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标签 > MRAM
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一种非易失性(Non-Volatile)的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力,以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以无限次地重复写入。
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FeRAM,全称Ferroelectric RAM(铁电随机存取存储器),是一种基于铁电材料特性的非易失性存储器技术。它类似于传统的SDRAM(同步动态...
探索存内计算—基于 SRAM 的存内计算与基于 MRAM 的存算一体的探究
本文深入探讨了基于SRAM和MRAM的存算一体技术在计算领域的应用和发展。首先,介绍了基于SRAM的存内逻辑计算技术,包括其原理、优势以及在神经网络领域...
在嵌入式存储应用中,串口MRAM芯片凭借其非易失性、高速度及高耐用性受到广泛关注。作为磁性随机存储器技术的代表,Everspin磁性随机存储器在工业控制...
在需要高速数据读写与高可靠性的现代电子系统中,传统存储技术往往面临写入速度慢、耐久性有限等挑战。Everspin公司推出的MR25H256系列MRAM芯...
英尚微电子所代理的Everspin xSPI串行接口MRAM存储芯片,基于最新的JEDEC xSPI标准与独有的STT-MRAM技术构建,这款串行接口M...
在当今对数据持久性与系统可靠性要求极高的企业基础设施和数据中心中,Everspin推出的自旋转移扭矩MRAM(STT-MRAM)存储器——EMD4E00...
在需要高速数据写入与极致可靠性的工业与数据中心应用中,Everspin推出的8位位并行接口MRAM树立了性能与耐用性的新标杆。这款Everspin存储器...
MRAM是一种利用电子的自旋磁性来存储信息的非易失性存储器。它完美结合了SRAM的高速读写特性与闪存(Flash)的非易失性,能够在断电后永久保存数据,...
作为磁阻存储器领域的重要分支,SOT-MRAM因其独特的写入机制与结构设计,正成为高性能MRAM研发的热点方向。该技术利用具有强自旋轨道耦合效应的材料层...
2025-10-24 标签:MRAM 230 0
嵌入式闪存及其对应的离片NOR闪存,在非易失性内存领域(即用于持久性或长期数据存储)多年来占据着标准地位。然而,随着工艺技术尺寸缩小至28nm以下,这些...
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