打破内存垄断神话,中国斥资180亿研发内存

　　这一年来内存价格都处于疯狂增长模式，但更无奈的是，中国的内存一直都是依赖于进口，DRAM内存颗粒掌握在韩国三星、SK海力士和美国美光等极少数巨头手中。现在中国终于开始重视这个问题，中国将斥资180亿研发内存，打破内存垄断神话。

　　这一年多来内存价格的疯涨让太多人感到心痛，而问题的根源在于DRAM内存颗粒掌握在韩国三星、SK海力士和美国美光等极少数巨头手中，合计份额超过90％，很容易形成垄断，下游和市场完全没有任何周旋余地。

　　如今，中国正在各个半导体领域切入自己的力量，破除国外垄断，包括CPU微处理器、NAND闪存、OLED屏幕面板等等，DRAM内存也是时候了。

　　中国芯片设计公司兆易创新近日发布公告，宣布与合肥市产业投资控股（集团）有限公司（简称合肥产投）于10月26日签署了《关于存储器研发项目之合作协议》。

　　双方约定，将在安徽省合肥市经济技术开发区合作开展300mm晶圆（12英寸）、19nm工艺存储器的研发项目，包括DRAM内存颗粒。

　　项目总预算约为180亿元人民币，兆易创新与合肥产投按照1:4的比例负责筹集。

　　合作目标是在2018年12月31日前研发成功，实现产品良率（测试电性良好的晶片占整个晶圆的比例）不低于10％。

　　不过兆易创新强调，本项目研发阶段设计产能较小，为2000-3000片晶圆每月，尚无法达到批量生产标准，而且中国大陆目前无DRAM产业技术积累，再加上人才引进、知识产权和设备进口等因素影响，研发能否成功存在不确定性。

　　即使研发成功，良率能否提升、量产能否实现，也仍然存在较大不确定性，从研发成功至量产并形成销售需要长达几年时间。

　　研发成功后，双方将就提升良率、扩大产能进行进一步探讨。

　　目前，三星DRAM已大规模采用20nm工艺，并率先量产18nm工艺。SK海力士则以25nm工艺为主，已导入21nm工艺。美光目前以30nm工艺为主，20nm工艺进入良率提升阶段。