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电子发烧友网>存储技术>

存储技术

提供全球最前沿存储技术,云存储技术、快速存储技术、虚拟存储技术、存储解决方案、与英特尔快速存储技术等存储技术新闻、产品信息及技术热点。

IBM推出AI增强的数据弹性功能,打造更安全存储解决方案

在新一代 IBM Storage FlashSystem 产品中发布新的 AI 增强版 IBM FlashCore 模块技术,以及新版 IBM Storage Defender 软件,帮助组织提高其检测和响应勒索软件及其他网络攻击的能力。...

2024-03-05 标签:IBM存储AIAIIBM存储混合云 834

MCU制程工艺迈进28nm时代,汽车行业的创新之路

MCU制程工艺迈进28nm时代,汽车行业的创新之路

瑞萨日前宣布,公司已基于STT-MRAM的电路技术开发出具有快速读写能力的测试芯片。该MCU 测试芯片采用 22 纳米工艺制造,包括一个 10.8Mbit嵌入式 MRAM 存储单元阵列。...

2024-03-05 标签:mcu存储器cpu意法半导体NVM 218

美光量产行业领先的HBM3E解决方案,加速人工智能发展

美光量产行业领先的HBM3E解决方案,加速人工智能发展

2024 年 3 月 4 日全球内存与存储解决方案领先供应商 Micron Technology, Inc.(美光科技股份有限公司,纳斯达克股票代码:MU)近日宣布已开始量产其 HBM3E 高带宽内存解决方案。英伟达 H200 Tensor ...

2024-03-04 标签:内存Micron美光美光科技人工智能 758

浅析RAM存储器内部结构图

浅析RAM存储器内部结构图

在计算机中,CPU需要定期地从 RAM 存储器中读取数据和指令。随着计算机应用程序的不断发展,RAM 存储器的容量和速度不断提高,以适应计算机系统的需要。...

2024-03-04 标签:DRAM存储器cpu反相器cpuDRAMRAM存储器反相器存储器 579

人工智能与机器学习计算中的内存挑战

更多带宽 – 随着需要移动大量数据,我们目睹了所有 DRAM 类型继续竞相提高数据速率以提供更多内存带宽。...

2024-03-04 标签:DRAMsram人工智能机器学习LPDDR 72

Linux系统对存储设备性能的调优方法

Linux系统对存储设备性能的调优方法

固态硬盘正逐步取代磁盘成为存储的标准解决方案,传统磁盘的转速、寻道时间、延迟、机械故障等特点,在新的固态硬盘中已经不复存在。...

2024-03-04 标签:Linux存储设备调度器 155

索尼将与希捷合作让HDD容量翻倍,满足AI增长需求

电子发烧友网报道(文/黄山明)近期,据日媒报道,索尼计划将从今年5月起量产用于大容量HDD的半导体激光器。得益于索尼新开发的磁盘存储容量翻倍的技术,索尼计划与希捷科技合作,大规...

2024-03-04 标签:索尼希捷HDD 2995

什么是NAND 型 Flash 存储器?

什么是NAND 型 Flash 存储器?

前言NANDFlash和NORFlash是现在市场上两种主要的闪存技术。Intel于1988年首先开发出NORFlash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着,1989年,东芝公司发表了NANDFlash结构,后者的单元电...

2024-03-01 标签:存储器SD卡Nand flashSD NAND 742

喜讯!忆联再次以第一成交候选人入围中国移动SSD硬盘AVAP项目

喜讯!忆联再次以第一成交候选人入围中国移动SSD硬盘AVAP项目

近日,中国移动公示了2023年至2024年SSD硬盘AVAP合作商第一批次引入项目采购包1-通用SATA的中标候选人,忆联以第1成交候选人中标。值得一提的是,在2023年年末,忆联同样以第一成交候选人入围...

2024-03-01 标签:运营商SSD数据存储中国移动 837

曙光存储推出ParaStor分布式全闪存储

曙光存储推出ParaStor分布式全闪存储,携业内首创技术XDS,以训练加速、稳定性强、性价比高的独特价值,全维度涵盖网络、计算和平台,为千行百业的AI大模型开发者提供存储解决方案。...

