PC1210高频高效率半桥GaN驱动器
1.产品特性（替代LMG1210）
➢工作频率高达10MHz
➢20ns 典型传播延迟
➢5ns 高侧/低侧匹配
➢两种输入控制模式
➢具有可调死区时间的单个PWM 输入、 独立输入模式
➢1.5A 峰值拉电流和 3A峰值灌电流
➢内置5V LDO
➢欠压保护
➢过热保护
➢总剂量（TID）耐受：≥100k rad(si)
➢单粒子锁定及烧毁对线性能量传输（LET）的抗干扰度：≥75MeV*cm2/mg
2.功能描述
PC1210是一款60V半桥GaN驱动器，专为高频率、高效率的应用而开发， 具有可调节死区时间功能、极短的传播延迟以及5ns 高侧/低侧匹配，以优化系统效率。芯片内置LDO，提供与电源电压无关的5V栅极驱动器电压。
PC1210具有两种输入控制模式：独立输入模式(IIM) 和PWM 模式。在IIM 模式中，每个输出都由专用输入独立控制。在PWM 模式下，两个补偿输出信号由单个输入产生，每个沿的死区时间可在10~100ns之间调节
3.产品应用
➢同步降压型转换器
➢半桥、全桥、正激、推挽转换器
4.裸芯片/封装简介
➢本产品为裸芯片，尺寸为2050µm×2050µm（含划片槽尺寸）
审核编辑 黄宇
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
驱动器
+关注
关注
54文章
9025浏览量
153440 -
半桥
+关注
关注
3文章
93浏览量
21873 -
GaN
+关注
关注
21文章
2335浏览量
79279
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
SiLM27213EK-DG专用MOSFET门极驱动器，高频高效率开关电源解决方案
电路，挤占了本就紧张的PCB空间？如果你对以上任何一个问题感同身受，那么问题的核心可能指向了电源架构中的一个关键角色——MOSFET门极驱动器。一款高性能的驱动器，往往是解锁高频、高效率
发表于 12-10 08:55
STDRIVEG611半桥栅极驱动器技术解析与应用指南
STMicroelectronics STDRIVEG611半桥栅极驱动器是用于N沟道增强模式GaN的高压半
DRV8251A H桥电机驱动器技术解析与应用指南
Texas Instruments DRV8251A H桥驱动器是一款高度集成的电机驱动器，具有N沟道H桥、电荷泵、电流检测反馈、电流调节和保护电路。电荷泵通过支持N沟道MOSFET
德州仪器DRV8231A H桥电机驱动器技术解析与应用指南
Texas Instruments DRV8231A 33V H桥驱动器是一款集成电机驱动器，具有N沟道H桥、电荷泵、电流检测反馈、电流调节和保护电路。电荷泵通过支持N沟道MOSFET
Texas Instruments LMG2100R044 GaN半桥功率级数据手册
。LMG2100R044在半桥配置中集成了两个100V GaN FET，由一个高频90V GaN FET
6通道、高效率白光LED驱动器，带有触摸屏驱动器电源 skyworksinc
电子发烧友网为你提供()6通道、高效率白光LED驱动器，带有触摸屏驱动器电源相关产品参数、数据手册，更有6通道、高效率白光LED驱动器，带有
发表于 07-23 18:33
Analog Devices Inc. LT8418半桥GaN驱动器数据手册
Analog Devices Inc. LT8418半桥GaN驱动器是一款100V器件，集成了顶部和底部驱动器级、
意法半导体推出两款高压GaN半桥栅极驱动器
意法半导体推出两款高压GaN半桥栅极驱动器，为开发者带来更高的设计灵活性和更多的功能，提高目标应用的能效和鲁棒性。
LMG1210 GaNFET 和 MOSFET 的 1.5A、3A、200V 半桥栅极驱动器、5V UVLO 和可编程死区时间数据手册
LMG1210 是一款 200V 半桥 MOSFET 和氮化镓场效应晶体管 （GaN FET） 驱动器，专为超
MP1918数据手册#100V、高频、半桥 GaN/MOSFET 驱动器
MP1918 是一款 100V 半桥驱动器，用于在半桥或同步应用中驱动具有低栅极阈值电压的增强型
TI LMG2100R044 具有集成驱动器和保护功能的 100V 4.4mΩ 半桥 GaN FET应用与设计
LMG2100R044 器件是一款 90V 连续、100V 脉冲、35A 半桥功率级，集成了栅极驱动器和增强型氮化镓 （GaN） FET。该器件由两个 100V
TI LMG2100R044 具有集成驱动器和保护功能的 100V 4.4mΩ 半桥 GaN FET
LMG2100R044 器件是一款 90V 连续、100V 脉冲、35A 半桥功率级，集成了栅极驱动器和增强型氮化镓 （GaN） FET。该器件由两个 100V
ST 意法半导体 STDRIVEG611QTR 用于 GaN 功率开关的高压和高速半桥栅极驱动器
用于 GaN 功率开关的高压和高速半桥栅极驱动器产品说明STDRIVEG610 和 STDRIVEG611 是两款用于 N 沟道增强型 GaN
发表于 02-12 14:06
•0次下载
使用用于GaN的LMG1210EVM-012 300V半桥驱动器
电子发烧友网站提供《使用用于GaN的LMG1210EVM-012 300V半桥驱动器.pdf》资料免费下载
发表于 01-03 16:19
•6次下载
工商网监
评论