安森美 (onsemi) NVBG050N170M1碳化矽（SiCSiC）MOSFET是1700V M1平面SiC MOSFET系列的一部分，该系列专为快速开关应用而优化。此MOSFET具有最大76mΩ（在20V最大RDS(ON) 、1700V漏极至源极电压、50A漏极连续电流和超低栅极充电/电荷（典型 QG(tot) = 107nC）时）。NVBG050N170M1 SiC MOSFET的有效输出电容较低（典型Coss = 97pF），栅极至源极电压为-15V/+25V。该碳化硅MOSFET 100%经过雪崩测试，采用D2PAK-7L封装。NVBG050N170M1碳化矽（SiC）MOSFET为无铅2LI，不含卤化物，符合RoHS标准，豁免7a条。典型应用包括反激式转换器、电动汽车/混合动力汽车用DC-DC转换器以及车载充电器（OBC）。

数据手册：*附件：onsemi NVBG050N170M1碳化矽（SiC）MOSFET数据手册.pdf

特性

• 典型RDS(on) = 53mΩ（VGS = 20V）
• 超低栅极电荷（典型QG(tot) = 107nC）
• 低有效输出电容（典型Coss = 97pF）
• 100% 经雪崩测试
• 不含卤素
• 符合RoHS指令（7a豁免）
• 无铅2LI（二级互连）

MOSFET概述

典型特性

尺寸

onsemi NVBG050N170M1 碳化矽 MOSFET 技术解析与应用指南

一、产品概述

‌NVBG050N170M1‌ 是安森美(onsemi)推出的EliteSiC系列1700V碳化矽MOSFET，采用D2PAK-7L封装，具备53mΩ的超低导通电阻和优异的开关特性。该器件专为‌电动汽车/混合动力汽车‌的‌ 车载充电器(OBC) ‌ 和‌DC-DC变换器‌等高压应用场景设计。

二、核心技术特性

2.1 电气性能参数

• ‌击穿电压‌：1700V (V(BR)DSS)
• ‌导通电阻‌：典型值53mΩ @ VGS=20V, ID=35A, TJ=25°C
• ‌最大连续漏极电流‌：
  • 50A @ TC=25°C
  • 35A @ TC=100°C
• ‌栅极电荷‌：总电荷典型值107nC，阈值电荷7.6nC

2.2 开关特性优势

• ‌极低输出电容‌：典型值97pF (Coss)
• ‌快速开关能力‌：
  • 开启延迟时间：14ns
  • 上升时间：22ns
• ‌开关损耗‌：在VDS=1200V, ID=35A条件下，总开关损耗典型值1001mJ

2.3 热管理特性

• ‌结壳热阻‌：0.39°C/W (RθJC)
• ‌工作结温范围‌：-55°C至+175°C
• ‌雪崩能量‌：单脉冲260mJ (EAS)

三、关键技术创新

3.1 栅极驱动优化

‌推荐工作电压范围‌：-5V至+20V，提供更安全的驱动裕量。与传统硅基MOSFET相比，碳化矽器件需要更负的关断电压以确保可靠性。

3.2 体二极管特性

• ‌连续源极电流‌：87A (体二极管)
• ‌反向恢复时间‌：27ns
• ‌反向恢复电荷‌：233nC

3.3 温度稳定性

导通电阻在高温下表现稳定：

• 25°C时：53mΩ
• 175°C时：107mΩ
  温度系数为正，有利于并联应用的均流。

四、应用设计指南

4.1 栅极驱动设计

• ‌驱动电压‌：建议使用-5V关断，+20V开启
• ‌栅极电阻‌：外部栅极电阻影响开关损耗，需根据实际应用优化选择

4.2 散热设计考量

基于热阻参数，设计散热系统时需确保：

• 最大结温不超过175°C
• 考虑瞬态热阻抗对脉冲功率处理能力的影响

4.3 保护电路设计

• ‌雪崩能量‌：器件经过100%雪崩测试，在设计中可利用此特性实现有效的过压保护

五、典型应用场景

5.1 电动汽车充电系统

在车载充电器中，该器件的高压特性支持直接处理电网电压，简化电路拓扑。

5.2 高压DC-DC变换器

适用于电动汽车动力电池系统中的高压直流变换，提供高效率的功率转换。

5.3 工业电源系统

在工业应用中，1700V的击穿电压为三相380V系统提供充足的电压裕量。

六、设计注意事项

6.1 极限参数遵守

• ‌绝对最大栅源电压‌：-15V/+25V
• ‌最大功耗‌：385W @ TC=25°C

6.2 PCB布局建议

• 充分利用D2PAK-7L封装的多个源极引脚，降低寄生电感
• 为栅极驱动提供低阻抗回路，确保开关稳定性