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电子发烧友网>存储技术>中国投资内存项目总预算达180亿,欲终结三星市场垄断

中国投资内存项目总预算达180亿,欲终结三星市场垄断

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2019-11-19 10:37:46998

西安三星电子闪存芯片项目二期正式启动 投资80亿美元

日前,西安三星电子闪存芯片项目再次取得重要突破。12月10日,该项目二期第二阶段80亿美元投资正式启动。
2019-12-11 10:52:547136

三星持续投资闪存芯片 加剧与NAND市场的差异化

12 月 11 日讯,近日,三星电子闪存芯片项目二期第二阶段 80 亿美元投资正式启动。据悉,三星电子一期投资 108 亿美元,建成了三星电子存储芯片项目和封装测试项目;二期项目投资 150 亿美元,主要制造闪存芯片。
2019-12-12 11:37:56743

为压制国产自主内存三星80亿美元增投中国芯片厂

据韩国媒体报道称,三星电子将对其中国芯片工厂增加80亿美元的投资,以促进NAND闪存芯片的生产。据预计,由于供应有限,以及对5G设备和网络需求的不断上升,明年全球内存芯片市场将出现反弹。
2019-12-13 09:55:223131

三星加大投资 明年全球内存芯片市场将出现反弹

据韩国媒体报道称,三星电子将对其中国芯片工厂增加80亿美元的投资,以促进NAND闪存芯片的生产。据预计,由于供应有限,以及对5G设备和网络需求的不断上升,明年全球内存芯片市场将出现反弹。
2019-12-13 10:04:18698

三星电子闪存芯片项目二期投资启动,将于2012年落户西安

12月12日消息,据消息,近日,三星电子正式启动了芯片项目二期第二阶段80亿美元投资
2019-12-13 14:41:353526

三星电子闪存芯片项目落户西安 第二阶段投资80亿美元

从“尚未决定”到“最终落户”,三星电子第二阶段二期投资终于落户西安。据最新消息,三星电子在西安的闪存芯片项目二期投资80亿美元落地。在今年5月份,三星电子曾表示,尚未决定对中国西安的第二条闪存芯片生产线进行额外投资的计划,具体情况将取决于市场状况。
2019-12-16 11:43:234321

三星电子宣布大规模长期投资计划 金额1160亿美元

三星电子近期宣布了一个相当长期且大规模的投资计划,其金额上看1,160亿美元,这也是其至今所尝试过最昂贵的赌注。
2019-12-25 15:03:032946

三星电子12英寸闪存芯片二期第二阶段项目正式启动 总投资150亿美元

继12月10日,西安三星电子闪存芯片项目二期第二阶段80亿美元投资启动后,西安和三星的深化合作再次迈上一个新台阶。
2019-12-26 11:42:2712695

三星遭遇最严重的利润下滑 内存芯片市场投资者的指望

1 月 7 日讯,据国外媒体报道,三星电子预计将遭遇至少十年来最大的年度利润下滑,投资者正指望内存芯片市场的预期反弹来提振三星今年的表现。
2020-01-07 15:36:39531

三星电子已经开始进行巨额半导体投资,总价值317亿美元

据Korea IT News报道,三星电子已经开始进行巨额半导体投资,总价值317亿美元。该公司最近开始对其在中国的NAND闪存工厂和在韩国的DRAM工厂进行投资。 据报道,除NAND闪存
2021-01-29 09:05:242367

三星计划在美国建立11座芯片工厂,共将投资2000亿美元

据韩媒报道称,三星正计划在美国投资建设11座芯片工厂,共将花费2000亿美元。 据了解,三星计划未来20年内在美国投资2000亿美元来建立11座芯片工厂,这11座芯片工厂将全部坐落于美国的德克萨斯州
2022-07-22 16:40:372284

三星或将获得美国超60亿美元扩大投资

近日,业界传出重磅消息,美国计划向全球知名的芯片制造商三星电子公司提供超过60亿美元的奖励资金。此举旨在大力支持三星在得克萨斯州已经宣布的扩大投资项目,进一步巩固和扩大其在全球芯片市场的领先地位。
2024-03-18 11:42:05997

英伟CEO赞誉三星HBM内存,计划采购

 提及此前有人预测英伟可能向三星购买HBM3或HBM3E等内存,黄仁勋在会上直接认可三星实力,称其为“极具价值的公司”。他透露目前已对三星HBM内存进行测试,未来可能增加采购量。
2024-03-20 16:17:241406

美国授予三星64亿美元补贴 三星建厂投资规模提升至约450亿美元

美国授予三星64亿美元补贴 三星建厂投资规模提升至约450亿美元 美国商务部国家标准及技术研究所4月15日在官网宣布了一项声明显示美国将授予三星至多64亿美元的补贴,根据这个初步协议三星电子准备新建
2024-04-16 18:39:331916

英伟否认三星HBM未通过测试

英伟公司CEO黄仁勋近日就有关三星HBM(高带宽内存)的传闻进行了澄清。他明确表示,英伟仍在认证三星提供的HBM内存,并否认了三星HBM未通过英伟任何测试的传闻。
2024-06-06 10:06:531101

三星HBM3E内存挑战英伟订单,SK海力士霸主地位受撼动

进入八月,市场传言四起,韩国存储芯片巨头三星电子(简称“三星”)的8层HBM3E内存(新一代高带宽内存产品)已顺利通过英伟严格测试。然而,三星迅速澄清,表示这一报道与事实相去甚远,强调目前质量测试
2024-08-23 15:02:561635

三星电子HBM3E内存获英伟认证,加速AI GPU市场布局

近日,知名市场研究机构TrendForce在最新发布的报告中宣布了一项重要进展:三星电子的HBM3E内存产品已成功通过英伟验证,并正式开启出货流程。具体而言,三星的HBM3E 8Hi版本已被确认
2024-09-05 17:15:281404

三星电子调整HBM内存产能规划,应对英伟供应延迟

近日,三星电子因向英伟供应HBM3E内存的延迟,对其HBM内存的产能规划进行了调整。据韩媒报道,三星已将2025年底的产能预估下调至每月17万片晶圆,这一调整反映了半导体行业当前紧张的供需关系和激烈的市场竞争。
2024-10-11 17:37:121554

英伟加速认证三星AI内存芯片

芯片。作为当前市场上最先进的内存技术之一,HBM3E(High Bandwidth Memory 3 Enhanced)以其超高的带宽和低功耗特性而备受瞩目。英伟正在对三星提供的两种不同堆叠规格的HBM3E内存进行评估,分别是8层堆叠和12层堆叠。 这两种堆叠规格的HBM3E内存各具特色。
2024-11-25 14:34:171028

三星2025年晶圆代工投资减半

近日,据最新报道,三星计划在2025年大幅削减其晶圆代工部门的投资规模,设备投资预算将从2024年的10万亿韩元锐减至5万亿韩元,削减幅度高达50%。 此次投资削减主要集中在韩国的两大工厂:平泽P2
2025-01-23 11:32:151082

三星电子晶圆代工业务设备投资预算大幅缩减

三星电子晶圆代工业务制定的年度计划显示,该部门今年的设备投资预算将大幅缩减至5万亿韩元(约合253.55亿元人民币)。与2024年的10万亿韩元相比,今年的投资预算直接砍半,显示出三星电子在晶圆
2025-02-08 15:35:58934

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