Texas Instruments DRV8251 4.1A有刷直流电机驱动器是一款集成电机驱动器,具有N沟道半桥、电荷泵、电流调节和保护电路。电荷泵通过支持N沟道MOSFET半桥和100%占空比驱动来提高效率。DRV8251通过比较ISEN引脚上电流检测分流电阻器上的模拟输入VREF和电压来进行电流调节 限流能力可显著降低电机启动和失速情况下的大电流。
数据手册;*附件:Texas Instruments DRV8251 4.1A有刷直流电机驱动器数据手册.pdf
低功耗休眠模式通过关断大部分内部电路来实现超低静态电流消耗。内部保护特性包括电源欠压闭锁、输出过流和器件过热。Texas Instruments DRV8251是一系列器件的一部分,具有引脚对引脚、可扩展R DS(on) 和电源电压选项,支持各种负载和电源轨,设计变化极小。
特性
- N通道H桥有刷直流电机驱动器
- 工作电源电压范围:4.5V至48V
- 引脚对引脚、R
DS(on)、电压和电流检测/调节型号(外部分流电阻器和集成电流镜) - 支持1.8V、3.3V和5V逻辑输入
- 集成电流调节
- 低功率睡眠模式
- <1µA(V
VM=24V,TJ=25°C时)
- <1µA(V
- 小型封装尺寸和占位面积
- 8引脚HSOP封装,带有PowerPAD™,4.9mm × 6.0mm
- 集成保护特性
- VM欠压闭锁 (UVLO)
- 锁存过流保护 (OCP)
- 热关断 (TSD)
功能框图

基于DRV8251的有刷直流电机驱动器技术解析与应用
一、DRV8251概述
DRV8251是德州仪器(TI)推出的一款高性能有刷直流电机驱动器,属于其电机驱动器产品线中的重要成员。这款集成式驱动器采用N沟道H桥架构,具有4.5V至48V的宽工作电压范围和4.1A的峰值输出电流能力。
主要特性
- 高效能设计:450mΩ(典型值)的RDS(on)显著降低导通损耗
- 灵活供电:支持4.5V至48V宽电压输入范围
- 智能保护:集成欠压锁定(UVLO)、过流保护(OCP)和热关断(TSD)
- 低功耗模式:睡眠模式下电流小于1μA
- 紧凑封装:8引脚HSOP带PowerPAD™封装(4.9×6.0mm)
二、核心技术解析
2.1 电流调节功能
DRV8251的核心创新之一是其集成的电流调节系统。通过外部检测电阻(ISEN引脚)和VREF引脚的模拟电压输入,驱动器可以精确控制电机电流:
ITRIP = AV × (VREF/RSENSE) = 10 × (VREF/RSENSE)
这一特性对于限制电机启动和堵转时的大电流尤为重要,能有效保护电机和驱动电路。
2.2 PWM控制接口
器件支持高达200kHz的PWM控制频率,兼容1.8V、3.3V和5V逻辑输入。通过IN1和IN2引脚的不同组合,可实现四种工作模式:
- 正转驱动 (IN1=1, IN2=0)
- 反转驱动 (IN1=0, IN2=1)
- 制动模式 (IN1=1, IN2=1)
- 滑行模式 (IN1=0, IN2=0)
2.3 保护机制
DRV8251集成了多重保护功能:
- VM欠压锁定:当电源电压低于4.15V(典型值)时自动禁用输出
- 过流保护:峰值电流超过阈值(3.7A@4.5≤VM<5.5V或4.1A@VM≥5.5V)时触发保护
- 热关断:结温超过175°C时自动关断,温度下降40°C后恢复
三、典型应用设计
3.1 电机驱动电路设计
典型应用电路包含以下关键元件:
3.2 堵转检测方案
通过外部电流检测放大器监测ISEN引脚电压,可实现智能堵转检测:
3.3 继电器驱动应用
DRV8251同样适用于驱动单线圈和双线圈继电器:
- 单线圈继电器:利用H桥的正反转功能控制继电器状态
- 双线圈继电器:将中心抽头接VM,仅需使用两个低侧驱动
四、选型指南
DRV8251属于TI有刷直流电机驱动器系列产品,与其他型号对比:
| 型号 | 供电电压 | RDS(on) | 电流反馈方式 | 封装 |
|---|---|---|---|---|
| DRV8870 | 6.5-45V | 565mΩ | 外部分流电阻 | HSOP |
| DRV8251 | 4.5-48V | 450mΩ | 外部分流电阻 | HSOP |
| DRV8251A | 4.5-48V | 450mΩ | 内部电流镜(IPROPI) | HSOP/WSON |
| DRV8231 | 4.5-33V | 600mΩ | 外部分流电阻 | HSOP |
五、应用领域
凭借其高性能和可靠性,DRV8251广泛应用于:
六、设计注意事项
- PCB布局:大电流路径应尽量短而宽,ISEN检测走线应远离噪声源
- 散热管理:充分利用PowerPAD™和多层PCB进行散热
- 电流检测:检测电阻功率需留有足够余量,建议采用多电阻并联方案
- 电源设计:VM引脚需靠近放置足够的去耦电容
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