MR25H40VDF是Everspin公司推出的一款基于四路串行外设接口(SPI)的MRAM芯片,隶属于MR2xH40系列。MRAM芯片MR2xH40系列是SPI接口MRAM系列,其存储器阵列逻辑组织为512Kx8使用的片选(CS)、串行输入(SI)、串行输出(SO)和串行时钟(SCK)的四引脚接口串行外设接口(SPI)总线。MRAM芯片执行SPI EEPROM通用的命令子集和SPI闪存器件。这允许SPI MRAM在同一个插座中替换这些元件并在共享SPI总线上互操作。SPI MRAM提供卓越的写入速度、无限的耐用性、低与其他串行内存alternatives相比,MRAM芯片的待机和工作功率以及简单、可靠的数据保持能力。

MRAM芯片具备出色的写入速度、几乎无限的读写耐久性、低功耗以及可靠的数据保持能力,特别适合需要快速存取数据且对引脚数量有严格限制的应用场景。MRAM芯片MR25H40VDF支持最高40MHz的读写频率,兼具非易失性特性,数据可稳定保存超过20年,并在断电时自动保持数据内容不丢失。MRAM芯片提供符合AEC-Q100 1级标准的车规级选项,满足工业及汽车应用对可靠性的严苛要求。其工作电压为3.3V,采用符合RoHS标准的8-DFN封装,便于集成与布板设计。
在总线连接方面,多个MRAM芯片可共享SCK、SO和SI引脚,每个设备需单独控制CS和HOLD引脚,从而实现总线扩展与设备管理。CS引脚为低电平有效,当CS处于高电平时,芯片进入待机模式以降低功耗,此时输入信号被忽略,SO引脚呈高阻态。
英尚微电子是一家拥有超过15年行业经验,集研发、销售与服务于一体的芯片技术企业。作为Everspin公司的一级代理,公司提供涵盖高精度、低功耗及数字接口的MRAM芯片产品组合,具备良好的线性响应与高集成度,若您有产品相关的技术咨询、选型需求或应用支持,欢迎访问英尚微电子官方网站获取进一步信息。
审核编辑 黄宇
-
MRAM
+关注
关注
1文章
253浏览量
32979 -
everspin
+关注
关注
0文章
31浏览量
12097
发布评论请先 登录
串行mram磁性随机存储器的工作原理与存储机制
串行NETSOL自旋转移扭矩磁阻随机存取存储器STT-MRAM
Everspin EMD4E001G-1Gb自旋转移扭矩MRAM内存芯片
中科芯CKS32F107XX系列MCU的串行外设接口介绍
Everspin的MRAM芯片存储技术工作原理
Everspin串口MRAM芯片常见问题
Everspin256Kb串行SPI接口MRAM芯片分享
串行接口MRAM存储芯片面向工业物联网和嵌入式系统的应用
MRAM存储器EMD4E001G-1Gb的优势介绍
Everspin存储器8位并行总线MRAM概述
Everspin串口MRAM存储芯片有哪些型号
MAX9249多媒体串行链路串行器,带有LVDS系统接口技术手册
MAX9266 HDCP多媒体串行链路解串器,带有LVDS系统接口技术手册
MAX14830四通道串行UART,具有128字FIFO技术手册
Everspin四路串行外设接口MRAM芯片
评论