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电子发烧友网>存储技术>Q313 NAND闪存需求或低于预期

Q313 NAND闪存需求或低于预期

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NAND闪存中启动U-BOOT的设计解析

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Q3季度NAND闪存价格持续下滑,2020年NAND市场或将进行大洗牌

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NAND闪存市场回暖,CAPEX比预期产量增加40%以上

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关于不同NAND闪存的种类对比浅析

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IDC对NAND闪存价格的最新预测

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2019-03-20 15:09:01282

IDC调整对NAND闪存的供需预测

IDC调整了其对NAND闪存的供需预测,称2019年和2020年的比特量(bit volume)将同比增长39%和38%。并预计闪存价格的降低趋势可能会放缓。
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NAND闪存连跌6个季度 上游厂商认为5月会回暖

2019年全球半导体市场从牛市进入了熊市,领跌的就是DRAM内存及NAND闪存两大存储芯片,其中NAND闪存芯片从2018年初就开始跌价,迄今已经连跌了6个季度。
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短期内NAND闪存需求的不如人意 并不影响市场的长期向好态势

进入2019年第二季度,NAND闪存的价格继续呈下跌态势,根据集邦咨询半导体研究中心第一季度末发布的数据,受到服务器需求疲弱、智能手机换机周期延长、苹果新机销售不如预期等终端需求不佳冲击,2019年第一季度各类NAND闪存的合约价季度跌幅近20%,成为2018年年初以来跌幅最剧烈的一次。
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据韩媒BusinessKorea报道,市场研究公司预测,基于固态硬盘(SSD)密度和性能提升,明年全球NAND闪存需求将增加,5G通信、人工智能、深度学习和虚拟现实将引领明年全球DRAM和NAND闪存市场的增长。
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分析师:价格战较预期提早开始,联发科5G芯片毛利率恐低于30–35%

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5G安卓机需求低于预期 联发科5G芯片将面临更激烈的竞争压力

中国信通院之前的报告称去年国内5G手机出货量达到了1377万部,而2020年各大厂商对5G市场预期很高,有消息称今年5G手机销量可达2亿部。不过事实上没这么乐观,5G安卓机需求低于预期,高通的骁龙765G芯片已经降价30%,联发科也面临更激烈的竞争压力。
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NAND 闪存内部存储结构单元是基于 MOSFET(金属-氧化层-半导体-场效应晶体管), 与普通场效应晶体管的不同之处在于,在栅极(控制栅)与漏极/源极之间存在浮置栅,利用该浮置栅存储数据。
2022-02-10 11:39:231

NAND闪存市场竞争愈发激烈

 在3D NAND技术赛跑中,三星长期处于领先地位,截至目前,其3D NAND闪存已经陆续演进至128层。
2022-06-14 15:21:152100

开放式NAND闪存接口规范

本规范定义了标准化的NAND闪存设备接口,该接口提供了以下方法:用于设计支持一系列NAND闪存设备而无需直接设计的系统关联前。该解决方案还提供了系统无缝利用的方法在设计系统时可能不存在的新NAND设备。
2022-09-09 16:10:2415

NAND闪存的应用中的磨损均衡

NAND闪存的应用中,程序/擦除周期存在一个限制,称为“P/E周期”。在NAND闪存中,当每个块的P/E周期达到最大值时,这些块将变得不可工作,需要一个备用块来替换它。当这些备用块用完时,此NAND闪存将无法再使用。
2022-10-24 14:30:111230

NAND闪存控制器有什么优势

围绕基于NAND闪存的存储系统的对话已经变得混乱。通常,当人们讨论存储时,他们只谈论NAND闪存,而忽略了单独的,但同样重要的组件,即控制器。但是为什么需要控制器呢?简单地说,没有它,一切都不起作用。
2022-10-25 09:29:32863

NAND闪存应用中的磨损均衡介绍

NAND闪存的应用中,编程/擦除周期存在限制,称为“P/E周期”。在NAND闪存中,当每个块的P/E周期达到最大值时,这些块变得不可工作,需要一个备用块来替换它。当这些备用块用完时,此NAND闪存将无法再使用。
2022-11-30 15:00:431519

开放式NAND闪存接口规范说明书

本规范定义了标准化NAND闪存设备接口,该接口提供了设计的系统支持一系列NAND闪存设备,无需直接设计预关联。该解决方案还为系统提供了无缝利用在系统设计时可能不存在的新NAND器件。
2022-12-13 16:50:450

半导体市场一蹶不振,NAND Flash闪存出货量低于预期

除PC需求疲弱外,NAND Flash价跌也是促使SSD价格续跌的原因。SSD搭载数个NAND Flash、因此价格易受NAND Flash价格影响。
2022-12-20 12:05:19402

Yole:NAND闪存及控制器的市场趋势

NAND闪存总容量也达到了5855亿GB的市场需求(见图2),其中,手机和消费级SSD仍然是主要的需求群体,紧随其后的则是企业级SSD。 图1 图2 2021年至2027年,以百万计为单位的NAND
2022-12-26 18:13:09991

什么是3D NAND闪存

我们之前见过的闪存多属于Planar NAND平面闪存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 闪存,顾名思义,就是它是立体堆叠的,Intel之前用盖楼为例介绍了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高楼大厦,建筑面积一下子就多起来了,理论上可以无线堆叠。
2023-03-30 14:02:392147

NAND闪存特点及决定因素

内存和NOR型闪存的基本存储单元是bit,用户可以随机访问任何一个bit的信息。而NAND闪存的基本存储单元是页(Page)(可以看到,NAND闪存的页就类似硬盘的扇区,硬盘的一个扇区也为512
2023-06-10 17:21:001983

三星24年生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25年量产三层堆栈架构321层NAND闪存

三星24年生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25年量产三层堆栈架构321层NAND闪存 存储领域的竞争愈加激烈,三星电子计划在2023年正式生产第9代V-NAND闪存,三星第9代V-NAND闪存
2023-08-21 18:30:53282

铠侠提升NAND闪存产能利用率

据最新报道,全球领先的NAND闪存制造商铠侠已决定重新审视其先前的减产策略,并计划在本月内将开工率提升至90%。这一策略调整反映出市场需求的变化和公司对于行业发展的积极预期
2024-03-07 10:48:35264

三星计划NAND闪存价格谈判 欲涨价15%—20%

三星计划NAND闪存价格谈判 欲涨价15%—20% 三星认为NAND Flash价格过低;在减产和获利优先政策的促使下三星计划与客户就NAND闪存价格重新谈判,目标价位是涨价15%—20%。
2024-03-14 15:35:22221

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