龙腾半导体推出1200V 50A IGBT

在功率器件快速发展的当下，如何实现更低的损耗、更强的可靠性与更宽的应用覆盖，成为行业关注焦点。龙腾半导体推出**1200V 50A Field Stop Trench IGBT**新品，专为高频应用场景设计。依托先进工艺平台与系统化设计能力，为工业逆变、UPS、新能源等场景注入高效驱动力。

产品型号：LKB50N120MF1M

产品特点

先进工艺，性能优越

本款IGBT采用Field Stop Trench技术平台，结合优化的沟槽栅结构，有效降低导通损耗和开关损耗，兼具高速开关能力与宽安全工作区（SOA），特别适用于高频工作环境下的系统应用，为客户带来更高的系统效率与运行可靠性。

优异的电性能指标

·集电极-发射极电压（Vce）：1200V

·额定电流（Ic）：50A

·最大功耗（Pd）：399W @ 25°C

·饱和压降Vce(sat)：典型值1.85V @ 25°C

·关断损耗Eoff：典型值 1.86mJ @ 25°C

完善的热/电特性曲线

从输出特性、开关损耗到结温限制，该器件在设计初期就充分考虑了客户实际应用工况的匹配需求，具备出色的热稳定性与抗冲击能力。

该款1200V IGBT特别适用于

1.UPS与数据中心电源

2.电焊机与感应加热设备

3.光伏与储能逆变器

4.电动车DC-AC/DC-DC变换