K计划项目组,7/19线上直播,坐标:天河星总部
主持人--何红星,K计划发起人
唐石平--K计划发起人,右一
嘉宾--黄耀宏,中

个人介绍
黄耀宏,深耕单板硬件领域,2022 年毕业后先入职拓邦,从测试工程师逐步转向研发,参与过 ST、乐鑫、新唐等品牌 MCU 的单板及主控板设计,涵盖双层板、四层工业级 PCB 设计与测试验证,积累了扎实的硬件电路应用经验。现任职于中敏半导体,专注于原厂 AFE 芯片硬件验证设计,对 AFE 在 BMS 领域的应用有深入理解。
技术分享核心内容
1. AFE 芯片原厂视角下,BMS 单板均衡电路均衡电阻的选型要点
从 AFE 芯片设计逻辑出发,均衡电阻选型需兼顾性能、稳定性与安全性,具体注意事项如下:
阻值精准计算与余量设计:阻值直接决定均衡电流,需结合 AFE 芯片内置均衡通道的 MOS 内阻综合计算。例如目标均衡电流 100mA 时,按均衡开启电压 3.6V(公式 R=U/I),理论阻值为 36Ω,但因内置均衡回路会分担部分电流,实际选型需预留余量,推荐 33Ω。若阻值过小,可能导致芯片发热过载;过大则均衡速度不足,无法满足电芯均衡需求。
封装与功率的匹配:根据功率公式 P=UI(如 3.6V×100mA=0.36W)选择封装,需保证功率冗余。以 100mA 均衡电路为例,1206 封装(额定功率 1/4W)可满足基础需求,但建议优先选择 1210 封装(更大功率冗余);若受 PCB 面积限制,可采用多电阻并联方案,但需平衡布局空间。
高精度保障均衡一致性:均衡电阻精度直接影响电芯电压采样精度和均衡稳定性,需选用 1% 或更高精度的电阻,避免因阻值偏差导致各通道均衡效果失衡。
2. BMS 单板设计中需重点关注的电容应用场景
电容选型不当可能引发电路失效,以下场景需特别注意:
AFE 芯片电源滤波电容:以中敏 16 串 AFE 芯片 5816 为例,其内部 LDO 输出的 VDD50、VDD18、VDD11 等电源轨,是电压采样、电流采样的核心工作电源,需在外部配置 4.7μF 的 X7R 材质贴片电容,耐压值需≥25V(预留充足冗余),确保电源纹波稳定,避免干扰采样精度。
总电压输入端电容:该位置电容需承受电芯总压及瞬态反灌电压,耐压冗余必须严格把控。曾出现实战案例:模拟 16 串电芯测试时,总压升至 72V,选用耐压 85V 的电解电容,断电瞬间因反灌电压超出耐压值,导致电容炸毁,连带烧毁 AFE 芯片和 MCU。因此,选型时耐压值需按总压的 1.5 倍以上设计(如 72V 总压需≥110V 耐压)。
3. 硬件工程师视角下的 K 计划价值
K 计划作为行业知识共享平台,对硬件工程师的成长具有重要意义:
共建共享的知识生态:平台汇聚行业资深工程师与专家的实战经验,尤其为 BMS 领域新人提供了快速入门的路径,可直接获取原理图设计、器件选型、失效分析等一线技术细节,减少试错成本。
助力持续技术提升:硬件技术迭代迅速,K 计划通过案例拆解、课程分层(如 L3 级深入原理剖析),帮助工程师从 “知其然” 到 “知其所以然”。例如通过掌握电阻、电容的基础公式(R=U/I、P=UI),可解决 80% 以上的实际问题,夯实技术根基。
开放的交流与成长机会:通过平台互动,能接触到不同企业的设计思路(如拓邦、中敏等的工程实践),拓宽技术视野,助力个人从 “项目执行者” 向 “系统设计者” 转型。黄耀宏表示,自身也通过 K 计划学习到工作中未触及的知识,期待更多工程师参与共建共创。

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