新品 | 符合AQG324标准的车载充电用CoolMOS™ CFD7A 650V EasyPACK™模块
新品
符合AQG324标准的车载充电用
CoolMOS CFD7A 650V
EasyPACK模块
符合AQG324标准的EasyPACK采用了最新的CoolMOS CFD7A 650V芯片和一个集成的直流缓冲器Snubber电路。完美的性价比组合，适用于车载充电器和电动汽车辅助系统应用。
产品型号：
■F4-35MR07W1D7S8_B11/A
产品特点
高度可靠的压接式针脚
预涂热界面材料（可选）
可实现紧凑系统设计
可集成SMD
应用价值
引脚-PCB连接非常良好
更好的热性能
减少装配工作量
设计自由度更高
减少器件并联
竞争优势
可进行灵活的引脚设计
降低系统成本
可实现紧凑系统设计
应用领域
电动汽车车载充电OBC
框图
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
充电
+关注
关注
23文章
1418浏览量
97953 -
车载
+关注
关注
18文章
671浏览量
84456 -
CoolMOS
+关注
关注
0文章
27浏览量
17504
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
onsemi NXVF6532M3TG01 650V EliteSiC H桥功率模块技术解析
安森美 (onsemi) NXVF6532M3TG01 650V EliteSiC H桥功率MOSFET模块专为汽车及工业环境中要求严苛的功率转换应用而设计。安森美 (onsemi
合科泰650V高压MOS管HKTD7N65的特性和应用
在工业电源、电机驱动及照明系统等高压应用场景中，功率MOS管的可靠性、能效与成本控制直接决定了终端产品的市场竞争力。合科泰电子推出的高压MOS管 HKTD7N65，凭借650V耐压、7A电流与低至1.08Ω的导通电阻，为工程师提
龙腾半导体推出四款650V F系列IGBT新品
随着便携储能、新能源及工业电源应用对高效率、高功率密度需求的不断提升，IGBT作为电力电子系统的核心开关器件，其性能已成为决定整机效能与可靠性的关键因素。为应对市场对高性能功率器件的迫切需求，龙腾半导体正式推出四款650V F系列IGBT新品，致力于为高频、高效应用提供更
新品 | 针对车载充电和电动汽车应用的EasyPACK™ CoolSiC™ 1200V和硅基模块
新品针对车载充电和电动汽车应用的EasyPACKCoolSiC1200V和硅基模块英飞凌推出针对车载
新品 | 面向低功率储能应用的Easy模块产品扩展
新品面向低功率储能系统应用的产品扩展●采用最新1200VTRENCHSTOPIGBT7和EC7快速二极管技术的三电平NPC1拓扑的EasyPACK3B
新品 | 650V CoolMOS™ 8超结 (SJ) MOSFET
新品650VCoolMOS8超结(SJ)MOSFET英飞凌推出全新650VCoolMOS8引领全球高压超结SJMOSFET技术，为行业技术和性价比树立了全球标准。该系列为高功率应用提供
新品 | 采用D2PAK-7封装的CoolSiC™ 650V G2 SiC MOSFET
新品采用D2PAK-7封装的CoolSiC650VG2SiCMOSFET第二代CoolSiCMOSFET650VG2分立器件系列推出D2PAK-7
新品 | EiceDRIVER™ 650 V +/- 4 A高压侧栅极驱动器 1ED21x7 系列
新品EiceDRIVER650V+/-4A高压侧栅极驱动器1ED21x7系列英飞凌的新一代EiceDRIVER1ED21x7x650V、+/
新品 | 储能用1200V 500A NPC2 三电平IGBT EasyPACK™ 3B模块
新品储能用1200V500ANPC2三电平IGBTEasyPACK3B模块1200V500ANPC2三电平模块，采用
SiC SBD-P3D06002E2 650V SiC 肖特基二极管特性
P3D06002E2 是一款 650V SiC 肖特基二极管，采用 TO - 252 - 2 封装，符合 AEC - Q101标准，具备超快速开关、零反向恢复电流、适用于高频操作、正向电压具有正温度
ROHM携手ATX量产650V耐压GaN HEMT
全球知名半导体制造商ROHM近日宣布，其采用TOLL(TO-LeadLess)封装的650V耐压GaN HEMT(高电子迁移率晶体管)“GNP2070TD-Z”已成功投入量产。这一里程碑式的进展
为什么650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超结MOSFET和高压GaN氮化镓器件？
650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超结MOSFET和高压GaN氮化镓器件
高电流密度IGBT模块LE2 200A/650V介绍
JL3I200V65RE2PN为650V /200A INPC三电平逆变模块，采用沟槽栅场终止技术IGBT7芯片，带热敏电阻（NTC）和可选
芯达茂国产IGBT模块，国产IBGT单管 全系列型号
)
XD040Y120AB1S3(1200V 40A应用：快充/OBC/PCS/BMS/充电桩,电机控制)
XD006Y065AB1L2 (650V 6
发表于 12-19 15:03
工商网监
评论