苹果将在iPhone中运用QLC NAND闪存技术

据集邦咨询于2021年7月25日公布的新近研究报告显示，据悉，苹果正积极考虑在其未来的iPhone产品线中导入一项名为QLC NAND闪存技术的革新性媒介。而这项技术的实际投入使用，预计最早可在2026年看到成果，届时，iPhone手机内部的储存空间将有望突破2TB的界限。

QLC NAND简称“四层单元”，这是一种极具前瞻性的闪存技术，其独特之处在于每一个存储单元都能容纳多达4位的数据信息。相较于传统的TLC NAND（三层单元），QLC NAND的存储密度得到了显著提升，高达33%之多。

虽然QLC NAND在面对大量写入操作时可能会面临挑战，但其极高的存储密度使其成为了大容量存储应用的首选方案。苹果公司计划借助此项技术，进一步增强iPhone的存储性能，以应对日益增长的数据存储需求。据集邦咨询的预测，苹果正全力推动QLC NAND技术的应用进程，其目标是将iPhone的内置存储空间提升至2TB的惊人水平。

此外，苹果公司也在深入探讨如何运用NAND闪存技术来存储大型语言模型（LLMs），从而实现在本地运行更多的人工智能任务。向QLC NAND闪存的转型或许将有助于提升Apple Intelligence的整体表现，让其能够更加高效地处理各种复杂的人工智能计算任务。