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标签 > 半桥
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探索 onsemi SNXH800H120L7QDSG 半桥 IGBT 模块:高效与可靠的完美融合
在电子工程师的设计世界里,选择合适的功率模块至关重要。今天,我们就来深入了解 onsemi 的 SNXH800H120L7QDSG 半桥 IGBT 模块...
探索 onsemi NXH800H120L7QDSG 半桥 IGBT 模块:高效与可靠的完美结合
在电力电子领域,IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块一直是实现高效电能转换的核心组件。今天,我们将深入探讨 onsemi 推出的 NXH800H120L7...
基于onsemi FAD8253MX-1半桥栅极驱动器的技术深度解析
onsemi FAD8253MX-1半桥栅极驱动器IC是一款单片式器件,专为高压、高速驱动、工作电压高达+1200V的IGBT而设计。onsemi的高压...
基于onsemi EVBUM2880G-EVB评估板的1200V SiC MOSFET模块设计与应用
onsemi EVBUM2880G-EVB评估板设计用于评估1200V M3S半桥2包F1封装模块。Onsemi EVBUM2880G-EVB电路板可用...
STDRIVEG60015演示板技术解析:650V E模式GaN半桥驱动设计指南
STMicroelectronics EVSTDRIVEG60015演示板允许用户评估STDRIVEG600高速半桥栅极驱动器。STDRIVEG600经...
SH63N65DM6AG功率MOSFET技术解析:半桥拓扑的高效解决方案
STMicroelectronics SH63N65DM6AG功率MOSFET是一款汽车级N通道MDmesh DM6半桥拓扑功率MOSFET,提供650...
STMicroelectronics L99MH98汽车用八通道半桥前置驱动器技术解析
STMicroelectronics L99MH98汽车用八通道半桥前置驱动器可控制多达16个N沟道MOSFET,用于直流电机控制应用,例如汽车电动座...
功效:符合aec-q100汽车应用要求4、6、8、10和12个半桥输出4.5v至32v工作电压40v绝对最大电压每个输出1a rms电流并行输出的最大电...
2020-07-06 标签:半桥 1.3k 0
抢先看,行业首款用于半桥和全桥DC-DC转换器的100 V桥式功率级模块
通过集成所有的关键功率器件,安森美半导体优化了驱动器和MOSFET动态性能、系统寄生电感和功率MOSFET RDS(ON)方面的设计,从而保持尽可能最高的能效。
美国国家半导体公司今天宣布,推出业界首款针对高压电源转换器的增强型氮化镓(GaN)功率场效应晶体管(FET)而优化的100V半桥栅极驱动器
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