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新品 | 英飞凌第五代CoolGaN™ BDS 650V 氮化镓双向开关

英飞凌工业半导体 2026-01-19 17:14 次阅读
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新品

英飞凌第五代CoolGaN BDS 650V

氮化镓双向开关

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CoolGaN G5系列650V双向开关(BDS)是一款单片集成器件,能够在两个方向上主动阻断电压和电流。它在电力电子领域,特别是在实现单级功率变换方面,是一项卓越的创新。


该器件采用TOLT封装,能够实现高功率密度设计,是多种应用场景下的通用化优选方案,并可助力实现具备成本优势的创新拓扑结构。


产品型号:

IGLT65R055B2


产品特性


650V双向增强型晶体管

共漏极配置

双向阻断能力

低栅极电荷

低输出电荷

集成衬底电压控制

JEDEC标准认证

跨温度与频率范围内稳定的导通电阻

可替代背对背开关配置


应用价值


结构紧凑

高性价比

低导通损耗

设计简化

加速上市


竞争优势


单个CoolGaN双向开关即可替代传统背对背配置所需的四个分立开关

显著简化转换器设计,减少元器件数量,有效降低系统成本,其电路结构相较传统的两级式方案具备显著优势


应用领域


单相组串式逆变器

三相组串式逆变器

微型逆变器

电机控制与驱动

服务器电源供应单元

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