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64GB 288 - Pin DDR4 RDIMM详细介绍

chencui 2026-04-08 15:30 次阅读
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64GB 288 - Pin DDR4 RDIMM详细介绍

在当今高速发展的电子科技领域,内存模块的性能和容量对系统的运行起着至关重要的作用。今天,我们就来深入探讨一下Micron的64GB (x72, ECC, DR) 288 - Pin DDR4 RDIMM。

文件下载:MTA36ASF8G72PZ-3G2E1.pdf

一、产品概述

这款64GB的288 - Pin DDR4 RDIMM是对Micron DDR4 RDIMM核心数据表的补充和升级。它具备DDR4的各项功能和操作特性,遵循组件数据表中的定义,同时支持Micron DDR4 RDIMM核心数据表中的特性和规格。

二、产品特性

1. 物理规格

  • 采用288 - pin的注册双列直插式内存模块(RDIMM)设计,这种设计在稳定性和扩展性方面表现出色。

    2. 数据传输速率

  • 支持快速的数据传输速率,包括PC4 - 3200和PC4 - 2933,能够满足不同应用场景下对数据传输速度的要求。

    3. 容量与结构

  • 总容量为64GB,具体为8 Gig x 72。采用双列设计,内部有16个存储体,分为4组,每组4个存储体。

三、产品选项

1. 工作温度

  • 商业级工作温度范围为0°C ≤ TPER ≤ 95°C。

    2. 封装

  • 采用288 - pin DIMM(无卤)封装,标记为Z。

    3. 频率与CAS延迟

  • 当频率为DDR4 - 3200(0.625ns @ CL = 22)时,标记为 - 3G2;当频率为DDR4 - 2933(0.682ns @ CL = 21)时,标记为 - 2G9。

四、寻址参数

Parameter 64GB
Row address 256K A[17:0]
Column address 1K A[9:0]
Device bank group address 4 BG[1:0]
Device bank address per group 4 BA[1:0]
Device configuration 16Gb (4 Gig x 4), 16 banks
Module rank address 2 CS_n[1:0]

这些寻址参数为内存的高效访问提供了基础,工程师在设计系统时需要根据这些参数来优化内存的使用。

五、部件编号与时序参数

部件编号 模块密度配置 内存时钟/数据速率 带宽 模块时钟周期 (CL - nRCD - nRP)
MTA36ASF8G72PZ - 3G2__ 64GB 8 Gig x 72 0.625ns/3200 MT/s 25.6 GB/s 22 - 22 - 22
MTA36ASF8G72PZ - 2G9__ 64GB 8 Gig x 72 0.682ns/2933 MT/s 23.47 GB/s 21 - 21 - 21

这里需要注意的是,所有部件编号末尾都有一个两位代码(未显示),用于指定组件和PCB的版本,具体版本代码需要咨询厂家。

六、重要注意事项和警告

1. 产品变更

Micron保留对文档中信息进行更改的权利,包括规格和产品描述等。本文件取代之前提供的所有信息。

2. 汽车应用

除非Micron在其数据表中明确指定为汽车级产品,否则该产品不适合用于汽车应用。如果将非汽车级产品用于汽车应用,经销商和客户需承担全部风险和责任,并赔偿Micron因此产生的所有索赔、成本、损失和费用。

3. 关键应用

该产品不授权用于关键应用,即Micron组件的故障可能直接或间接导致死亡、人身伤害、严重财产或环境损害的应用。客户需要在其应用中加入安全设计措施,以防止此类损害的发生。

4. 客户责任

客户负责使用Micron产品的系统、应用和产品的设计、制造和操作。所有半导体产品都有固有的故障率和有限的使用寿命,客户有责任确定Micron产品是否适合其系统、应用或产品,并确保应用和产品中包含足够的设计、制造和操作保障措施。

5. 有限保修

除非Micron正式授权代表签署的书面协议中明确规定,否则Micron不对任何间接、偶然、惩罚性、特殊或后果性损害负责。

七、DQ映射

文档中提供了详细的组件到模块的DQ映射表,包括正面(R/C - B3)和背面(R/C - B3)的映射关系。这些映射关系对于工程师在设计电路板时正确连接内存模块和其他组件至关重要。

八、功能框图

功能框图展示了该内存模块的内部结构和信号连接方式。从图中可以看到,模块分为Rank 0(U2 - U6, U8 - U20)和Rank 1(U21 - 38),包含了各种控制、命令、地址和时钟线的连接,以及数据传输和校准相关的信号。每个DDR4组件上的ZQ球连接到一个外部240Ω ±1%的接地电阻,用于组件的ODT和输出驱动器的校准。

在实际的电子设计中,我们需要根据这些信息来合理布局电路板,确保信号的稳定传输和内存模块的正常工作。大家在使用这款内存模块时,是否遇到过一些特殊的问题或者有独特的设计思路呢?欢迎在评论区分享交流。

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