数据存储技术未来发展趋势与前景展望
数据存储对于数据挖掘与分析、数据整合与共享、智能决策支持、业务模式创新以及优化资源配置等方面具有重要作用。按照存储介质不同，数据存储技术主要可分为磁性存储、光学存储以及半...
2024-02-27 927
索尼新突破：半导体激光器让数据存储迈向30TB时代
日本索尼正通过大规模生产激光二极管来显著提升大容量机械硬盘（HDD）的存储容量，以满足全球AI数据中心日益增长的数据存储需求。...
2024-02-25 129
国内光存储技术迎重大突破，“超级光盘”诞生，存储容量超普通光盘万倍
电子发烧友网报道（文/黄山明）在数据爆炸的今天，尤其随着AI的高速发展，文字、图片甚至视频都开始能够被AI批量生成，这意味着整个社会即将迎来新一轮的数据浪潮。与之相对的是，数...
2024-02-26 3820
我国在光存储领域获重大突破 或将开启绿色海量光子存储新纪元
我国在光存储领域获重大突破 或将开启绿色海量光子存储新纪元 据新华社的报道，中国科学院上海光学精密机械研究所与上海理工大学等合作，在超大容量超分辨三维光存储研究中取得突破性...
2024-02-22 1388
2023年存储芯片公司业绩爆冷，存货周转高达635天，DRAM反转涨价
电子发烧友网报道（文/刘静）近期，国内多家存储芯片上市公司发布2023年业绩预告。为了了解去年存储芯片企业的发展情况，电子发烧友整理了存储芯片业务占比超50%的上市公司业绩。 存储...
2024-02-22 3772
IBM积极推进Ceph扩展，以打造AI领域的底层数据存储基石
BM正着手扩展Ceph的块和文件存储功能，希望将其定位为Storage Scale并行文件系统之下面向AI工作负载的后端数据存储。...
2024-02-20 138
首颗自研2D MLC NAND Flash！江波龙构建完整的存储芯片垂直整合能力
江波龙研发布局突破藩篱进入到集成电路设计领域，产品及服务获得客户高度认可。继自研SLCNANDFlash系列产品实现规模化量产后，首颗自研32Gb2DMLCNANDFlash也于近日问世。该产品采用BGA132封装，支...
2024-02-19 519
罗彻斯特电子提供一种SLC和eMMC NAND存储解决方案
罗彻斯特电子为停产和已停产(EOL)元器件提供授权供货渠道和许可生产再制造解决方案，满足各个行业不同系统的需求。...
2024-02-20 432
ChrentDDR4的特性
DDR5已经开始商用，但是有的产品还在使用DDR4，本文将分享一些DDR4的测试内容。DDR4和前代的DDR3相比，它的速度大幅提升，最高可以达到3200Mb/s，这样高速的信号，对信号完整性的要求就更加严...
2024-02-19 343
浅谈存储器层次结构
通过多级存储器的设计，存储器层次结构能够在存储容量和访问速度之间找到一个平衡点。高速缓存存储器和主存储器提供了快速的访问速度，而辅助存储器则提供了大量的存储空间。...
2024-02-19 197
NAND Flash的写入速度和擦除速度分别是多少
NAND Flash的写入速度和擦除速度会受到多种因素的影响，包括Flash芯片的具体型号、制造工艺、以及操作环境等。因此，无法给出确切的数值。...
2024-02-19 1045
nandflash和norflash的主要特点和区别
NAND Flash和NOR Flash都是基于浮栅场效应晶体管（Floating Gate FET）的结构。它们都包含源极（Source）、漏极（Drain）、控制栅（Control Gate）和浮栅（Floating Gate）。...
2024-02-19 524
NOR FLASH的结构和特性及原理图
与NAND Flash相比，NOR Flash具有较低的存储密度和较高的成本，但具有较快的读取速度、较低的读取延迟和较好的随机访问性能。...
2024-02-19 1119
浅谈flash存储器的特点和优缺点
Flash存储器的写操作具有特殊性，它只能将数据位从1写成0，而不能从0写成1。因此，在对存储器进行写入操作之前，必须先执行擦除操作，将预写入的数据位初始化为1。...
2024-02-19 888
MRAM特性优势和存储原理
MRAM是以磁性隧道结（MTJ）储存单元为基础。MTJ中包含了一个维持单一极性方向的固定层，和一个通过隧道结与其隔离的自由层。当自由层被施予和固定层相同方向的极化时，MTJ的隧道结便会显...
2024-02-19 504
SRAM CLA和SRAM有什么区别
每个SRAM单元的核心由两个CMOS反相器构成，这两个反相器相互连接，每个反相器的输出电位被用作另一个反相器的输入。这种结构使得每个SRAM单元都可以保存一个二进制位（0或1），直到它被新...
2024-02-19 445
一文详解以太网MAC芯片与PHY芯片
MII即媒体独立接口,它是IEEE-802.3定义的以太网行业标准."媒体独立"表明在不对MAC硬件重新设计或替换的情况下,任何类型的PHY设备都可以正常工作.它包括一个数据接口,以及一个MAC和PHY之间...
2024-02-19 828
AI时代，传统HDD硬盘的出路是什么？
电子发烧友网报道（文/周凯扬）随着存储技术的进一步发展，以及大家对于存储性能的看法发生了潜移默化的改变，HDD硬盘似乎在慢慢淡出普通消费者的视野。而AI的加速更是让这一趋势变得更...
2024-02-19 2953
Tech Talk：解读闪存原理与颗粒类型
NAND闪存作为如今各种电子设备中常见的非易失性存储器，存在于固态硬盘（SSD）、USB闪存驱动器和智能手机存储等器件。而随着电脑终端、企业存储、数据中心、甚至汽车配件等应用场景要求...
2024-02-05 509
什么存储器速度最快
在计算机系统中，寄存器（Register）通常是速度最快的存储器。寄存器是位于中央处理器（CPU）内部的小型、高速存储器，用于存储指令、数据和地址等临时信息。...
2024-02-05 462
EEPROM（Data FIash）的巧妙应用
EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）是指带电可擦可编程只读存储器。它是一种掉电后数据不丢失的存储芯片，可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息，重新编程。...
2024-02-02 207
DPTR是什么寄存器？DPTR寄存器能访问片内地址吗
DPTR通常在一些微处理器和微控制器中使用，特别是在一些基于8051架构的系统中。它是一个16位的寄存器，可以存储从0x0000到0xFFFF之间的地址。...
2024-02-02 2313
首颗自研2D MLC NAND Flash！江波龙构建完整的存储芯片垂直整合能力
江波龙研发布局突破藩篱进入到集成电路设计领域，产品及服务获得客户高度认可。继 自研SLC NAND Flash系列产品实现规模化量产 后，首颗 自研32Gb 2D MLC NAND Flash 也于近日问世。该产品采用 BGA...
2024-02-01 159
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