FGH50T65UPD 650V、50A 场截止沟道 IGBT：设计利器详解

一、引言

在电子工程领域，IGBT（绝缘栅双极晶体管）作为功率半导体器件，在众多电力电子应用中扮演着至关重要的角色。今天，我们就来详细探讨飞兆半导体的 FGH50T65UPD 650V、50A 场截止沟道 IGBT，看看它在实际应用中能为我们带来哪些优势。

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二、产品背景与公司信息

飞兆半导体已成为安森美半导体（ON Semiconductor）的一部分。由于系统要求，部分飞兆可订购的产品编号会有所改变，原编号中的下划线（_）将改为破折号（-），大家可在安森美官网核实更新后的器件编号。

安森美半导体拥有众多专利、商标等知识产权，其产品广泛应用于多个领域，但不建议将其产品用于生命支持系统、FDA 3 类医疗设备等关键应用。

三、FGH50T65UPD IGBT 特性

3.1 基本特性

• 高结温与并联优势：最大结温 (T_{J}=175^{circ}C)，且具有正温度系数，这使得它易于并联运行，能满足高电流需求。
• 低饱和电压：在 (I{C}=50A) 时，典型饱和电压 (V{CE (sat) }=1.65V)，有助于降低导通损耗。
• 测试与标准：器件 100% 经过 (LM(2)) 测试，具有高输入阻抗、紧密的参数分布，并且符合 RoHS 标准，环保又可靠。
• 短路耐用性：在 25°C 时，短路耐受时间大于 5µs，为系统提供了一定的安全保障。

3.2 应用领域

该 IGBT 适用于光伏逆变器、UPS、焊机、数码发电机、通信电源以及 ESS 等领域，这些领域对低导通和开关损耗有较高要求，而 FGH50T65UPD 正好能满足。

四、产品参数详解

4.1 绝对最大额定值

符号	说明	额定值	单位
(V_{CES})	集电极 - 发射极间电压	650	V
(V_{GES})	栅极 - 发射极间电压	± 20	V
瞬态栅极 - 发射极间电压		± 25	V
(I_{C})	集电极电流（(T_{C} = 25 °C)）	100	A
集电极电流（(T_{C} = 100 °C)）		50	A
(I_{CM (1)})	集电极脉冲电流	150	A
(I_{LM (2)})	箝位感性负载电流（(T_{C} = 25 °C)）	150	A
(I_{F})	二极管正向电流（(T_{C} = 25 °C)）	60	A
二极管正向电流（(T_{C} = 100 °C)）		30	A
(I_{FM(1)})	二极管最大正向脉冲电流	15