台积电正面回应！日本芯片厂建设不受影响，仍将全速推进

近日，有关台积电放缓日本芯片制造设施投资的传闻引发业界关注。据《华尔街日报》援引知情人士消息，台积电因加快美国亚利桑那州 Fab 21 工厂建设，而放缓其在日本的芯片制造设施投资，此举或为应对美国政府可能对中国台湾地区生产芯片征收关税的风险。然而，台积电在回应 Tom's Hardware 询问时明确表示，其在美国亚利桑那州的重大投资计划，不会影响其在日本和德国的芯片制造工厂计划。

台积电发言人强调，公司不对市场传闻发表评论，其全球制造扩张战略基于客户需求、商业机会、运营效率、政府支持程度以及成本经济考量。此前有传闻称，台积电将放缓其在日本熊本附近的 Fab 23 二期（JASM 二期）以及德国德累斯顿附近的 Fab 24 一期（ESMC 一期）的支出，以便优先将资金投入亚利桑那州的 Fab 21 工厂，并加快 Fab 21 二期的设备安装进度。本周早些时候，亦有消息称台积电计划在 2027 年提前数个季度启用具备 N3 工艺能力的 Fab 21 二期，而德国和日本的项目则被推迟。

事实上，尽管计划可能会发生变化，但这些变化并非总是相互关联的，尤其是考虑到这些项目处于不同阶段，以及台积电庞大的资本支出预算（320 亿至 420 亿美元）和大规模产能扩张计划。今年早些时候，台积电已确认将加快台积电亚利桑那州 Fab 21 二期的量产启动时间，以满足客户需求，计划将原定于 2028 年的量产启动日期提前数个季度，预计可能在 2027 年。目前，Fab 21 工厂已达到 “封顶里程碑”，正在安装各种机械、电气、管道、空气过滤、空调及其他系统，该项目的下一阶段将是安装实际的半导体生产设备，这是每个工厂项目中最具资本密集性（成本最高）的阶段。台积电首席执行官兼董事长魏哲家在 2025 年第一季度财报电话会议中表示：“我们第二个工厂的建设已经完成，该工厂将使用 3 纳米工艺技术，我们正在加快量产进度，以满足客户对人工智能相关需求的强烈增长。” 此外，台积电计划在 2025 年晚些时候开始建设 Fab 21 三期和四期的厂房，并计划在本十年后半叶投产。魏哲家表示：“我们的第三和第四个工厂将使用 N2 和 A16 工艺技术，预计在获得所有必要许可后，将于今年晚些时候开始建设。”

反观台积电在日本的布局，其第一个工厂 ——Fab 23 一期已于 2024 年 12 月底开始大规模生产芯片。公司原计划今年早些时候开始建设 Fab 23 二期，但由于当地基础设施不足，进度推迟。魏哲家在与分析师和投资者的电话会议中表示：“我们第二个专业工厂的建设预计将于今年晚些时候开始，具体取决于当地基础设施的准备情况。” 日本政府代表虽表示未收到台积电直接以当地交通为由的沟通，并对该理由表示怀疑，但仍相信该工厂的生产时间表和产量目标将基本保持不变。因此，除非公司资金不足，否则没有理由为了加快另一个项目而放慢这一阶段的进度，而台积电显然不存在资金问题。

同样的情况也适用于台积电在德国的项目 —— 与博世、英飞凌和恩智浦合作的 Fab 24 项目，预计将于 2027 年底投产。到目前为止，公司尚未正式开始建造厂房，但建造工厂建筑的成本低于设备安装成本，因此台积电不太可能因在美国的大规模投资项目而推迟 Fab 24 的建设。台积电始终强调，其工厂的上线时间是基于客户需求的，美国项目的扩张不会影响其在其他国家的计划。

来源：半导体芯科技

审核编辑 黄宇