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新品 | CoolMOS™ CFD7 SJ高压超结MOSFET 650V系列

英飞凌工业半导体 2026-04-20 17:04 次阅读
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新品

CoolMOS CFD7 SJ 高压超结

MOSFET 650V系列

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650V CoolMOS CFD7是英飞凌最新高压超结MOSFET技术,集成快速体二极管,完善了CoolMOS 7系列产品,CoolMOS CFD7具备更低的栅极电荷(QG)、优化的关断特性,其反向恢复电荷(QRR)较竞品最多可降低69%,并拥有业界最低的反向恢复时间(trr),底部散热封装最大程度降低导通损耗,实现器件的标准化散热与安装。


产品描述:

IPQC65R040CFD7

IPQC65R017CFD7


产品特性


超快体二极管

650V击穿电压

业界领先的导通电阻RDS(on)

降低开关损耗

低温漂导通电阻特性


应用价值


优异的硬换流鲁棒性

为更高母线电压设计提供额外安全裕度

赋能高功率密度解决方案

工业开关电源SMPS中卓越的轻载效率


竞争优势


更优性价比

业界最快的开关速度赋能更高开关频率,实现变流器功率密度突破


应用领域


专为ZVS移相全桥架构优化

服务器LLC谐振变换器应用

通信电源

电动汽车充电

光伏发电

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