台积电将在2023年完成3200mm²芯片，内部封装12颗HBM

除了5nm、4nm、3nm、2nm工艺进展和规划，台积电近日还公布了不少新的芯片封装技术，毕竟随着高性能计算需求的与日俱增、半导体工艺的日益复杂，单靠升级制程工艺已经不能解决所有问题。

台积电的CoWoS－S晶圆级封装技术已经使用了很多年，大大突破了光刻掩膜尺寸的限制，芯片越做越大，内部封装的小芯片也越来越多。

2016年的时候，台积电做到了1．5倍于掩模尺寸的规模，单芯片内部可封装4颗HBM高带宽内存芯片，去年达成2x尺寸、6颗HBM，并计划明年实现3x尺寸、8颗HBM。

根据台积电最新公布的规划，2023年的时候，他们将把芯片做到4倍于掩模尺寸的程度，内部可以封装多达12颗HBM，再加上主芯片就有13颗，而总面积估计可达惊人的3200平方毫米。

作为对比，NVIDIA安培架构的GA100核心面积为826平方毫米，7nm工艺，540亿晶体管，也不过它的大约四分之一。

HBM技术发展迅速，虽然还不确定2023年会是什么样子，但无论容量还是带宽都将超越很多人的想象，上百GB、TB／s应该都不是事儿。

目前最先进的三星HBM2e已经做到单颗12层堆叠，数据传输率3200MT／s，带宽至少4．92TB／s。