深入解析NVD5490NL：高性能N沟道MOSFET的卓越之选

在电子工程师的日常设计工作中，MOSFET是极为常见且关键的元件，它在各类电路中发挥着重要作用。今天，我们就来详细剖析一款高性能的N沟道MOSFET——NVD5490NL。

文件下载：NVD5490NL-D.PDF

产品概述

NVD5490NL是一款由安森美（ON Semiconductor）推出的单N沟道MOSFET，具有60V的耐压能力，最大连续漏极电流可达17A。这款MOSFET专为降低导通损耗和提高电流处理能力而设计，适用于多种应用场景。

产品特性

低导通电阻

NVD5490NL具有低 (R{DS(on)}) 的特性，在10V栅源电压下， (R{DS(on)}) 低至64mΩ；在4.5V栅源电压下， (R_{DS(on)}) 为85mΩ。低导通电阻能够有效降低导通损耗，提高电源效率，这对于追求高效能的电路设计至关重要。

高电流能力

该MOSFET具备高电流处理能力，最大连续漏极电流可达17A，能够满足高功率应用的需求。

雪崩能量指定

产品对雪崩能量进行了明确指定，确保在雪崩击穿时能够安全工作，提高了产品的可靠性。

汽车级认证

NVD5490NL通过了AEC - Q101认证，并且具备PPAP能力，适用于汽车电子等对可靠性要求极高的应用场景。

环保设计

此产品为无铅、无卤素/BFR自由，并且符合RoHS标准，体现了环保理念。

关键参数

最大额定值

参数	符号	值	单位
漏源电压	(V_{DSS})	60	V
栅源电压	(V_{GS})	20	V
连续漏极电流（ (T_C = 25^{circ}C) ）	(I_D)	17	A
连续漏极电流（ (T_C = 100^{circ}C) ）	(I_D)	12	A
稳态功率耗散（ (T_C = 25^{circ}C) ）	(P_D)	49	W
稳态功率耗散（ (T_C = 100^{circ}C) ）	(P_D)	24	W
脉冲漏极电流（ (T_A = 25^{circ}C) ， (t_p = 10mu s) ）	(I_{DM})	71	A
工作结温和存储温度	(TJ)， (T{stg})	-55 至 175	°C
源极电流（体二极管）	(I_S)	41	A
单脉冲漏源雪崩能量（ (TJ = 25^{circ}C) ， (V{DD} = 30V) ， (V{GS} = 10V) ， (I{L(pk)} = 9.0A) ， (L = 1.0mH) ， (R_G = 25Omega) ）	(E_{AS})	41	mJ
焊接用引脚温度（距外壳1/8英寸，10s）	(T_L)	260	°C

电气特性

参数	符号	测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
漏源击穿电压	(V_{(BR)DSS})	(V_{GS} = 0V) ， (I_D = 250mu A)	60	-	-	V
零栅压漏极电流（ (T_J = 25^{circ}C) ）	(I_{DSS})	(V{GS} = 0V) ， (V{DS} = 60V)	-	-	1.0	(mu A)
零栅压漏极电流（ (T_J = 125^{circ}C) ）	(I_{DSS})	(V{GS} = 0V) ， (V{DS} = 60V)	-	-	10	(mu A)
栅源泄漏电流	(I_{GSS})	(V{DS} = 0V) ， (V{GS} = 20V)	-	-	100	nA
栅极阈值电压	(V_{GS(TH)})	(V{GS} = V{DS}) ， (I_D = 250mu A)	1.5	2.5	-	V
漏源导通电阻（ (V_{GS} = 10V) ， (I_D = 9A) ）	(R_{DS(on)})	-	46	64	mΩ
漏源导通电阻（ (V_{GS} = 4.5V) ， (I_D = 9A) ）	(R_{DS(on)})	-	66	85	mΩ
正向跨导	(g_{FS})	(V_{DS} = 15V) ， (I_D = 20A)	15	-	-	S
输入电容	(C_{iss})	(V{GS} = 0V) ， (f = 1.0MHz) ， (V{DS} = 25V)	-	365	-	pF
输出电容	(C_{oss})	-	-	91	-	pF
反向传输电容	(C_{rss})	-	-	46	-	pF
总栅极电荷（ (V_{DS} = 48V) ， (ID = 9A) ， (V{GS} = 4.5V) ）	(Q_{G(TOT)})	-	7.8	-	nC
总栅极电荷（ (V_{DS} = 48V) ， (ID = 9A) ， (V{GS} = 10V) ）	(Q_{G(TOT)})	-	14	-	nC
阈值栅极电荷	(Q_{G(TH)})	(V_{DS} = 48V) ， (ID = 9A) ， (V{GS} = 10V)	-	0.4	-	nC
栅源电荷	(Q_{GS})	(V_{DS} = 48V) ， (ID = 9A) ， (V{GS} = 10V)	-	1.5	-	nC
栅漏电荷	(Q_{GD})	(V_{DS} = 48V) ， (ID = 9A) ， (V{GS} = 10V)	-	5.4	-	nC
栅极电阻	(R_G)	-	-	7	(Omega)

开关特性

参数	(V_{GS} = 4.5V)	(V_{GS} = 10V)
开启延迟时间 (t_{d(on)})	9.4 ns	6.7 ns
上升时间 (t_r)	57 ns	17 ns
关断延迟时间 (t_{d(off)})	24 ns	34 ns
下降时间 (t_f)	35 ns	34 ns

漏源二极管特性

参数	测试条件	(T_J = 25^{circ}C)	(T_J = 125^{circ}C)	单位
正向二极管电压 (V_{SD})	(V_{Gs} = 0V) ， (I_s = 9A)	0.97	0.87	V
反向恢复时间 (t_{rr})	(Is = 20.5A{dc}) ， (V_{Gs} = 0V) ， (dI_s/dt = 100A/mu s)	-	-	25	ns
充电时间 (t_a)	-	-	-	20	-
放电时间 (t_o)	-	-	-	5.0	-
反向恢复存储电荷 (Q_{RR})	-	-	-	27	nC

典型特性曲线

文档中给出了多个典型特性曲线，包括导通区域特性、传输特性、导通电阻与栅源电压关系、导通电阻与漏极电流和栅极电压关系、导通电阻随温度变化、漏源泄漏电流与电压关系、电容变化、栅源和漏源电压与总电荷关系、电阻性开关时间随栅极电阻变化、二极管正向电压与电流关系、最大额定正向偏置安全工作区、最大雪崩能量与起始结温关系以及热响应等曲线。这些曲线能够帮助工程师更好地了解NVD5490NL在不同工作条件下的性能表现，为电路设计提供重要参考。

封装与订购信息

NVD5490NL采用DPAK封装，有两种订购型号：NVD5490NLT4G和NVD5490NLT4G - VF01，均为无铅封装，每盘2500个，采用卷带包装。

应用建议

在使用NVD5490NL进行电路设计时，工程师需要注意以下几点：

1. 考虑实际应用环境对热阻的影响，确保MOSFET工作在安全的温度范围内。
2. 在设计开关电路时，根据具体的应用需求选择合适的栅极驱动电压和电阻，以优化开关性能。
3. 对于汽车电子等对可靠性要求极高的应用，要严格遵循相关标准和规范。

NVD5490NL凭借其低导通电阻、高电流能力、雪崩能量指定等特性，成为电子工程师在设计各类电路时的理想选择。通过深入了解其参数和特性，工程师能够更好地发挥该MOSFET的性能优势，设计出高效、可靠的电路。大家在实际应用中是否遇到过类似MOSFET的使用问题呢？欢迎在评论区分享交流。