美光科技推出多路复用双列直插式内存模块(MRDIMM)

全球领先的半导体存储解决方案提供商美光科技（纳斯达克股票代码：MU）近日宣布成功推出其首款多路复用双列直插式内存模块（MRDIMM），这一创新产品旨在助力客户应对日益复杂的工作负载挑战，最大化计算基础设施的效能与价值。专为那些需要单个DIMM插槽内存超过128GB的应用场景设计，美光MRDIMM在带宽、容量、延迟及能效方面均展现出显著优势，尤其在加速内存密集型虚拟化多租户环境、高性能计算（HPC）及人工智能（AI）数据中心工作负载方面，相较于当前主流的TSV RDIMM技术，实现了性能的飞跃。

美光副总裁兼计算产品事业群总经理Praveen Vaidyanathan表示：“美光MRDIMM作为我们最新的主存解决方案，不仅为下一代服务器平台带来了亟需的带宽和容量提升，还显著降低了延迟，专为扩展AI推理和高性能计算应用而生。在保持与RDIMM相同的可靠性、可用性、适用性和接口标准的同时，MRDIMM通过降低每项任务的能耗，为客户提供了性能可扩展且灵活的解决方案。我们与业界的紧密合作确保了这款解决方案能够无缝集成于现有服务器基础设施，并顺利过渡到未来的计算平台。”

依托DDR5的物理和电气标准，MRDIMM实现了内存技术的重大突破，不仅扩展了单核心的带宽和容量，还为未来的计算系统奠定了坚实基础，满足数据中心日益增长的工作负载需求。相较于RDIMM，MRDIMM的优势显著，包括有效内存带宽提升高达39%、总线效率提升超过15%，以及延迟降低至多40%。

在容量选择上，MRDIMM提供了从32GB到256GB的广泛选项，支持标准型和高型外形规格（TFF），完美适配高性能的1U和2U服务器。特别是其优化的散热设计，使得在相同功耗和气流条件下，DRAM温度可降低多达20摄氏度，从而提升了数据中心的散热效率，并优化了内存密集型工作负载的总系统能耗。值得一提的是，美光凭借先进的内存设计和制程技术，在256GB TFF MRDIMM上采用了32Gb DRAM芯片，实现了与采用16Gb芯片的128GB TFF MRDIMM相同的功耗水平，同时在最大数据传输速率下，性能较同容量的TSV RDIMM提升35%，为数据中心带来了前所未有的总体拥有成本（TCO）优势。

英特尔副总裁兼数据中心至强6产品管理总经理Matt Langman对此表示：“MRDIMM通过DDR5接口和技术，实现了与英特尔至强6处理器平台的无缝兼容，为客户提供了更高的灵活性和更多选择。这一解决方案覆盖了从32GB到256GB的多种容量规格，包括标准和高型外形，全面满足高性能计算、AI及多种工作负载的需求，所有这些都在同一支持标准DIMM的英特尔至强6处理器平台上实现。我们期待客户能从美光丰富的MRDIMM产品组合中受益。”

联想集团副总裁兼人工智能和高性能计算总经理Scott Tease也强调：“随着处理器和GPU核心数的快速增长，内存带宽的需求却未能同步跟上，以维持系统性能的平衡。美光MRDIMM的推出，对于内存密集型任务如AI推理、再训练及高性能计算工作负载而言，无疑将有效缩小这一带宽差距。我们与美光的紧密合作，将共同为客户提供更加平衡、高性能且可持续的技术解决方案。”

目前，美光MRDIMM已正式上市，并计划于2024年下半年实现批量出货。未来几代MRDIMM产品将继续引领行业趋势，提供比同代RDIMM高出45%的单通道内存带宽，持续推动数据中心和计算性能的新飞跃。