去年ASML光刻机出货26台，新一代极紫外光刻机研发中

在晶圆代工龙头台积电将于2020年正式量产5纳米制程，而竞争对手三星也在追赶的情况下，目前两家公司也在积极研发更先进的3纳米制程。这些先进半导体制程能研发成功，且让未来生产良率保持一定水准，光刻机绝对是关键。

就台积电与三星来说，最新极紫外光刻机（EUV）早就使用在7纳米制程，未来5纳米制程也将会继续沿用。至于更新的3纳米制程，目前光刻机龙头──荷兰商ASML也正研发新一代极紫外光刻机，以因应市场需求。

根据外电报导，目前ASML出货的EUV光刻机主要是NXE:3400B，以及进化版的NXE:3400C两款型号。基本上两种型号的EUV光刻机构造相同，但是NXE:3400C采用模组化设计，维护更加便捷，平均维修时间将从48小时缩短到8到10小时，可支援7纳米及5纳米制程的生产需求。

此外，NXE:3400C的产能，也从NXE:3400B每小时处理晶圆数的125WPH，提升到了175WPH，达到其更好的效率。

随着台积电与三星在7纳米EUV制程量产，ASML的EUV光刻机需求也快速攀升。

根据2020年1月ASML公布的2019年第4季及当年全年财报显示，光是2019年第4季，ASML就出货了8台EUV光刻机，并收到9台EUV光刻机订单。全年EUV光刻机订单量达到了62亿欧元，总计出货了26台EUV光刻机，比2018年18台有显著成长，使EUV光刻机对ASML的营收占比，从2018年23%提升到31%。

在此情况下，随着2020年台积电与三星5纳米制程的相继量产，这将对于EUV光刻机的需求进一步提高。根据ASML预估，2020年将会交付35台EUV光刻机，2021年进一步提高到45~50台交付量。不仅如此，ASML还针对后续更为先进的3纳米、2纳米制程的需求，开始规划新一代EUV光刻机EXE:5000系列。

报导进一步指出，EXE:5000系列将会把物镜系统的NA（数值孔径）由上一代的NXE:3400B/C的0.33，提升至0.55，如此可达成小于1.7纳米的套刻误差，每小时处理晶圆数也将提升至185WPH。根据ASML公布的资讯显示，EXE:5000系列光刻机预计最快在2021年问世。不过首发设备还是样机，所以最快要到2022年或2023年才能量产交付客户。

而如果按照目前台积电的和三星的进度来看，台积电在2020年量产5纳米制程，而3纳米制程预计最快可能也要等到2022年才会量产。

至于，三星方面，按照规划，在6纳米LPP制程之后，还有5纳米LPE、4纳米LPE两个制程节点，之后将进入3纳米制程。规划的3纳米制程分为GAE（GAA Early）及GAP（GAA Plus）两世代。

其中，2019年5月三星就宣布3纳米GAE的设计套件0.1版本已经准备完成，可以帮助客户启动3纳米制程的设计。只是从设计到量产，预计还要一段时间，其中还有试产的部分，因此预估量产时间最快要等到2022年之后。

据了解，目前台积电方面的3纳米制程研发进展顺利，已经开始与早期客户进行接触。而台积电新投资新台币6,000亿元的3纳米新竹宝山厂也于2019年通过了用地申请，预计将于2020年正式动工。届时完成之后，应该就会看到ASML的新一代EXE:5000 A系列光刻机进驻，生产更先进的半导体芯片。