龙腾半导体推出全新第三代超结MOSFET技术平台

01为什么要推出 G3？

在碳中和与高功率密度的双重赛道上，电源工程师面临的挑战从未如此严峻：体积要更小，效率要更高，发热要更低。

今天，龙腾半导体正式交出答卷 --基于自主工艺路线开发的全新第三代（G3） 超结 MOSFET技术平台。

这不仅仅是一次产品迭代，更是我们对多层外延技术数年深耕的成果展示。我们不谈虚的“革命”，只谈它能为你的设计带来哪些实实在在的改变。

02四大硬核突破，重构性能边界

G3平台不是简单的参数微调，而是从元胞结构到制造工艺的系统性重塑。

极致紧凑：元胞间距压缩至5.5µm

这是目前国内同类产品中最紧凑的芯片结构之一。我们通过多层外延工艺与领先器件设计的高度匹配，打破了空间限制。这意味着在同样的封装体积下，你能获得更大的功率密度。对于车载充电器、高密度服务器电源等应用场景，G3 提供了全新的解题思路。

损耗探底：Rsp 9.0 mΩ·cm² (600V)

同等硅面积，更低阻抗，更少发热。在TO247封装下，我们成功将导通电阻做到14mΩ，逼近了硅基超结的理论极限。这意味着电流通道更“宽阔”，传导损耗被压到了极致。

极速开关：Qg ↓ 24%，Coss ↓ 50%

这是高频电源设计的福音。相比上一代 G1 平台，G3 在动态特性上实现了质的飞跃：

栅极电荷（Qg）降低 24%@10V，驱动更轻松，开关速度更快。

输出电容（Coss）降低 50%@400V，硬开关应力显著缓和。

关断损耗（Eoss）降低 40%@400V，使系统在更高频率下运行仍能保持低温与高效。

图：G3与G1的Eoss曲线比较

坚若磐石：工业级可靠性

无惧电网波动与负载突变，我们深知“炸机”是工程师的噩梦。G3 延续了我们对可靠性的偏执，在单脉冲雪崩能量（EAS）耐受能力和高温稳定性上做足了冗余，确保在严苛的工业、通信环境下依然稳如泰山。

03全拓扑兼容，哪里需要去哪里

G3系列的设计初衷就是“全能”。无论是追求极致效率的软开关，还是强调耐受性的硬开关，它都能胜任。

软开关场景： LLC 谐振变换器、ZVS 移相全桥

硬开关场景： PFC、TTF 拓扑

目标应用：

消费电子（快充、适配器、LED、TV、PC电源）

工业电源

数据中心与5G通信电源

新能源（光伏储能）

充电桩、车载充电机（OBC）