2024-03-01 标签:AIChatGPT大模型Sora 151

AI时代势不可挡,HBM价格飙升突显其核心价值

AI时代势不可挡,HBM价格飙升突显其核心价值

与传统的DRAM相比,HBM拥有更高的数据容量和更低的功耗,使其成为需要高性能和高效率的人工智能应用程序的理想选择。 一位业内人士表示,在人工智能计算系统领域,目前没有其他内存芯片...

2024-03-01 标签:amdDRAM人工智能SK海力士HBM 124

HBM、HBM2、HBM3和HBM3e技术对比

HBM、HBM2、HBM3和HBM3e技术对比

AI服务器出货量增长催化HBM需求爆发,且伴随服务器平均HBM容量增加,经测算,预期25年市场规模约150亿美元,增速超过50%。...

2024-03-01 标签:存储器服务器HBMAI服务器HBM3 220

利用CXL技术重构基于RDMA的内存解耦合

利用CXL技术重构基于RDMA的内存解耦合

本文提出了一种基于RDMA和CXL的新型低延迟、高可扩展性的内存解耦合系统Rcmp。其显著特点是通过CXL提高了基于RDMA系统的性能,并利用RDMA克服了CXL的距离限制。...

2024-02-29 标签:数据中心PCIeRDMA深度学习PCIeRDMA数据中心深度学习通信机制 365

美光抢滩市场,HBM3E量产掀起技术浪潮

除了GPU,另一个受益匪浅的市场就是HBM了。HBM是一种高性能的内存技术,能够提供比传统DRAM更高的带宽和更低的延迟,这使得其在需要大量数据传输和处理的人工智能应用中具有显著优势。...

2024-02-29 标签:gpu美光人工智能SK海力士HBM 112

以太网存储网络中的拥塞控制与管理策略

以太网存储网络中的拥塞控制与管理策略

当出口队列利用率超过上升阈值时,Cisco Nexus 9000 交换机可检测到微突发。当队列利用率低于下降阈值时,微突发结束。根据交换机型号的不同,本文撰写时的最小微突发粒度为 0.64 微秒,持续...

2024-02-29 标签:以太网交换机UDPUDP交换机以太网光纤通道存储网络 177

HBM市场火爆!美光与SK海力士今年供货已告罄

美光指出,专为AI、超级计算机设计的HBM3E预计2024年初量产,有望于2024会计年度创造数亿美元的营收。Mehrotra对分析师表示,“2024年1~12月,美光HBM预估全数售罄”。...

2024-02-27 标签:gpu超级计算机美光SK海力士HBM 145

数据存储技术未来发展趋势与前景展望

数据存储技术未来发展趋势与前景展望

数据存储对于数据挖掘与分析、数据整合与共享、智能决策支持、业务模式创新以及优化资源配置等方面具有重要作用。按照存储介质不同,数据存储技术主要可分为磁性存储、光学存储以及半...

2024-02-27 标签:DRAM数据存储EEPROMDRAMEEPROM光存储数据存储磁性存储 462

“超级光盘”在中国科学院上海光学精密机械研究所诞生

存储容量是普通光盘上万倍、普通硬盘上百倍的“超级光盘”,在中国科学院上海光学精密机械研究所诞生。...

2024-02-25 标签:光存储 535

索尼新突破:半导体激光器让数据存储迈向30TB时代

日本索尼正通过大规模生产激光二极管来显著提升大容量机械硬盘(HDD)的存储容量,以满足全球AI数据中心日益增长的数据存储需求。...

2024-02-25 标签:索尼数据存储半导体激光器半导体激光器数据存储激光二极管索尼 112

国内光存储技术迎重大突破,“超级光盘”诞生,存储容量超普通光盘万倍

国内光存储技术迎重大突破,“超级光盘”诞生,存储容量超普通光盘万倍

  电子发烧友网报道(文/黄山明)在数据爆炸的今天,尤其随着AI的高速发展,文字、图片甚至视频都开始能够被AI批量生成,这意味着整个社会即将迎来新一轮的数据浪潮。与之相对的是,数...

