Onsemi FDMS86320 N-Channel MOSFET:高效DC/DC转换的理想之选
在电子工程师的日常设计中,MOSFET是不可或缺的关键元件。今天要给大家介绍的是Onsemi的FDMS86320和FDMS86320 - NC N-Channel MOSFET,它在DC/DC转换器设计中有着出色的表现。
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1. 产品概述
FDMS86320和FDMS86320 - NC专为提升DC/DC转换器的整体效率和减少开关节点振铃而设计。无论是同步还是传统开关PWM控制器,这款MOSFET都能发挥重要作用。它具有低栅极电荷、低导通电阻(RDS(on))、快速开关速度和良好的体二极管反向恢复性能等优势。
2. 主要特性
2.1 低导通电阻
在不同的栅源电压(VGS)和漏极电流(ID)条件下,FDMS86320展现出了低导通电阻的特性。在VGS = 10 V、ID = 10.5 A时,最大RDS(on)为11.7 mΩ;在VGS = 8 V、ID = 8.5 A时,最大RDS(on)为15 mΩ。低导通电阻意味着在导通状态下,MOSFET的功耗更低,能有效提高电路的效率。
2.2 先进的封装与硅技术结合
采用先进的封装和硅技术组合,实现了低RDS(on)和高效率。这种设计使得MOSFET在工作时能够更好地散热,提高了整体性能和可靠性。
2.3 下一代增强体二极管技术
具备下一代增强体二极管技术,经过精心设计实现软恢复。这有助于减少开关过程中的电压尖峰和电磁干扰,提高电路的稳定性。
2.4 高可靠性
该MOSFET通过了100% UIL测试,采用MSL1稳健封装设计,并且符合无卤和RoHS标准(豁免7a,二级互连为无铅2LI),保证了产品的质量和可靠性。
3. 应用领域
3.1 初级DC - DC开关
在DC - DC转换电路中,FDMS86320可以作为初级开关,凭借其低导通电阻和快速开关速度,提高转换效率,减少能量损耗。
3.2 电机桥开关
在电机驱动电路中,它可以作为电机桥开关,实现电机的正反转控制。其良好的开关性能和可靠性,能够保证电机的稳定运行。
3.3 同步整流
在同步整流电路中,FDMS86320可以替代传统的二极管整流,降低整流损耗,提高电源效率。
4. 电气特性
4.1 最大额定值
| 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|
| 漏源电压(VDS) | 80 | V |
| 栅源电压(VGS) | ±20 | V |
| 漏极连续电流(ID,TC = 25 °C) | 44 | A |
| 漏极脉冲电流 | 160 | A |
| 单脉冲雪崩能量(EAS) | 60 | mJ |
| 功率耗散(TA = 25 °C) | 69 | W |
| 工作和存储结温范围(TJ,TSTG) | -55 至 +150 | °C |
需要注意的是,超过最大额定值可能会损坏器件,影响其功能和可靠性。
4.2 电气参数
- 关断特性:包括漏源击穿电压(BVdss)、漏源击穿电压温度系数(ΔBVdss)、零栅压漏极电流(Idss)和栅源泄漏电流(Igss)等参数。
- 导通特性:如栅源阈值电压(VGS(th))、静态漏源导通电阻(RDS(on))等。不同的测试条件下,这些参数会有所不同。
- 动态特性:输入电容(Ciss)、反向传输电容(Crss)等。
- 开关特性:包括导通延迟时间、上升时间、关断延迟时间、下降时间和总栅极电荷等。
- 源漏二极管特性:源漏二极管正向电压(Vsd)、反向恢复时间(trr)和反向恢复电荷(Qrr)等。
5. 热特性
热特性对于MOSFET的性能和可靠性至关重要。FDMS86320的热阻(RθJA)与安装方式有关,当安装在1 in²的2 oz铜焊盘上时,RθJA为50 °C/W;当安装在最小的2 oz铜焊盘上时,RθJA为125 °C/W。在设计电路时,需要根据实际情况合理考虑散热问题,以确保MOSFET在合适的温度范围内工作。
6. 典型特性曲线
文档中给出了一系列典型特性曲线,包括导通区域特性、归一化导通电阻与漏极电流和栅极电压的关系、归一化导通电阻与结温的关系、导通电阻与栅源电压的关系、传输特性、源漏二极管正向电压与源电流的关系、栅极电荷特性、电容与漏源电压的关系、无钳位电感开关能力、最大连续漏极电流与壳温的关系、正向偏置安全工作区、单脉冲最大功率耗散以及结到环境的热响应曲线等。这些曲线可以帮助工程师更好地了解MOSFET的性能,在设计电路时做出更合理的选择。
7. 封装信息
FDMS86320采用PQFN8 5x6, 1.27P封装(CASE 483AE),文档中详细给出了封装的尺寸信息。在进行PCB设计时,需要根据这些尺寸信息合理布局MOSFET,确保其与其他元件的兼容性和电气性能。
在实际应用中,电子工程师可以根据FDMS86320的这些特性和参数,结合具体的设计需求,优化电路设计,提高系统的性能和可靠性。大家在使用这款MOSFET时,有没有遇到过什么特别的问题或者有什么独特的应用经验呢?欢迎在评论区分享。
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