够更好地进行电路优化和性能评估。你在使用类似MOSFET时遇到过哪些问题呢？欢迎在评论区分享你的经验和见解。