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onsemi NCP402045集成驱动器和MOSFET技术解析
安森美 NCP402045集成驱动器/MOSFET在单一封装中集成了MOSFET驱动器、高侧MOSFET、 和低侧MOSFET。该元件优化用于大电流直...
ADS9117 18位5MSPS SAR ADC,带ADC驱动器和基准电压源技术手册
ADS911x是18位高速模数转换器(ADC)系列,具有用于ADC输入的集成驱动器。集成的ADC驱动器简化了信号链,降低了精密应用的功耗,并支持超过1M...
LMG3522R030 650V 30mΩ GaN FET,集成驱动器、保护和温度报告数据手册
LMG352xR030 集成了一个硅驱动器,可实现高达 150V/ns 的开关速度。与分立硅栅极驱动器相比,TI 的集成精密栅极偏置可实现更高的开关 S...
LMG3527R030 650V 30mΩ GaN FET,集成驱动器、保护和零电流检测数据手册
LMG352xR030 集成了一个硅驱动器,可实现高达 150V/ns 的开关速度。与分立式硅栅极驱动器相比,TI 的集成精密栅极偏置可实现更高的开关 ...
LMG2656 650V、230mΩ GaN 半桥,集成驱动器、保护和电流检测数据手册
该LMG2656是650V 230mΩ GaN功率FET半桥。该LMG2656通过在6mm x 8mm QFN封装中集成半桥功率FET、栅极驱动器、自举...
技术资料#LMG3410R070 具有集成驱动器和保护功能的 600V 70mΩ GaN
LMG341xR070 GaN 功率级具有集成驱动器和保护功能,使设计人员能够在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。与硅 MOSFET 相比,L...
技术资料#LMG3411R070 具有集成驱动器和逐周期过流保护的 600V 70mΩ GaN
LMG341xR070 GaN 功率级具有集成驱动器和保护功能,使设计人员能够在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。与硅 MOSFET 相比,L...
技术资料#LMG3410R050 具有集成驱动器和保护功能的 600V 50mΩ GaN
LMG341xR050 GaN 功率级具有集成驱动器和保护功能,使设计人员能够在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。与硅 MOSFET 相比,L...
技术资料#LMG3411R050 具有集成驱动器和逐周期过流保护的 600V 50mΩ GaN
LMG341xR050 GaN 功率级具有集成驱动器和保护功能,使设计人员能够在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。与硅 MOSFET 相比,L...
瑞萨电子推出业界超高性能80V双向升降压和两相降压直流DC/DC控制器
ISL81801双向升降压和ISL81802两相降压控制器,可为48V电信、数据中心及工业应用可靠供电提供所需额外电压裕量。
瑞萨电子推出面向物联网基础设施系统的 第二代多相数字控制器和智能功率级单元模块(SPS)
瑞萨电子移动、基础设施及物联网电源事业部副总裁Andrew Cowell表示:“瑞萨电子为客户打造了业界广泛的数字多相产品系列,是唯一可为1000A+超...
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