Everspin EMD4E001G-1Gb自旋转移扭矩MRAM内存芯片

作为自旋转移扭矩MRAM技术的先行者，Everspin推出的EMD4E001G芯片将MRAM容量提升至1Gb密度，为企业级SSD、计算存储及网络加速器提供了全新的数据缓冲区选择。

MRAM内存芯片EMD4E001G基于自旋转移扭矩MRAM技术打造，属于ST-DDR4接口的非易失性随机存取存储器系列。MRAM内存芯片内部采用16个存储体的创新架构设计，通过8n预取架构实现高速数据传输。在I/O引脚上，每个时钟周期可完成两个数据字的传输，这种设计使得667MHz速度选项下，每引脚传输速率可达1333MT/s，满足企业应用对吞吐性能的严苛需求。

MRAM内存芯片优势
1、数据持久性保障：与传统DRAM不同，MRAM技术无需定期刷新操作即可保持数据稳定。MRAM内存芯片EMD4E001G支持可选的刷新命令，允许从行地址缓冲区向永久存储阵列移动数据，在系统断电瞬间保护关键数据不丢失。

2、接口兼容性：MRAM内存芯片采用JEDEC标准的BGA封装方案，兼容ST-DDR4接口协议，使存储OEM厂商能够快速将MRAM集成到现有存储、计算和网络应用设计中，降低开发门槛。

3、MRAM内存芯片I/O流管理优化：更高密度的1Gb颗粒有助于实现更高效的I/O流调度机制。在固态硬盘中作为持久数据缓冲区使用时，能够创建更高级别的延迟确定性，帮助存储设备提升整体服务质量(QoS)。

MRAM内存芯片EMD4E001G的非易失特性允许系统在断电后快速恢复工作状态，而无需经历漫长的数据加载过程。对于需要频繁处理I/O请求的企业级存储系统而言，这种MRAM解决方案有助于减少数据在DRAM与NAND闪存之间的迁移次数，从系统层面优化整体能效比。英尚微代理Everspin、netsol多种高性能marm内存芯片，如需了解更多，搜索英尚微电子网页。

审核编辑 黄宇