2024-02-26 标签:存储光存储光存储存储 3510

我国在光存储领域获重大突破 或将开启绿色海量光子存储新纪元

我国在光存储领域获重大突破 或将开启绿色海量光子存储新纪元 据新华社的报道,中国科学院上海光学精密机械研究所与上海理工大学等合作,在超大容量超分辨三维光存储研究中取得突破性...

2024-02-22 标签:光存储 1354

2023年存储芯片公司业绩爆冷,存货周转高达635天,DRAM反转涨价

2023年存储芯片公司业绩爆冷,存货周转高达635天,DRAM反转涨价

电子发烧友网报道(文/刘静)近期,国内多家存储芯片上市公司发布2023年业绩预告。为了了解去年存储芯片企业的发展情况,电子发烧友整理了存储芯片业务占比超50%的上市公司业绩。   存储...

2024-02-22 标签:DRAM存储存储芯片 3331

IBM积极推进Ceph扩展,以打造AI领域的底层数据存储基石

BM正着手扩展Ceph的块和文件存储功能,希望将其定位为Storage Scale并行文件系统之下面向AI工作负载的后端数据存储。...

2024-02-20 标签:IBM数据存储AITCPAIIBMTCP块存储数据存储 118

首颗自研2D MLC NAND Flash!江波龙构建完整的存储芯片垂直整合能力

首颗自研2D MLC NAND Flash!江波龙构建完整的存储芯片垂直整合能力

江波龙研发布局突破藩篱进入到集成电路设计领域,产品及服务获得客户高度认可。继自研SLCNANDFlash系列产品实现规模化量产后,首颗自研32Gb2DMLCNANDFlash也于近日问世。该产品采用BGA132封装,支...

2024-02-19 标签:FlaSh存储芯片江波龙 481

罗彻斯特电子提供一种SLC和eMMC NAND存储解决方案

罗彻斯特电子为停产和已停产(EOL)元器件提供授权供货渠道和许可生产再制造解决方案,满足各个行业不同系统的需求。...

2024-02-20 标签:DRAM芯片罗彻斯特NAND存储芯片DRAM芯片NAND存储芯片slc罗彻斯特 402

ChrentDDR4的特性

ChrentDDR4的特性

DDR5已经开始商用,但是有的产品还在使用DDR4,本文将分享一些DDR4的测试内容。DDR4和前代的DDR3相比,它的速度大幅提升,最高可以达到3200Mb/s,这样高速的信号,对信号完整性的要求就更加严...

2024-02-19 标签:测试DDRDDR4 325

存储器层次结构如何解释?

存储器层次结构如何解释?

存储器层次结构可以从图片中清晰的看出来,图片中共分为六级,越向上的层次,存储器速度越快,容量更小,造价越高。...

2024-02-19 标签:DRAM存储器cpu内存cpuDRAM内存存储器网络服务器 433

浅谈存储器层次结构

浅谈存储器层次结构

通过多级存储器的设计,存储器层次结构能够在存储容量和访问速度之间找到一个平衡点。高速缓存存储器和主存储器提供了快速的访问速度,而辅助存储器则提供了大量的存储空间。...

2024-02-19 标签:DRAM寄存器存储器cpu存储设备 138

NAND Flash的写入速度和擦除速度分别是多少

NAND Flash的写入速度和擦除速度会受到多种因素的影响,包括Flash芯片的具体型号、制造工艺、以及操作环境等。因此,无法给出确切的数值。...

2024-02-19 标签:NANDFlash存储器Nand flash 768

nandflash和norflash的主要特点和区别

NAND Flash和NOR Flash都是基于浮栅场效应晶体管(Floating Gate FET)的结构。它们都包含源极(Source)、漏极(Drain)、控制栅(Control Gate)和浮栅(Floating Gate)。...

2024-02-19 标签:场效应晶体管Nand flashNOR flash 404

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