onsemi碳化硅MOSFET NVBG075N065SC1深度剖析

作为一名电子工程师，在设计过程中，选择合适的功率器件至关重要。今天，我们就来深入了解onsemi推出的碳化硅（SiC）MOSFET——NVBG075N065SC1，看看它有哪些特性和优势。

文件下载：NVBG075N065SC1-D.PDF

一、核心特性

低导通电阻

NVBG075N065SC1具有极低的导通电阻。在 (V{GS}=18V) 时，典型 (R{DS(on)}=56mOmega)；在 (V{GS}=15V) 时，典型 (R{DS(on)}=75mOmega)。低导通电阻意味着在导通状态下，器件的功率损耗更小，能够提高系统的效率，减少发热，这对于高功率应用来说尤为重要。

低门极电荷和输出电容

该器件拥有超低的门极电荷 (Q{G(tot)} = 59nC) 和低输出电容 (C{oss}=109pF)。低门极电荷可以降低驱动功率，减少开关损耗，提高开关速度；低输出电容则有助于减少开关过程中的能量损耗，提高系统的整体性能。

可靠性高

它经过了100%雪崩测试，符合AEC - Q101标准，并且具备PPAP能力，同时满足RoHS标准。这表明该器件在汽车等对可靠性要求极高的应用场景中，能够稳定可靠地工作，为系统的安全性提供了保障。

二、典型应用

NVBG075N065SC1主要应用于汽车领域，包括汽车车载充电器和电动汽车/混合动力汽车的DC/DC转换器。在这些应用中，对功率器件的效率、可靠性和散热性能都有很高的要求，而该器件的特性正好能够满足这些需求。

三、最大额定值

器件的最大额定值是我们在设计过程中必须要关注的参数。以下是一些关键的最大额定值：	参数	符号	值	单位
漏源电压	(V_{DSS})	650	V
栅源电压	(V_{GS})	-8/+22	V
推荐栅源电压	(V_{GSop})	-5/+18	V
稳态连续漏极电流（(T_C = 25^{circ}C)）	(I_D)	37	A
稳态连续漏极电流（(T_C = 100^{circ}C)）	(I_D)	26	A
脉冲漏极电流（(T_C = 25^{circ}C)）	(I_{DM})	101	A
工作结温和存储温度范围	(TJ, T{stg})	-55 to +175	(^{circ}C)

需要注意的是，超过这些最大额定值可能会损坏器件，影响其功能和可靠性。

四、热特性

热特性对于功率器件的性能和寿命至关重要。NVBG075N065SC1的热阻参数如下：	参数	符号	典型值	最大值	单位
结到壳热阻	(R_{theta JC})	1.08	-	(^{circ}C/W)
结到环境热阻	(R_{theta JA})	-	40	(^{circ}C/W)

在设计散热系统时，我们需要根据这些热阻参数来合理设计散热方案，确保器件在工作过程中能够保持在合适的温度范围内。

五、电气特性

关断特性

• 漏源击穿电压：在 (V_{GS}=0V)，(ID = 1mA) 时，(V{(BR)DSS}) 为 650V。
• 零栅压漏电流：在 (V_{GS}=0V)，(TJ = 25^{circ}C)，(V{DS}=650V) 时，(I_{DSS}) 为 10μA；在 (TJ = 175^{circ}C) 时，(I{DSS}) 为 1mA。
• 栅源泄漏电流：在 (V{GS}= +18/ - 5V)，(V{DS}=0V) 时，(I_{GSS}) 为 250nA。

导通特性

• 推荐栅极电压：(V_{GOP}) 为 -5V。
• 导通电阻：在 (V_{GS}=18V)，(I_D = 15A)，(TJ = 175^{circ}C) 时，(R{DS(on)}) 为 70mΩ。

开关特性

• 导通延迟时间：在 (V{GS}= - 5/18V)，(V{DS}=400V)，(I_D = 15A)，(RG = 2.2Omega) 时，(t{d(ON)}) 为 9ns。
• 关断延迟时间：在上述条件下，为 12ns。
• 下降时间：(t_f) 为 8ns。
• 导通开关损耗：为 μJ（文档未明确具体值）。
• 关断开关损耗：(E_{OFF}) 为 12μJ。
• 总开关损耗：为 47μJ。

源漏二极管特性

• 连续源漏二极管正向电流：在 (V_{GS}= - 5V)，(TJ = 25^{circ}C) 时，(I{SD}) 为 32A。
• 脉冲源漏二极管正向电流：在 (V_{GS}= - 5V)，(TJ = 25^{circ}C) 时，(I{SDM}) 为 101A。
• 正向二极管电压：在 (V{GS}= - 5V)，(I{SD}=15A)，(TJ = 25^{circ}C) 时，(V{SD}) 为 4.4V。

六、典型特性曲线

文档中还给出了一系列典型特性曲线，如导通区域特性、归一化导通电阻与漏极电流和栅极电压的关系、导通电阻随温度的变化、导通电阻与栅源电压的关系等。这些曲线能够帮助我们更直观地了解器件在不同工作条件下的性能表现，在设计过程中合理选择工作点。

七、封装与订购信息

NVBG075N065SC1采用D2PAK - 7L封装，每盘800个，采用带盘包装。关于带盘规格的详细信息，可以参考相关的包装规格手册。

在实际设计中，我们需要根据具体的应用需求，综合考虑器件的各项特性和参数，确保设计出的系统能够稳定、高效地运行。大家在使用这款器件时，有没有遇到过什么问题或者有什么独特的设计经验呢？欢迎在评论区分享交流。