深入解析 onsemi NVMFS6H800NL N 沟道功率 MOSFET

在电子设计领域，功率 MOSFET 是至关重要的元件，它广泛应用于各类电源管理、电机驱动等电路中。今天，我们将深入探讨 onsemi 公司的 NVMFS6H800NL 这款 80V、1.9mΩ、224A 的单 N 沟道功率 MOSFET。

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产品特性

紧凑设计

NVMFS6H800NL 采用 5x6mm 的小尺寸封装，这对于追求紧凑设计的电子产品来说是一个巨大的优势。在如今对产品体积要求越来越高的市场环境下，小尺寸封装能够有效节省 PCB 空间，使设计更加灵活。

低损耗特性

• 低导通电阻：其低 (R_{DS(on)}) 特性可以最大限度地减少导通损耗，提高电路的效率。在高功率应用中，降低导通损耗意味着减少发热，提高系统的稳定性和可靠性。
• 低栅极电荷和电容：低 (Q_{G}) 和电容能够减少驱动损耗，降低驱动电路的设计难度和功耗。这对于提高整个系统的效率和性能非常关键。

可焊性与质量保证

• 可焊侧翼选项：NVMFS6H800NLWF 提供可焊侧翼选项，这有助于增强光学检测的效果，提高生产过程中的质量控制。
• 汽车级认证：该器件通过了 AEC - Q101 认证，并且具备 PPAP 能力，适用于汽车电子等对可靠性要求极高的应用场景。
• 环保特性：产品无铅且符合 RoHS 标准，符合环保要求。

最大额定值

电压与电流额定值

参数	符号	值	单位
漏源电压	(V_{DSS})	80	V
栅源电压	(V_{GS})	±20	V
连续漏极电流（稳态，(T_{C}=25^{circ}C)）	(I_{D})	224	A
连续漏极电流（(T_{A}=25^{circ}C)）	(I_{D})	30	A
脉冲漏极电流（(T{A}=25^{circ}C)，(t{p}=10 mu s)）	(I_{DM})	900	A
源极电流（体二极管）	(I_{S})	179	A

功率与温度额定值

参数	条件	符号	值	单位
功率耗散（(T_{C}=25^{circ}C)）		(P_{D})	214	W
功率耗散（(T_{C}=100^{circ}C)）		(P_{D})	107	W
功率耗散（(T_{A}=25^{circ}C)）		(P_{D})	3.9	W
功率耗散（(T_{A}=100^{circ}C)）		(P_{D})	1.9	W
工作结温和存储温度范围		(T{J},T{stg})	-55 至 +175	°C
单脉冲漏源雪崩能量（(L_{(pk)} = 16.2A)）		(E_{AS})	601	mJ
焊接用引线温度（距外壳 1/8"，10s）		(T_{L})	260	°C

需要注意的是，超过最大额定值可能会损坏器件，影响其功能和可靠性。

热阻额定值

参数	符号	值	单位
结到壳热阻（稳态）	(R_{theta JC})	0.7	°C/W
结到环境热阻（稳态）	(R_{theta JA})	39	°C/W

热阻是衡量器件散热能力的重要指标，实际应用中，整个应用环境会影响热阻值，这些值仅在特定条件下有效。

电气特性

关断特性

• 漏源击穿电压：(V{(BR)DSS}) 在 (V{GS}=0V)，(I_{D}=250 mu A) 时为 80V，其温度系数为 36mV/°C。
• 零栅压漏极电流：(I{DSS}) 在 (V{GS}=0V)，(V{DS}=80V)，(T{J}=25^{circ}C) 时为 10 mu A，(T_{J}=125^{circ}C) 时为 250 mu A。
• 栅源泄漏电流：(I{GSS}) 在 (V{DS}=0V)，(V_{GS}=±20V) 时为 100nA。

导通特性

• 栅极阈值电压：(V_{GS(TH)}) 及其温度系数有相应规定。
• 导通电阻：在 (V{GS}=10V)，(I{D}=50A) 时为 1.9mΩ；在 (V{GS}=4.5V)，(I{D}=50A) 时为 2.4mΩ。
• 正向跨导：典型值为 250S。

电荷、电容与栅极电阻

• 输入电容：(C{ISS}) 在 (V{GS}=0V)，(f = 1MHz)，(V_{DS}=40V) 时为 6900pF。
• 输出电容：(C_{OSS}) 为 800pF。
• 反向传输电容：(C_{RSS}) 为 22pF。
• 总栅极电荷：(Q{G(TOT)}) 在 (V{GS}=10V)，(V{DS}=40V)，(I{D}=50A) 时为 112nC。

开关特性

开关特性独立于工作结温，在 (V{GS}=4.5V)，(V{DS}=64V) 条件下，开启延迟时间为 20ns，上升时间为 153ns，关断延迟时间和下降时间也有相应值。

漏源二极管特性

• 正向二极管电压：在 (V{GS}=0V)，(I{S}=50A)，(T = 25^{circ}C) 时为 0.8 - 1.2V，(T = 125^{circ}C) 时为 0.7V。
• 反向恢复时间：(t{RR}) 为 77ns，电荷时间 (t{a}) 为 40ns，放电时间 (t{b}) 为 38ns，反向恢复电荷 (Q{RR}) 为 110nC。

典型特性

文档中给出了一系列典型特性曲线，包括导通区域特性、传输特性、导通电阻与栅源电压关系、导通电阻与漏极电流和栅极电压关系、导通电阻随温度变化、漏源泄漏电流与电压关系、电容变化、栅源与总电荷关系、电阻性开关时间随栅极电阻变化、二极管正向电压与电流关系、最大额定正向偏置安全工作区、最大漏极电流与雪崩时间关系以及热响应等。这些曲线对于工程师在实际设计中评估器件性能和进行参数选择具有重要参考价值。

订购信息

器件型号	封装	标记	包装	运输
NVMFS6H800NLT1G	506EZ	6H800L	DFN5（无铅）	1500 / 卷带包装
NVMFS6H800NLWFT1G	507BA	800LWF	DFNW5（无铅，可焊侧翼）	1500 / 卷带包装

机械尺寸

文档提供了 DFN5 和 DFNW5 两种封装的机械尺寸详细信息，包括各尺寸的最小值、标称值和最大值，以及相关的标注和说明。这对于 PCB 布局和设计非常重要，工程师需要根据这些尺寸来确保器件能够正确安装和使用。

综上所述，onsemi 的 NVMFS6H800NL 功率 MOSFET 具有诸多优秀特性，在紧凑设计、低损耗、可靠性等方面表现出色。但在实际应用中，工程师还需要根据具体的电路需求和工作条件，综合考虑各项参数，以充分发挥该器件的性能。大家在使用这款器件时，有没有遇到过什么特别的问题呢？欢迎在评论区分享交流。