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‌TPS1212-Q1 低功耗汽车高边开关控制器技术文档总结

科技绿洲 2025-09-26 14:11 次阅读
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TPS1212-Q1 是一系列具有保护和诊断功能的低智商智能高侧驱动器。该器件具有 3.5V 至 73V、74V absmax 的宽工作电压范围,适用于 12V、24V 和 48V 汽车系统设计。

这些器件具有两个集成栅极驱动器,分别为 0.5A/2A (GATE) 和 100μA/0.39A (G)。当LPM为低电平时,低功耗路径保持导通,主FET关闭,IQ为20μA (典型值)。自动负载唤醒阈值使用放置在DRN和CS2–上的RBYPASS电阻器进行调整。在EN/UVLO低电平时,IQ降至1μA(典型值)。
*附件:tps1212-q1.pdf

该器件具有精确的双向电流检测 (±2%) 输出 (IMON),并使用外部 RSNS 电阻器和 FLT 指示器提供基于 I2t 的可调过流和短路保护。可以配置自动重试和锁存故障行为。该器件还具有基于NTC的温度传感(TMP)和监控输出(ITMPO)输出,用于外部FET的过温检测。

TPS1212-Q1 采用 23 引脚 VQFN 封装。

特性

  • AEC-Q100 汽车级温度认证
  • 功能安全功能
  • 3.5V 至 73V 输入范围(绝对最大值 74V)
  • 反向输入和输出保护低至–65V
  • 集成 12V 电荷泵
  • 低功耗模式下低IQ = 20μA (LPM = 低)
  • 1μA低关断电流(EN/UVLO = 低电平)
  • 双栅极驱动:GATE:0.5A src/2A sink,G:100μA src/0.39A sink
  • 精确的 I2t 过流保护 (IOC),具有可调节的断路器定时器 (I2t)
  • 准确快速(5μs)短路保护
  • 使用可调节负载唤醒阈值或带唤醒指示的 LPM 触发器从低功耗模式快速过渡 (5μs) 到活动模式
  • 精确的模拟双向电流监测器输出(IMON,I_DIR):30mV VSNS 时为 ±2%
  • 基于 NTC 的过温传感 (TMP) 和监控输出 (ITMPO)
  • 短路故障期间的故障指示 (FLT)、I2t、电荷泵 UVLO、过热
  • TPS12120-Q1(启用 I2t)、TPS12121-Q1(禁用 I2t)
  • 精确 (±2%) 和可调欠压锁定 (UVLO)

参数

image.png

方框图

image.png
TPS1212-Q1 低功耗汽车高边开关控制器技术文档总结

1. 产品概述
TPS1212-Q1是德州仪器(TI)推出的汽车级高边开关控制器系列,专为12V/24V/48V汽车系统设计,具有双向电流监测(IMON)、低功耗模式(LPM)、负载唤醒、I²t过流保护及诊断功能。

  • 关键特性‌:
    • 宽输入电压范围:3.5V至73V(绝对最大值74V),支持-65V反向保护。
    • 低静态电流:20µA(低功耗模式)、1µA(关断模式)。
    • 集成双路栅极驱动:主路径(GATE)0.5A/2A驱动能力,旁路(G)100μA/0.39A驱动能力。
    • 精准双向电流监测(±2%精度)及可调I²t过流保护。
    • 支持NTC温度传感,提供外部FET过热监测(ITMPO输出)。

2. 应用场景

3. 核心功能详解

  • 低功耗模式(LPM) ‌:通过LPM引脚控制,关闭主FET以降低功耗,保留旁路路径维持唤醒功能。
  • 负载唤醒‌:通过DRN-CS2间电压阈值(可调)自动唤醒至主动模式。
  • 保护机制‌:
    • I²t过流保护‌:基于外部RSNS电阻和CI2t电容配置保护阈值。
    • 短路保护(SCP) ‌:响应时间5µs,支持自动重试或锁存模式。
    • 温度保护‌:NTC监测外部FET温度,触发FLT故障指示。

4. 封装与引脚

  • 封装‌:23引脚VQFN(4mm×4mm)。
  • 关键引脚‌:
    • EN/UVLO‌:使能/欠压锁定输入,支持外部电阻分压设置阈值。
    • FLT/WAKE‌:开漏输出,分别指示故障和唤醒事件。
    • IMON/I_DIR‌:双向电流模拟输出及方向指示。

5. 电气特性

  • 工作温度‌:-40℃至150℃(结温)。
  • 电荷泵‌:12V输出,支持快速栅极驱动切换(典型开关延迟2.5µs)。
  • 电流监测精度‌:±2%(30mV VSNS时)。

6. 设计支持

  • 提供典型应用电路图,包括PAAT负载驱动和容性负载充电方案。
  • 布局建议:强调BST电容(≥0.1µF)和电流检测电阻(RSNS)的靠近放置。

7. 安全与认证

  • AEC-Q100 Grade 1认证,支持功能安全文档(ISO 26262)。
  • ESD保护:HBM ±2kV,CDM ±500V。
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